- •Классификация электронных усилителей
- •Режимы работы биполярного транзистора.
- •Принцип действия транзистора в основном активном режиме
- •Схемы включения транзисторов.
- •Статические характеристики транзисторов.
- •Статистические характеристики транзистора, включенного по схеме с об.
- •Семейство выходных характеристик
- •Статические характеристики транзистора, включенного по схеме с оэ.
- •Дифференциальные (мало сигнальные) параметры транзистора.
- •Определение низкочастотных h- параметров по характеристикам транзистора.
- •Динамический режим работы транзистора.
- •Принцип работы транзисторного усилителя.
- •Динамические (нагрузочные) характеристики.
- •Выходные динамические характеристики.
- •Входные динамические характеристики.
- •Динамические параметры.
- •Искажение сигналов.
- •Частотные искажения.
- •Нелинейные искажения.
- •Амплитудная характеристика. Динамический диапазон.
- •Режим работы электронных усилителей.
- •Режим а.
- •Режим в.
- •Режим ав.
- •Перечень используемых элементов.
- •Устройство прибора слмэ-80.
- •Сменная кассета №1. Блок предварительного усилителя.
- •Порядок выполнения работы.
- •2.Гравировка на лицевой панели указанна к кавычках
- •Содержание отчета
- •Литература.
Статические характеристики транзистора, включенного по схеме с оэ.
Семейство входных характеристик.
Входные характеристики транзистора, включенного по схеме с ОЭ, представляют собой графическую зависимость тока базы от напряжения базы при постоянном напряжении на коллекторе
Они приведены на рис.14
Рис.14
При , что равносильному короткому замыканию источника , оба р-п перехода оказываются включенными в прямом направлении, так как положительный полюс источника оказывается подключенным к р- областям эмиттера и коллектора, а отрицательный полюс - к базе. Существует инжекция дырок из эмиттера и коллектора в базу и в цепи базы протекает ток рекомбинации носителей , увеличивающийся с ростом напряжения . Следовательно, входная характеристика аналогична прямой ветви вольт-амперной характеристики диода.
Характеристика снята при отрицательном напряжении , смещается вниз. Действительно, при ,через базу протекает обратный ток коллекторного перехода , т.к. коллекторный переход включен в обратном направлении. При подаче напряжения , эмиттерный переход включается в прямом направлении, дырки инжектируют из эмиттера в базу, при этом часть дырок рекомбинирует в базе с электронами, возникает , направленный навстречу току . Тогда результирующий ток с увеличением напряжения будет возрастать (при , станет равным нулю).
Характеристики, снятые при различных отрицательных значениях напряжения , незначительно смещаются вправо и практически сливаются, так как напряжение мало влияет на ток базы. Поэтому в справочниках обычно приводятся две характеристики, снятые при нулевом и некотором номинальном напряжении на коллекторе (рекомендуемом в качестве рабочего для данного транзистора).
Семейство выходных характеристик.
Выходные характеристики транзистора, включенного по схеме с ОЭ, представляют собой графическую зависимость тока коллектора от напряжения на коллекторе , при постоянном токе базы
Они приведены на Рис.15
Рис.15
При токе базы, равном нулю , что равносильно разрыву цепи базы, через транзистор протекает так называемый сквозной ток транзистора равный
,
так как напряжение приложено ко всему транзистору.
В реальных схемах вывод базы не разрывают (чтобы ), а для запирания транзистора на базу подают небольшое положительное напряжение ( ). В этом случае оба р-п перехода оказываются в запертом состоянии ( режим отсечки ) и в цепи базы протекает ток.
.
Характеристики, снятые при (активный режим) смещаются вверх, т.к. ток коллектора при этом увеличивается согласно выражению
.
Физически это объясняется тем, что увеличение тока базы достигается увеличением тока эмиттера, частью которого он является.
При коллекторный р-п переход оказывается включенным в прямом направлении.
Через него протекает прямой ток, направленный навстречу инжекционному току коллектора и компенсирующий его (начальный участок характеристик), что соответствует режиму насыщения.