2. Маршрутный процесс формирования мдп ис
Рисунок 2.1 – КМДП-структура ИС
Маршрут изготовления КМОП ИС с p-карманом:
1. Подготовка исходной пластины.
2. Формирование маски для легирования карманов (Окисление 0,1 мкм -ФЛ №1 Окисление 0,05 мкм).
3. Ионное легирование B бором.
4. Разгонка кармана: Окисление + Отжиг, ЖХТ SiO2 до Si.
5. Формирование областей (n+-стоки, исток) и (p+- стоки, исток): ФЛ №2 + И.л. фосфором (n+ - стоки, исток) + ФЛ №3 + И.л. бором (p+ - стоки, исток) + Осаждение SiO2.
6. Предварительное окисление.
7. ЖХТ SiO2 - предварительного окисла.
8. Окисление под затвор (d=350-450 Å).
9. Избирательное травление SiO2 под контакты к истокам и стокам.
10. Формирование затворов: ФЛ №4+ПХТ Si* + Окисление («спейсеры»).
11. Формирование первого уровня металлизации: ФЛ №5 + ПХТ SiO2 в окнах + напыление Al+Si (сток, исток) и Mo (затвор) + ФЛ №6 (металл) + ЖХТ Al+Si [2].
Список использованных источников
[1] Бескорпусная герметизация ИС [Электронный ресурс] Режим доступа: https://mynameisgyry.narod.ru/3-5.html
[2] Технология интегральной электроники: учебное пособие по дисциплине «Конструирование и технология изделий интегральной электроники» для студентов специальностей “Проектирование и производство РЭС”, ”Электронно-оптические системы и технологии” / Л.П. Ануфриев, С.В. Бордусов, Л.И. Гурский [и др.]; / Под общ. ред. А.П. Достанко и Л.И. Гурского. – Минск: «Интегралполиграф», 2009. – с.: ил.