- •Чувашский Государственный Университет им. И.Н. Ульянова физические основы электроники
- •Содержание
- •Введение
- •1 Основы теории электропроводности полупроводников
- •1.1 Общие сведения о полупроводниках
- •1.1.1 Полупроводники с собственной электропроводностью
- •1.1.2 Полупроводники с электронной электропроводностью
- •1.1.3 Полупроводники с дырочной электропроводностью
- •1.2 Токи в полупроводниках
- •1.2.1 Дрейфовый ток
- •1.2.2 Диффузионный ток
- •1.3 Контактные явления
- •1.3.2 Прямое включение p-n перехода
- •1.3.3 Обратное включение р-п-перехода
- •1.3.4 Теоретическая вольтамперная характеристика p-n перехода
- •1.3.5 Реальная вольтамперная характеристика p-n перехода
- •1.3.6 Емкости p-n перехода
- •1.4 Разновидности электрических переходов
- •1.4.1 Гетеропереходы
- •1.4.2 Контакт между полупроводниками одного типа электропроводности
- •1.4.3 Контакт металла с полупроводником
- •1.4.4 Омические контакты
- •1.4.5 Явления на поверхности полупроводника
- •2 Полупроводниковые диоды
- •2.1 Классификация
- •2.2 Выпрямительные диоды
- •2.3 Стабилитроны и стабисторы
- •2.4 Универсальные и импульсные диоды
- •2.5 Варикапы
- •3 Биполярные транзисторы
- •3.1 Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы.
- •3.1.1 Общие сведения
- •3.1.2 Физические процессы в бездрейфовом биполярном
- •3.2 Статические характеристики биполярных транзисторов
- •3.2.1 Схема с общей базой
- •3.2.2 Схема с общим эмиттером
- •3.3 Дифференциальные параметры биполярного транзистора
- •3.4 Линейная (малосигнальная) модель биполярного транзистора
- •3.5 Частотные свойства биполярного транзистора
- •3.6 Способы улучшения частотных свойств биполярных транзисторов
- •3.7 Работа транзистора в усилительном режиме
- •3.8 Особенности работы транзистора в импульсном режиме
- •3.8.1 Работа транзистора в режиме усиления импульсов малой амплитуды
- •3.8.2 Работа транзистора в режиме переключения
- •3.8.3 Переходные процессы при переключении транзистора
- •4 Полевые транзисторы
- •4.2 Полевой транзистор с изолированным затвором
Чувашский Государственный Университет им. И.Н. Ульянова физические основы электроники
Конспект лекций
Выполнил
студент ЭТ-41-02
Мешков А.В.
Чебоксары 2004
Содержание
Введение……………………………………………………………………….4
1 Основы теории электропроводности полупроводников............................5
Общие сведения о полупроводниках...........................................................5
Полупроводники с собственной проводимостью.......................................5
Полупроводники с электронной проводимостью.......................................8
Полупроводники с дырочной проводимостью.........................................10
Токи в полупроводниках ............................................................................12
Дрейфовый ток.............................................................................................12
Диффузионный ток......................................................................................13
Контактные явления....................................................................................15
Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия………………15
Прямое включение p-n перехода................................................................19
Обратное включение p-n перехода.............................................................21
Теоретическая характеристика p-n перехода............................................23
Реальная характеристика p-n перехода......................................................25
Ёмкости p-n перехода..................................................................................28
Разновидности p-n переходов.....................................................................30
Гетеропереходы..........................................................................................30
Контакт между полупроводниками одного типа проводимости……...32
Контакт металла с полупроводником.......................................................33
Омические контакты..................................................................................33
Явления на поверхности полупроводника...............................................34
2 Полупроводниковые диоды.......................................................................37
Классификация...........................................................................................37
Выпрямительные диоды............................................................................37
Стабилитроны и стабисторы.....................................................................38
Универсальные и импульсные диоды......................................................39
Варикапы.....................................................................................................41
3 Биполярные транзисторы...........................................................................43
3.1 Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы............43
Общие сведения..........................................................................................43
Физические процессы в бездрейфовом биполярном транзисторе…….46
Статические характеристики биполярных транзисторов.......................49
Схема с общей базой..................................................................................49
Схема с общим эмиттером.........................................................................51
Влияние температуры на статические характеристики БТ....................52
Дифференциальные параметры биполярного транзистора....................54
Линейная (малосигнальная) модель биполярного транзистора..............55
Частотные свойства биполярного транзистора........................................58
Способы улучшения частотных свойств биполярных транзисторов….59
Работа транзистора в усилительном режиме...........................................61
Особенности работы транзистора в импульсном режиме......................62
Работа транзистора в режиме усиления импульсов малой амплитуды........................................................................................................62
Работа транзистора в режиме переключения...........................................63
Переходные процессы при переключении транзистора.........................64
4 Полевые транзисторы.................................................................................67
Полевой транзистор с p-n переходом.......................................................67
Полевой транзистор с изолированным затвором (МДП-ранзистор).....70