Виды памяти Постоянная память пзу

Этот вид памяти предназначен для хранения важнейших системных программ, в частности, программ начальной загрузки. Эта область памяти находится в диапазоне младших адресов (в пределах 1М) и обычно доступна только для чтения. Информация в ПЗУ записывается как слой кристалла и в дальнейшем не может быть изменена. Существуют программируемые и перепрограммируемые ПЗУ, запись данных в которые выполняется на специальных устройствах-программаторах, либо с помощью специальных сигналов ПК. На этом принципе работает распространённая сейчас для размещения BIOS флэш-память.

Оперативная память

ОП – вид памяти, к которому ЦП может обращаться непосредственно. Информация с ВЗУ становится доступной ЦП только после того, как будет записана в ОП.

ОП может строится из микросхем динамического (DRAM) или статического (SRAM) типа.

Статическая память имеет большее быстродействие, но и большую стоимость. Она реализована на статических триггерах (элемент имеет два устойчивых состояния). После записи бита в такую ячейку ячейка может пребывать в этом состоянии при наличии питания сколь угодно долго. Из-за сложности этих элементов плотность упаковки микросхем SRAM меньше, чем DRAM. Память SRAM имеет малое время доступа, но низкую удельную ёмкость и высокое энергопотребление. Поэтому на этой технологии обычно реализуется кэш-память.

Оперативная память обычно строится на микросхемах динамического типа из простейших элементов, состоящих из одного транзистора и одного конденсатора. Это обеспечивает возможность высокой плотности интеграции, малое энергопотребление и снижение стоимости. Но в такой памяти каждый элемент – разряжаемый со временем конденсатор, и для потери данных микросхема должна постоянно регенерироваться.

Конструктивно элементы ОП выполняются в виде отдельных модулей памяти – небольших плат с напаянными на них микросхемами, которые вставляются в разъёмы системной платы. Модули различаются конструктивом, ёмкостью, временем доступа и надёжностью. Конструктивно модули ОП м.б. выполнены по-разному: SIMM и DIMM. У SIMM контакты расположены только с одной стороны печатной платы памяти, у DIMM – с обеих сторон. В настоящее время стандартным способом сборки является DIMM.

Физическая структура оп

Рассмотрим упрощённую схему модуля ОП. Интегральные схемы памяти организованы в виде матрицы ячеек, каждая из которых имеет свой адрес и состоит из нескольких запоминающих элементов. Количество элементов определяется разрядностью. Каждый элемент предназначен для хранения одного бита данных. При матричной организации ОП реализуется координатный принцип адресации ячеек. Адрес ячейки поступает по шине адреса в регистр адреса, где он делится на две составляющие – координату Х и координату Y, которые записываются в соответствующие регистры микросхемы. Регистры соединены со своими дешифраторами. Выходы дешифраторов образуют систему горизонтальных (строки) и вертикальных (столбцы) линий, к которым подсоединены запоминающие элементы матрицы, каждый из них на пересечении одной горизонтальной и одной вертикальной линии.

По шине управления поступают сигналы, управляющие расшифровкой адреса и типа операции, а также ходом выполнения операции. При операции записи пришедшая по шине данных информация заносится в регистр данных, а затем в выбранную ячейку памяти. При операции чтения данные буферизуются в регистре данных, а затем помещаются на шину данных.

В схеме ОП можно выделить ядро (массив запоминающих элементов) и интерфейсную логику (регистры, дешифраторы, регенераторы и т.д.)

Структурная схема модуля ОП