Ход работы

1. Измерения

1. Собрать схему представленную на рис. 7.

Рис. 7. Структурная схема измерений

Рис. 8. Принципиальная схема резисторного усилителя на биполярном транзисторе.

2. При помощи потенциометра R₁ - R₂ установить на коллекторе транзистора напряжение E_k  7 В.

3. С генератора низкочастотных колебаний на вход лабораторного макета подать сигнал с частотой 100 кГц и амплитудой U_б 2,5 В.

4. Варьируя постоянное напряжение на коллекторе (E_k), амплитуду входного сигнала (U_б) и сопротивление нагрузки (R_н) добиться работы каскада в недонапряжённом, граничном, перенапряжённом и сильно перенапряженном режимах. Зарисовать осциллограммы для четырех режимов, записать числовые значения соответствующих параметров E_k,U_б,R_н (измерение Rн производится мультиметром при отключении генератора от входа макета). По полученным осциллограммам определить угол отсечки импульсов тока в приборе.

5. Выбрав три значений Ek из диапазона 6-10 В подобрать такие значения сопротивления нагрузки (R_н) и амплитудя напряжения возбуждения (U_б), при которых каскад работает в граничном, недонапряженном и перенапряженном режимах. По результатам измерений заполнить табл.1.

Таблица 1

№п.п	Напряжение на коллекторе Ek [в]	Амплитуда входного сигнала Uб [в]	Сопротивление нагрузки Rн [в]	Амплитуда выходного сигнала Uк [в]	Режим работы
1	Ek1	Uб11	Rн11		Недонапряжённый
2		Uб21	Rн21		Граничный
3		Uб31	Rн31		Перенапряжённый
4	Ek2	Uб12	Rн12		Недонапряжённый
5		Uб22	Rн22		Граничный
6		Uб32	Rн32		Перенапряжённый
7	Ek3	Uб13	Rн13		Недонапряжённый
8		Uб23	Rн23		Граничный
9		Uб33	Rн33		Перенапряжённый

6. По данным табл.1 на выходных вольтамперных характеристиках транзистора (рис.9) построить нагрузочные прямые по постоянному и переменному сигналу, соответствующие трём режимам.

7. Используя нагрузочные пряные и данные таб.1 построить динамические характеристики усилительного каскада для трёх режимов работы (пример построения приведён на рис.10).

Рис.9. Выходная ВАХ транзистора КТ605Б

Рис.10. Пример построения нагрузочной характеристики транзистора