книги / Электронные приборы

32. Будет ли в цепи коллектора транзистора проте­ кать ток, если Iэ = 0 , Uкв Ф07 [1, стр. 303]

1. Не будет из-за отсутствия инжекции дырок в базу.

2.Будет из-за наличия тока неосновных носите­ лей базы и коллектора через коллекторный переход.

33.Когда ток в цепи коллектора равен нулю при эмиттерном переходе, смещенном в прямом направлении? [1, стр. 303; 2, стр. 147]

1. При Uкв = 0 и отсутствии тока основных но­ сителей через коллекторный переход.

2. При смещении коллекторного перехода в пря­ мом направлении и компенсации токов основных

инеосновных носителей.

3. При Uкб= 0 и отсутствии тока неосновных носителей через переход.

34. Какой из обратных токов транзистора определя­ ется при нулевом токе базы? [1, стр. 309]

37. Какова связь между обратными токами коллек­ тора / кво и коллектор—эмиттер /кэо? [1, стр. 290]

38. Чем объяснить большее значение обратного тока эмиттера при Uкб = 0 в сравнении с обратным током при /к =0? [1, стр. 293]

<^КБ 3. / к — ccNIэ + ^эво ^кбо е, кТ

40.Чему равен обратный ток эмиттера транзистора

при замкнутых накоротко выводах коллектора и базы? [1, стр. 288]

41.Какие носители (электроны или дырки) инжек­ тируются в базу транзистора типа р-п-р? [1, стр. 283; 2, стр. 123]

1.Дырки. 2. Электроны. 3. Дырки и электроны.

42.Каковы соотношения между толщиной базы го транзистора и диффузионной длиной неосновных носи­ телей в базе? [ 1, стр. 289]

1.w = L, 2. о»C L . 3. te > L .

43.Что является причиной движения неосновных но­ сителей в баке к коллекторному переходу при малом уровне инжекции? [1, стр. 293]

1.Действие сил диффузии. 2. Действие электри­ ческого поля.

44. В каком случае наблюдается заметный дрейф неосновных носителей в базе бездрейфового транзисто­ ра? [2, стр. 135 (см. разъяснение)]

1. При малом уровне инжекции. 2. Никогда не наблюдается. 3. При высоком уровне инжекции.

4.Правильного ответа нет.

45.Как связан ток базы с токами эмиттера и кол­ лектора? [1, стр. 286; 2. стр. 125]

46. Укажите связь между коллекторным и базовым токами в транзисторе при коллекторном переходе, сме­ щенном в обратном направлении. [1, стр. 290]

47. Укажите связь тока базы с обратными токами и напряжениями на переходах транзистора. [1, стр. 286, 288, 302]

2. Зависят, причем токи возрастают с уменынением толщины базы.

3. Зависят, причем с ростом толщины базы токи пропорционально возрастают.

53. Что такое модуляция толщины базы коллектор­ ным напряжением? [1, стр. 295]

1. Изменение толщины базы при изменении кол­ лекторного напряжения вследствие изменения ширины коллекторного перехода.

2. .Влияние коллекторного напряжения на толщи­ ну базы в области вывода базы.

3. Изменение толщины базы из-за влияния кол­ лекторного напряжения на ширину эмиттерного перехода.

54. Укажите, как изменится распределение концен­ трации неосновных носителей в базе (например, кон­ центрации дырок р в транзисторе типа р-п-р) при изме­ нении напряжения на коллекторе, если сохраняется по­ стоянным эмиттерный ток. [1, стр. 295; 2, стр. 128]

55. Укажите, как изменится распределение концен­ трации дырок р в базе транзистора типа р-п-р при из­ менении напряжения на коллекторе, если сохраняется постоянным напряжение на эмиттерном переходе. [1, стр. 295; 2, стр. 128]

Дрейфовые транзисторы

Рассматриваются в основном отличия дрейфового транзистора от бездрейфового на основе одномерной идеализированной модели, отличающейся от модели бездрейфового транзистора только учетом дрейфа не­ основных носителей в базе.

60.Укажите график распределения потенциалов в-

транзисторе типа р-п-р в активном режиме. [1, стр. 338]

61.Существует ли в транзисторе в отсутствие токов, электрическое поле в базе? [1, стр. 339; 2, стр. 121]

1.Существует. 2. Не существует.

62.Каким о.бразом достигается электрическое поле в. базе транзистора? [1, стр. 339; 2, стр. 122]

1. Путем уменьшения концентрации примеси в базе с целью увеличения напряжения, падающегона области базы при протекании тока базы.

2.Путем неравномерного распределения примеси в базе.

3.Путем увеличения тока эмиттера и падения напряжения на области базы за счет дырочной составляющей тока эмиттера.

63.Укажите распределение концентрации избыточ*

3.dNo

дх

65. Под действием каких сил движутся неосновные

.■носители в базе транзистора к коллекторному переходу? J2, стр. 129, 130]

1. Под действием только диффузии.

2. Под действием только электрического поля.

3.Носители не испытывают действия сил и дви­ жутся по инерции.

4.Под действием диффузии и электрического поля,

66. Чему равна дрейфовая составляющая дырочного тока в базе транзистора на границе запертого коллек­ торного перехода? [2, стр. 129, 130]

1.Равна полному дырочному току.

2.Равна нулю.

3.Равна диффузионной составляющей тока.

4.Правильного ответа нет.

67.Какого порядка концентрация примеси в области коллектора в транзисторе? [1, стр. 338]

1.Того же порядка, что в области эмиттера.

2. Существенно меньше концентрации примеси в базе.

3.Того же порядка, что в области базы.

4.Того же порядка, что в бездрейфовом транзи­ сторе.

68. Как изменяется диффузионная составляющая дырочного тока в базе транзистора в направлении от эмиттерного перехода к коллекторному? [2, стр. 129, 130]

1.Уменьшается. 2. Возрастает. 3. Остается не­ изменной.

69.Какой из переходов в транзисторе является рез­ ким, а какой плавным? [1, стр. 338]

1.Оба перехода резкие.

2. Эмиттерный переход резкий, а коллекторный плавный.

3. Коллекторный переход резкий, а эмиттерный плавный.

4.Оба перехода плавные.

70.В каком транзисторе (дрейфовом или бездрей* фовом) сильнее проявляется эффект модуляции шири­ ны базы коллекторным напряжением? [2, стр. 198]

1.Сильнее в бездрейфовом транзисторе, так как. его база по отношению к коллектору более вы-- сокоомная.

2.Сильнее в дрейфовом транзисторе, так как его база по отношению к коллектору менее высоко­

омная.

3. Одинаково в дрейфовом и бездрейфовом транзисторах, так как указанный эффект не зависит от удельных электрических сопротивлений базы к- коллектора.

71. В каком транзисторе (дрейфовом или бездрей­ фовом) больший по величине накопленный избыточный заряд в базе при одинаковых эмиттерном токе и толщи­ не базы? (См. разъяснение)

1. Больше в дрейфовом транзисторе.

2. Заряды одинаковы в обоих транзисторах. 3: Больше в бездрейфовом транзисторе.

4.Правильного ответа нет.

72.Каково удельное электрическое сопротивление-

базы по отношению к удельному электрическому сопро­ тивлению коллектора в дрейфовом транзисторе в срав­ нении с бездрейфовым транзистором? [1, стр. 279, 281]

1.В дрейфовом транзисторе такое же как и & бездрейфовом.

2.В дрейфовом транзисторе выше по сравнению-

с бездрейфовым.

3. В дрейфовом транзисторе ниже по сравнению

сбездрейфовым.

73.Какой из транзисторов (дрейфовый или бездрейфовый) обладает лучшими высокочастотными свойства­ ми? [1, стр. 339]

1.Бездрейфовый транзистор.

2. Оба транзистора имеют одинаковые ВЧ свой­ ства.

3.Дрейфовый транзистор.

74.Укажите распределение концентрации дырок р в

базе дрейфового транзистора типа р-п-р в активном ре­ жиме (границе эмиттерного перехода соответствует = 0). [2, стр. 128]

75.В чем состоит особенность изготовления диффу­ зионно-сплавных транзисторов? [1, стр. 338; 2, стр. 198]

1.Оба перехода транзистора получают путем вплавления примесных навесок.

2.Коллекторный переход транзистора получают путем вплавления примесной навески, а эмиттерный — путем диффузии.

3.Коллекторный переход транзистора получают путем диффузии, а эмиттерный — вплавлением примеси.

4.Оба перехода получают путем диффузии при­ меси.

76.В чем состоит особенность изготовления конвер­ сионных транзисторов? [2, стр. 208]

1.Исходный материал содержит два рода приме­ сей, из которых одна обладает большим коэффи­ циентом диффузии и диффундирует в эмиттер при его вплавлении, образуя конверсионный слой — базу.

2.Исходный материал содержит два рода приме­ сей, одна из которых диффундирует в эмиттер при его вплавлении, а вторая — в коллектор при его вплавлении.

3.При вплавлении эмиттерной навески, содержа­ щей два рода примесей, примесь с большим коэф­ фициентом диффузии диффундирует глубже в ис­ ходный материал, образуя конверсионный слой — базу.

77.Каковы особенности конверсионных транзисторов? {2, стр. 208]