- •Конденсатор
- •Емкость конденсатора
- •Электролитические конденсаторы
- •Конденсаторы построечные и переменной емкости
- •Условные обозначения конденсаторов
- •Катушки индуктивности, дроссели и трансформаторы
- •Основные параметры катушек индуктивности
- •Электронно-дырочный переход и его свойства
- •Полупроводниковые диоды
- •Конструкция полупроводниковых диодов
- •Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов
- •Стабилитроны
- •Варикапы
- •Классификация и система обозначений диодов
- •Биполярные транзисторы
- •Полевые транзисторы
- •Характеристики и параметры полевых транзисторов
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •Устройство и принцип действия динисторов
- •Оптрон (оптопара)
- •Классификация усилителей
- •Коэффициент усиления
- •Входное сопротивление
- •Измерение входного сопротивления
- •Выходное сопротивление
- •Измерение выходного сопротивления
- •Характеристики электронных усилителей
- •Обратная связь в усилителях
- •Последовательное и параллельное включение обратной связи
- •Операционные усилители
- •Схемы включения операционных усилителей
- •Логические элементы
Полевые транзисторы с изолированным затвором
Затворы полевого транзистора с изолированным затвором выполнены из пленки металла, которая изолирована от полупроводника слоем диэлектрика, в качестве которого применяется оксид кремния SiO2, поэтому их называют МОП и МДП. Аббревиатура МОП расшифровывается как металл - оксид - полупроводник. Аббревиатура названия МДП транзисторов расшифровывается как металл - диэлектрик - полупроводник. В зарубежной литературе МОП транзисторы называют MOSFET.
МОП транзисторы могут быть двух видов: со встроенным и индуцированным каналом.
Транзисторы со встроенным каналом. Основой таких полевых транзисторов является кристалл полупроводника из кремния p или n типа проводимости (рис. 8.9).
Рис. 8.9. Устройство транзисторов со встроенным каналом
Принцип действия полевых транзисторов с n типом проводимости таков. Под действием электрического поля между стоком и истоком через канал будут протекать основные носители зарядов, т. е. будет существовать ток стока Iс1. При подаче на затвор положительного напряжения Uзи > 0 электроны как неосновные носители зарядов подложки будут втягиваться в канал. Канал обогатится носителями заряда, и ток стока увеличится Iс2 > Iс1. При подаче на затвор отрицательного напряжения Uзи < 0 электроны из канала будут уходить в подложку, канал будет беден носителями зарядов, и ток стока уменьшится IсЗ < Iс1. При достаточно больших напряжениях на затворе Uзи < 0 все носители заряда могут из канала вытягиваться в подложку, и ток стока полевого транзистора станет равным 0, Iс4 = 0. Следовательно, МОП транзисторы со встроенным каналом могут работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения зарядов. На рис. 8.10 показана зависимость токов стоков от напряжения затвор исток и напряжения отсечки для транзисторов n и p типа проводимости.
Рис. 8.10. Токи стоков транзисторов со встроенным каналом
Транзисторы с индуцированным каналом. Устройство транзисторов с индуцированным каналом показано на рис. 8.11, а зависимость токов стоков от напряжений на затворах для транзисторов n и p типов проводимости — на рис. 8.12
Рис. 8.11. Устройство транзисторов с индуцированным каналом
Рис.8.12. Зависимость токов стоков от напряжений на затворах
При напряжениях на затворе, равных или меньше нуля, канал в транзисторе отсутствует, и ток стока будет равен 0. При положительных напряжениях на затворе полевого транзистора электроны, как неосновные носители заряда подложки p типа, будут притягиваться к затвору, а дырки будут уходить вглубь подложки, в результате в тонком слое под затвором концентрация электронов превысит концентрацию дырок. Следовательно, в этом слое полупроводник поменяет тип проводимости, образуется или индуцируется канал и в цепи стока транзистора потечет ток. Делаем вывод, что МОП транзисторы с индуцированным каналом могут работать только в режиме обогащения. МОП транзисторы обладают большим входным сопротивлением, чем транзисторы с управляемым переходом. Входное сопротивление МОП транзисторов может находиться в пределах от 1013 до 1015 Ом.