КР_ПиПИИЭ_испр2_Матыяшкойть_А_И_990241

38. Контроль блока металлизации. Операция осуществляется на 100% пластин визуально и на 1 пластине из 10 под микроскопом МИИ-4 (или др.). Допускается не более 11 дефектных модулей. Не должно быть пятен, разводов, вспучивания Ме, капель Ме, отслаивания Ме. Адгезия оценивается методом царапания иглой с последующим контролем под микроскопом ММУ-3. Замер толщины проводится на контрольных пластинах на приборе МИИ-4.

39. Нанесение плазмохимического оксида. Операция предназначена для формирования пленки межслойного диэлектрика путем разложения гексаметилдисилозана в плазме ВЧ-разряда на установке УВП-2М, h=0,9 мкм. Замер толщины производится на эллипсометре RIGAKU (ЛЭМ-2, ЛЭМ-3).

40. Химическая обработка пластин. Производится на линии "Лада-1" в диметилформамиде + Н2О(1:2), t=2-3 мин., Т - комнатная.

41. Доснятие фоторезиста. (См. п.9.2) t=1-2 мин, Т=60±50 С.

42. Травление металла (V). Операция предназначена для снятия металлической маски с поверхности пластины после формирования рисунка в пленке межслойного диэлектрика.

43. Химическая обработка пластин.

44. Фотолитография 5 (металл). Операция предназначена для создания фоторезистивной маски первого уровня металлизации. (См. п.15).

45. Травление металла. Операция осуществляется на линии "Лада-1" в травителе: H2O+СН3СООН+НNО3+Н3РO4, t=4±1 мин, Т=35±5°С.

46. Снятие фоторезиста с пластин. Операция проводится на линии "Лада-1" в диметилформамиде. Время снятия в УЗ-ванне, t=5 мин. Затем промывка в деионизованной воде и сушка на центрифуге.

47. Высокотемпературная обработка (отжиг IV). Операция предназначена для вжигания Ме с целью улучшения характеристик контактов Ме-Si. Реализуется в диффузионной печи СДОМ в среде азота (250 л/ч),

Т=510°С, t=15 мин.

48. Химическая обработка. Линия "Лада-1", перикисно-аммиачный раствор при Т=75°С, затем вода деионизованная, t=2-3 мин, Т=25°С.

49. Контроль блока металлизации. Операция осуществляется на установке обеспыливания "Лада" под микроскопом ММУ-3. Контролируются 100% пластин визуально

11

CПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

[1]Основные теоретические положения (конспект лекций) / Баранов В.В

–Минск, 2007.

[2]Технология изделий интегральной техники: конспект лекций для студ. спец 39.02.02 [Электронный ресурс]. – Режим доступа: https://www.bsuir.by/m/12_113415_1_67125.pdf

[3]Технология интегральной электроники: учебное пособие по дисциплине «Конструирование и технология изделий интегральной электроники» для студентов специальностей производство РЭС”, ”Электронно-оптические системы и технологии” / Л.П. Ануфриев, С.В. Бордусов, Л.И. Гурский [и др.]; / Под общ. ред. А.П. Достанко и Л.И. Гурского.

–Минск: «Интегралполиграф», 2009 – с.: ил.

12