- •Лабораторная работа № 1 исследование статических вольт-амперных характеристик диода и стабилитрона
- •Краткие теоретические сведения
- •Вольт-амперная характеристика диода
- •Основные параметры диода
- •Вольт-амперная характеристика стабилитрона
- •Основные параметры стабилитрона
- •Порядок выполнения работы
- •1. Исследование вольт-амперных характеристик диода
- •2. Исследование вольт-амперных характеристик стабилитрона
- •Режимы работы тиристора
- •Основные параметры тиристоров
- •Порядок выполнения работы
- •Вольт-амперные характеристики биполярного транзистора
- •Режимы работы биполярного транзистора
- •Схемы включения биполярного транзистора
- •Основные параметры биполярных транзисторов
- •Порядок выполнения работы
- •1. Исследование зависимости входного тока от входного напряжения биполярного транзистора при фиксированном выходном напряжении
- •2. Исследование зависимости тока коллектора транзистора от коллекторного напряжения
- •Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
- •Вольт- амперная характеристика полевого транзистора с управляющим р-n- переходом
- •Основные параметры полевых транзисторов с управляющим р-n-переходом
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •Вольт-амперные характеристики мдп-транзисторов
- •Основные параметры мдп-транзисторов
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Литература
Вольт-амперные характеристики мдп-транзисторов
Стоковые (выходные) характеристики полевого транзистора со встроенным каналом n-типа Ic =f(Uси) показаны на рис. 6б.
При Uзи=0 через прибор протекает ток, определяемый исходной проводимостью канала. В случае приложения к затвору напряжения Uзи0 поле затвора оказывает отталкивающее действие на электроны – носители заряда в канале, что приводит к уменьшению их концентрации в канале и проводимости канала. Вследствие этого стоковые характеристики при Uзи0 располагаются ниже кривой, соответствующей Uзи=0.
При подаче на затвор напряжения Uзи0 поле затвора притягивает электроны в канал из полупроводниковой пластины (подложки) р-типа. Концентрация носителей заряда в канале увеличивается, проводимость канала возрастает, ток стока Iс увеличивается. Стоковые характеристики при Uзи0 располагаются выше исходной кривой при Uзи=0.
Стоко-затворная характеристика транзистора со встроенным каналом n-типа Ic=f(Uзи) приведена на рис. 6б.
Стоковые (выходные) характеристики Ic=f(Uси) и стоко-затворная характеристика
Ic = f(Uзи) полевого транзистора с индуцированным каналом n-типа приведены на рис. 6б, 6в.
Отличие стоковых характеристик заключается в том, что управление током транзистора осуществляется напряжением одной полярности, совпадающей с полярностью напряжения Uси. Ток Ic = 0 при Uси=0, в то время как в транзисторе со встроенным каналом для этого необходимо изменить полярность напряжения на затворе относительно истока.
Рис. 6. Семейство стоковых характеристик (б);
стоко-затворная характеристика (в)
Основные параметры мдп-транзисторов
Параметры МДП-транзисторов аналогичны параметрам полевых транзисторов с
р-n-переходом.
Что касается входного сопротивления то МДП-транзисторы имеют лучшие показатели, чем транзисторы с р-n-переходом. Входное сопротивление у них составляет rвх =1012…1014 Ом.
Порядок выполнения работы
1. Нажатием кнопки «Тип прибора» подключить к измерительной схеме исследуемый полевой транзистор (5);
2. Установить Еоп=+12 В;
3. Переключить кнопкой, расположенной у дисплея мультиметра ► в режим, отображающий значения напряжения база-эмиттер Е2;
4. Установить напряжение на втором затворе E2=8 В;
5. Провести измерения при пяти значениях напряжения на базе Е1 выбираемых самостоятельно из диапазона 0,6-2,0 В, для этого:
5.1. установить выбранное значение E1;
5.2. переключить кнопкой ◄, расположенной у дисплея мультиметра, в режим, отображающий ток I3 и напряжение Е3;
5.3. прокручивая ручку потенциометра Е3, добиться появления на экране «точки максимума» (таких значений напряжения и тока, которые будут удовлетворять условию:
Р=I3·E3<20 мВт
где - мощность, рассеиваемая на коллекторе;
5.4. изменяя значение напряжения по убыванию с шагом 0,5 В, снять зависимость тока коллектора I3 от напряжения коллектора Е3 (при этом необходимо постоянно контролировать уровень напряжения на базе Е1 переключением кнопок у дисплея мультиметра ◄ ►);
6. По полученным значениям построить семейство выходных характеристик полевого транзистора (по оси ординат (Y) – ток I3; по оси абсцисс – напряжение Е3 (X));
7. Уменьшить в два раза напряжение на втором затворе E2;
8. Повторить исследования пункта 5 настоящего руководства;
9. Сравнить полученные в ходе работы результаты.