- •Химическое осаждение из газовой фазы
- •Химическое осаждение из газовой фазы chemical vapor deposition, CVD
- •Химическое осаждение из газовой фазы chemical vapor deposition, CVD
- •Химическое осаждение из газовой фазы
- •Химическое осаждение из газовой фазы
- •Химическое осаждение из газовой фазы
- •Химическое осаждение из газовой фазы
- •Химическое осаждение из газовой фазы, стимулированное газоразрядной плазмой
- •Химическое осаждение из газовой фазы, стимулированное газоразрядной плазмой
- •Химическое осаждение из газовой фазы, стимулированное газоразрядной плазмой
- •Химическое осаждение из газовой фазы
- •Химическое осаждение из газовой фазы
- •Химическое осаждение из газовой фазы, стимулированное электронным лучом
- •Химическое осаждение из газовой фазы, стимулированное электронным лучом
- •Химическое осаждение из газовой фазы, стимулированное ионным лучом
- •Магнетронное
- •Магнетронное распыление
- •Магнетронное распыление
- •Молекулярно- лучевая эпитаксия
- •Молекулярно-лучевая эпитаксия (molecular beam epitaxy, MBE)
- •Молекулярно-лучевая эпитаксия (molecular beam epitaxy, MBE)
- •Молекулярно-лучевая эпитаксия (molecular beam epitaxy, MBE)
- •Молекулярно-лучевая эпитаксия (molecular beam epitaxy, MBE)
- •Молекулярно-лучевая эпитаксия (molecular beam epitaxy, MBE)
- •Молекулярно-лучевая эпитаксия (molecular beam epitaxy, MBE)
- •Молекулярно-лучевая эпитаксия (molecular beam epitaxy, MBE)
- •Гетероэпитаксиальный рост Ge на Si (001)
- •Рост Si наношнуров
- •Рост Si наношнуров
- •Рост Si наношнуров
- •Лазерная абляция
- •Лазерная абляция
- •Ионная имплантация
- •Ионная имплантация
- •Ионная имплантация
- •Ионная имплантация
Лазерная абляция
Абляция (от латинского ablatio - отнятие) – физико- химический процесс удаления вещества с поверхности или из объема твердого тела. Лазерная абляция – удаление (испарение) вещества с поверхности твердого тела (иногда жидкости) при воздействии на него лазерного излучения
Получение материалов и структур:
углеродные нанотрубки (при обработке лазерным лучом графита или смеси графита с металлическим катализатором (Co, Nb, Pt, Ni, Cu). В первом случае получаются многослойные, а во втором – однослойные структуры)
кремниевые наношнуры
тонкие пленки YBa2Cu3O7, многослойные
полупроводниковые структуры (метод получения –
импульсное лазерное напыление, pulsed laser deposition)
Лазерная абляция
Получение кремниевых наношнуров
температура синтеза 1200 °С диаметр 3 – 50 нм
Fe катализатор
механизм роста «пар-жидкость- твёрдое тело»
Ионная имплантация
Ионная имплантация
Внедрение ионов одного материала в пленку (подложку) другого материала с помощью ионной имплантации. Имплантированные атомы неравномерно распределены по толщине пленки – их концентрация максимальна на глубине, соответствующей проецированному пробегу ионов с выбранной энергией. Последующая термообработка имплантированных образцов производится для формирования кристаллитов. Применение ионной имплантации обеспечивает создание квантовых точек в виде нанокристаллитов и квантовых пленок в виде наноразмерных слоев.
Ионная имплантация
Получение преципитатов-FeSi2 в кремнии
Ионная имплантация
Получение преципитатов -FeSi2 в кремнии
Два типа преципитатов -FeSi2: первый тип - небольшие
образования круглой формы с диаметром около 15 – 30 нм и напряженными параметрами решётки, которые находились в приповерхностной области толщиной 150 – 250 нм. Второй тип – дискообразные преципитаты намного бóльших по размеру без искажений параметров решеток с диаметром 100 – 200 нм и толщиной 20 – 30 нм. Они находились на глубине 500 нм от поверхности.