- •Министерство образования и науки рф
- •1.2.Статические характеристики биполярных транзисторов.
- •1.3.Динамические характеристики транзистора.
- •1.4.Полевые транзисторы.
- •1.4.1.Транзистор с управляющим «p-n» переходом.
- •1.4.2.Транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы).
- •2 Описание лабораторного стенда
- •3.1. Изучение полупроводниковых транзисторов.
- •4.6.Снять статические характеристики полевых транзисторов.
- •5.Содержание отчета.
- •6.Варианты заданий для выполнения лабораторной работы.
- •7.Вопросы к зачету по лабораторной работе.
5.Содержание отчета.
Отчет должен содержать:
- титульный лист,
- краткую теоретическую часть ( не более 2 страниц ),
- цель работы,
- электрическую схему стенда,
- таблицы, расчеты, графические зависимости,
- графоаналитический расчет транзисторного усилителя,
- вывод по результатам работы.
6.Варианты заданий для выполнения лабораторной работы.
Варианты |
RН(Ом) |
Динамические характеристики |
Графо-аналит. расчет п 4.11 | ||
UСМ (в) |
UВХ(в) |
| |||
Вариант 1 |
200 |
Биполярный |
0,5 |
0,2 sin ωt |
|
Вариант 2 |
500 |
Полевой с упр. "n-p" переходом. |
0,4 |
0,2 sin ωt |
|
Вариант 3 |
750 |
Полевой со встр.каналом каналомканалом |
0,3 |
0,3 sin ωt |
|
Вариант 4 |
1000 |
Полевой с индуц. каналом |
0,2 |
0,3 sin ωt |
|
Вариант 5 |
1200 |
Биполярный |
0 |
0,5 sin ωt |
|
Вариант 6 |
1500 |
Полевой с упр. "n-p" пер. |
0,2 |
0,1 sin ωt |
|
Вариант 7 |
1800 |
Полевой со встр. каналом |
0,3 |
0,2 sin ωt |
|
Вариант 8 |
2000 |
Полевой с индуц. каналом |
0,4 |
0,3 sin ωt |
|
Вариант 9 |
2200 |
Биполярный |
0,5 |
0,2 sin ωt |
|
Вариант 10 |
2500 |
Биполярный |
0,6 |
0,3 sin ωt |
|
7.Вопросы к зачету по лабораторной работе.
1.Классификация транзисторов.
2.Биполярные транзисторы. Принцип работы. Классификация. Основные параметры. Схемы включения транзисторов.
3.Статические характеристики биполярного транзистора.
4.Динамические характеристики биполярного транзистора.
5.Графоналитический метод расчета усилителя на транзисторах.
6.Полевые транзисторы. Принцип работы. Классификация.
7.Полевые транзисторы с управляющим «p-n» переходами. Статические характеристики.
8.МДП-транзисторы со встроенным каналом. Статические характеристики.
9.МДП-транзисторы с индуцированным каналом. Статические характеристики.
10.Отличие биполярных и полевых (униполярных) транзисторов.
8.Литература.
1.Лаврентьев Б.Ф. «Схемотехника электронных устройств» Учебное пособие с грифом МОиН РФ. Москва, изд-во Академия 2010г, 350стр.
2.Лаврентьев Б.Ф. «Общая электротехника» Учебное пособие с грифом УМО. Йошкар-Ола МарГТУ 2004г.
3.Опадчий Ю.Ф. и др. «Аналоговая и цифровая электроника», Радио и связь 1996г.