- •Курсовая работа
- •Введение
- •Выращивание кристаллов из расплава
- •Методы нормальной направленной кристаллизации
- •Метод Бриджмена
- •Метод зонной плавки
- •Система для индукционной зонной плавки германия Гидротермальное выращивание
- •Метод Чохральского
- •История
- •Характеристики метода
- •Этапы метода
- •Модификации метода
- •Сравнение с другими методами
- •Способ выращивания монокристаллов германия с использованием формообразователя
- •Способ Степанова
- •Способ выращивания монокристаллов германия методом осевого теплового потока вблизи фронта кристаллизации (отф)
- •Способ выращивания монокристаллов германия в форме дисков
- •Сущность изобретения
- •Осуществление изобретения
- •Заключение
- •Список литературы
Осуществление изобретения
Для выращивания монокристаллов германия в форме диска диаметром 180 мм и высотой 40 мм в графитовый тигель с внутренним диаметром 220 мм устанавливается графитовый формообразователь с внутренним диаметром 180 мм, имеющий отверстия в нижней части. В формообразователь загружается 5,62 кг зонноочищенного кристаллического германия. Загрузка расплавляется и расплав выдерживается при температуре плавления в течение 2 часов. Производится выращивание монокристала германия в кристаллографическом направлении [111], при этом температурный градиент у фронта кристаллизации поддерживается в пределах (10,0÷14,0) К/см. Для определения плотности дислокации, после окончания кристаллизации и остывания, монокристалл германия подвергается селективному химическому травлению. Средняя плотность дислокации составила 7·104 на см.
Заключение
В данной курсовой работе подробным образом были описаны основные способы получения монокристаллов германия, проблемы, связанные с производством и их решение.
Стоит обратить внимание на то, что в современном мире благодаря развитию в области электроники на сегодняшний день существует довольно большое разнообразие методов выращивания. При этом каждый из этих методов уникален в своем роде.
Выращивание кристаллов из расплава в настоящее время является наиболее распространенным промышленным процессом, так как по сравнению с другими методами методы выращивания из расплава обладают наивысшей производительностью.
Основным недостатком большинства методов являетя низкая степень чистоты выращиваемых монокристаллов (тигельные методы).
Расширение производства полупроводникового германия связано с совершенствованием применяемых технологий и установок.
Германий находит широкое применение во многих отраслях мировой промышленности и хозяйства, значит и разработка предприятия по его производству (в частности, выращиванию монокристаллов) и обработке является актуальной на сегодняшний день.
Список литературы
Journal of Siberian Federal University. Engineering & Technologies 3 (2013, 6) 324-333.
http://journal.sfu-kras.ru/en/series/technologies/2013/3
Получение профилированных монокристаллов и изделий способом Степанова. Антонов П.И., Затуловский Л.М., Костыгов А.С. и др. Л.: Наука, 1981. С.136-137, 171-175.
Gafni G., Azoulay M., Shiloh С. et al. Large Diameter Germanium Single Crystals for Infrared Optics // Optical Engineering. 1989. V.28. №9. Р.1003-1007.
http://opticalengineering.spiedigitallibrary.org/article.aspx?articleid=1223619
A.G.Ostrogorsky, H.J.Sell, S.Scharl and G.Muller. Convection and segregation during growth of Ge and InSb crystals by the submerged heater method, Journal of Crystal Growth, 128 (1993) 201-206
http://homepages.rpi.edu/~duttap/Publications/2000JCG217.pdf
S.V.Bykova, I.V.Frjazinov, V.D.Golyshev, М.А.Gonik, M.P.Marchenko, V.B.Tsvetovsky. Features of mass transfer for the laminar melt flow along the interface. J. Crystal Growth, 2002, vols. 237-239, pp.1886-1891
Википедия
http://ru.wikipedia.org/wiki/германий