Задачи для самостоятельного решения

Задача 6.1.Полевой транзистор с управляющимp-nпереходом включён в усилитель по схеме с общим истоком (ОИ).I_Сmax= 2mA,S_max= 2mA/В,R_Н= 10 кОм. Определить коэффициент усиления по напряжению, еслиU_ЗИ=1В.

Рис. 6.2. Усилитель по схеме с общим истоком

Решение. Сначала определим напряжение отсечки:

В.

Определим крутизну характеристики транзистора при U_ЗИ=1В:

мА/В.

Тогда коэффициент усиления по напряжению составит:

.

Задача 6.2.Полевой транзистор с управляющимp-nпереходом включён в усилитель по схеме с общим истоком (ОИ). Напряжение отсечкиU_ОТС= 2 В, максимальный ток стокаI_Сmax= 1,8mA. При напряжении источника питания Е_С= 20 В ток стока составилI_С= 1mA, а коэффициент усиления по напряжению. Определить: напряжение смещенияU_ЗИ, крутизну характеристики в рабочей точкеS, сопротивление резистора в цепи истокаR_И, сопротивление нагрузкиR_C.

Решение.Напряжение смещенияU_ЗИможно определить, воспользовавшись формулой

. (6.1)

Подставим данные из условия задачи в формулу (6.1), получим:

,

и вычислим В.

Максимальную крутизну характеристики полевого транзистора рассчитаем по формуле:

мА/В.

Отсюда крутизна характеристики в рабочей точке:

мА/В.

Сопротивление резистора в цепи истока:

кОм.

Поскольку у полевого транзистора сопротивление канала Ri>>Rc, сопротивлениеRcможно определить из условия. Отсюда:

кОм.

Задача 6.3. У полевого транзистора с управляющим p-nпереходом при напряженииU_ЗИ=0,7 В иU_СИ= 10 В крутизна характеристикиS= 1mA/В. Чему равна крутизна характеристики этого транзистора при напряженияхU_ЗИ=1 В иU_СИ= 10 В, если напряжение отсечкиU_ОТС= 3 В?

Задача 6.4. Полевой транзистор с управляющим p-nпереходом включён в усилитель по схеме с общим истоком (ОИ). Определить сопротивлениеR_И, еслиU_ЗИ= 2 В,I_С= 1mA.

Задача 6.5. Полевой транзистор с управляющим p-nпереходом включён в усилитель по схеме с общим истоком (ОИ). Определить напряжение Е_С, еслиR_И= 10 кОм,I_С= 1mA,U_СИ= 4В.

Задача 6.6. Приведите схемы включения полевых транзисторов и их основные параметры: R_вх,R_вых,K_U.

Задача 6.7. Чем объясняются зависимости параметров биполярного и полевого транзисторов от частоты?

Рекомендуемая литература

1. Ревич Ю.В. Занимательная электроника. – 2-е изд., перераб. и доп. – СПб.: БХВ-Петербург, 2009. – 720 с.

2. Марголин В.И. Физические основы микроэлектроники: учебник для студ. высш. учеб. заведений / В.И. Марголин, В.А. Жабрев, В.А. Тупик. – М.: Издательский центр «Академия», 2008. – 400 с.

3. Бурков А.Т. Электронная техника и преобразователи: Учеб. для вузов ж.д. трансп. - М.: Транспорт, 1999. - 464 с.

4. Лачин В.И., Савелов Н.С. Электроника: Учеб. пособие. - Ростов н/Д: изд-во «Феникс», 2000. - 448 с.

5. Королев В.Г. Электронные устройства автоматики: Учеб. пособие. - М.: Высшая школа, 1991. – 183 с.

6. Опадчий Ю.Ф. и др. Аналоговая и цифровая электроника (Полный курс): Учебник для вузов / Ю.Ф. Опадчий, О.П. Глудкин, А.И. Гуров; под ред. О.П. Глудкина. - М.: Горячая линия - Телеком, 2000. - 768 с.

7. Либерман Ф.Я. Электроника на железнодорожном транспорте: Учебное пособие для вузов ж.д.транспорта.- М.: Транспорт, 1987.- 288 с.

8. Терехов В.А. Задачник по электронным приборам: Учебное пособие. 3-е изд., перераб. и доп. – СПб.: Издательство «Лань», 2003. – 280 с.