4) Эмиттерный переход включается в обратном направлении, а коллек-торный - в прямом

21 В какой схеме включения транзистора, с общим эмиттером (ОЭ) или общей базой (ОБ), увеличение температуры вызовет большее изменение тока?

1) В схеме с оэ и с об токи изменяются одинаково

2) в схеме с ОЭ

3) в схеме с ОБ

4) в схемах с ОЭ и с ОБ токи от температуры не зависят

22 В какой схеме включения R_вх больше: в схеме с общим эмиттером (ОЭ) или с общей базой (ОБ)?

1) R_вхОЭ меньше, чем_. R_вхОБ.

2) R_вхОЭ = R_вхОБ.

3) RвхОэ больше, чем RвхОб.

4) R_вхОБ больше, чем R_вхОЭ.

23 Указать физический смысл коэффициента α = h_21ОБ и его значение.

1) α – коэффициент передачи тока, α > 1

2) α – коэффициент, показывающий соотношение токов, α > 1

3) α – коэффициент передачи тока эмиттера, показывающий, какая часть дырок, инжектируемая из эмиттера, достигает коллектора, α < 1

4) α – коэффициент, показывающий соотношение сопротивлений, α < 1

24 Указать правильное соотношение собственных шумов и входных сопротив-лений биполярного и полевого транзистора.

1) биполярный транзистор обладает меньшим уровнем собственных шумов и меньшим входным сопротивлением, чем полевой

2) биполярный транзистор обладает большим входным сопротивлением и меньшим уровнем шумов, чем полевой

3) Биполярный транзистор обладает меньшим входным сопротивлением, большим уровнем шумов, чем полевой

4) биполярный транзистор обладает большим входным сопротивлением, большим уровнем шумов, чем полевой

25 У каких транзисторов биполярных или полевых больше Rвх и почему?

1. Rвх больше у полевых, так как p-n переход включен в обратном направлении

2. Rвх больше у биполярных, так как p-n переход включен в прямом направлении

3. Rвх больше у биполярных, так как биполярный транзистор обладает двумя переходами

4. правильного ответа нет

26 У каких полевых транзисторов МДП или с управляющим p-n переходом больше входное сопротивление (Rвх)?

1. Rвх больше у транзисторов с управляющим p-n переходом

2. Rвх больше у транзисторов мдп, так как затвор отделен от канала диэлектриком

3. Rвх не зависит от типа транзистора

4. правильного ответа нет

27 Какой из полевых транзисторов с управляющим p-n переходом или с изолированным затвором может работать с нулевым, отрицательным или положительным смещением?

1. с любым смещением может работать транзистор МДП

2. с любым смещением может работать полевой транзистор с управляю-щим p-n переходом

3. оба транзистор работают одинаково

4. Правильного ответа нет

28 Указать полевой транзистор среди приведенных условно-графических обозначений приборов.

1) 2) 3) 4)

29 Указать условно-графическое обозначение полевого транзистора с индуци-рованным каналом.

1) 2) 3) 4)

30 Указать условно-графическое обозначение тиристора.

1) 2) 3) 4)

31 Указать область применения тиристоров.

1) в качестве электронного ключа

2) в цепях электропитания устройств связи

3) в регуляторах освещения

4) все ответы верны

32 Какой прибор называется тиристором?

1. полупроводниковый прибор с двумя или тремя выводами

2. полупроводниковый прибор с тремя (и более) p-n переходами

3. прибор, обладающий переключающими устройствами

4. правильного ответа нет

33 Какой прибор называется симистром?

1. пятислойный тиристор, который может работать при любых полярностях приложенного к аноду напряжения

2. прибор, который применяют в цепях переменного тока

3. прибор, выполненный на основе полупроводникового материала

4. правильного ответа нет

34 При какой технологии изготовления интегральных схем получается большая степень интеграции?

1) пленочной

2) полупроводниковой

3) гибридной

4) совмещенной

35 Указать, к какому типу по конструктивно-технологическому признаку относится ИМС К147УН7.

1) полупроводниковая

2) гибридная

3) пленочная

4) совмещенная

36 На какой основе строятся гибридные интегральные схемы?

1. на сочетании полупроводниковой и пленочной технологий

2. на основе сочетания пленочной и полупроводниковой технологий и использовании дискретных элементов

3. на основе планарно-эпитаксиальной технологии

4. правильного ответа нет

37 В чем заключаются основные недостатки интегральных схем?

1. имеют малые размеры и массу, обладают высокой надежностью и быстродействием

2. имеют трудности в создании емкостей и индуктивностей, а также малые мощности (из-за сложности отвода тепла)

3. позволяют в единице объема разместить большое количество элементов

4. все выше перечисленное

38 В чем заключается важная особенность оптрона?

1. излучатель и приемник близко расположены друг к другу

2. вход и выход электрически не связаны между собой, так как связь осуществляется световым потоком

3. используется обратная связь

4. правильного ответа нет

39 Какие материалы используются для изготовления светодиодов видимого света?

1. германий и кремний

2. полупроводниковый материал с широкой запрещенной зоной ∆Wз ≈ 1,6-3,1 эВ

3. кремний, так как у него ∆Wз ≈ 1,12 эВ

4. правильного ответа нет

40 За счет чего происходит выделение световой энергии в полупроводниковых диодах?