КР_ПиПИИЭ_Синяк_исправлено

p

n

n+

p

14.Снятие боросиликатного стекла. На линии "Лада-1" в НF. Операция предназначена для удаления поверхностного источника примеси с пластин. Производится в растворе НF на линии "Лада-1".

15.Контроль снятия стекла. Осуществляется на микроскопе МИМ-7 или ММУ-3 (ув.>240*)в 5 точках. Допускается: не более 10 светящихся точек

вполе зрения; не более 15 пятен по всей пластине; мелкая разноцветная сыпь по всей пластине.

16.Окисление высокотемпературное.

17.Контроль окисления и диффузии.

18.Фотолитография под глубокий коллектор.

19.Травление оксида.

20.Снятие фоторезиста.

21.Контроль пластин после фотолитографии.

22.Химобработка пластин.

23.Контроль химобработки.

24.Диффузия фосфора.

11

p

25.Снятие фосфоросиликатного стекла.

26.Контроль снятия стекла.

27.Напыление алюминия.

28.Химобработка в органических растворителях.

29.Контроль химобработки.

30.Контроль ВАХ. Измеряемые параметры:

−ток утечки Iут=0,5 мА на уровне 500 мВ;

−ток потребления при напряжении 5 В - 100 мА.

31.Вжигание алюминия. Операция предназначена для получения невыпрямляющего контакта металла с кремнием. Вжигание производится при температуре 450°С в течение 15 мин в атмосфере азота в диффузионной печи СДО-125/3-15,0. Загрузка 120 пластин.

32. Измерение статических параметров. Операция проводится с целью определения годных кристаллов по статическим параметрам. Используются автоматы разбраковки микросхем на пластине "Зонд-А1" "Зонд-А4М", автоматический зондовый манипулятор "АТ-100".

В процессе измерения необходимо контролировать:

−правильность установки зондов (след от каждого зонда должен занимать не более 1/4 контактной площадки и должен располагаться по краю, противоположному токоведущей дорожке;

−положение и величину маркировочной капли (капля должна располагаться по центру кристалла и занимать не более 1/2 его площади);

12

− правильность маркировки.

33. После разбраковки пластины просушить при 100°С в течение 10

мин.

Разбраковка кристаллов по внешнему виду. Пластины контролируются под микроскопом ММУ-3 (ув. > 80*) по дефектам металлизации и по дефектам диффузии, оксида и фотолитографии. Забракованные кристаллы маркируются краской. После разбраковки по внешнему виду пластины сушатся при 100°С в течение 15 мин.

13

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТИОЧНИКОВ

[1].Кузьмичёв А.И. Магнетронные распылительные системы. Кн.1 // Аверс (Киев). 2008.

[2].Белянин А,Ф., Пашенко П.В. Конструкции магнетронных распылительных систем (Обзор) II Техника средств связи, Сер. ТПО. 1992. Вып. 1-2. С. 6-27.//Белянин А.Ф., Пащенко П.В. Конструирование магнетронных распылительных систем, используемых для производства ГНС

иустройств функциональной микроэлектроники И Там же. С. 28-47. // Бесоногов В.В.. Житковский В.Д., Пащенко П.В., Елисеев А.Ю. Конструкции магнетронов для распыления металлов // Там же. С. 48-51.

[3].Васильев В. Ю. Свойства и применение диэлектрических тонких пленок в технологиях микроэлектроники: учебное пособие / В.Ю. Васильев. – Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2021. – 100 с.

[4].Проектирование и производство изделий электронной техники: пособие/ А. П. Достанко [и др.]. – Минск: БГУИР, 2017. – 80с.

14