книги / Электронные приборы

20.Какова концентрация подвижных носителей в примесных полупроводниках по сравнению с концентра­ цией примесей при рабочих температурах? [1, стр. 200]

1.Концентрация подвижных носителей значи­ тельно меньше концентрации примесей.

2.Концентрация подвижных носителей приблизи­ тельно равна концентрации примесей.

3.Концентрация подвижных носителей значи­ тельно больше концентрации примесей.

21.Что такое диффузия носителей в полупроводнике? [1, стр. 218]

1.Движение носителей за счет электрического поля.

2.Хаотическое тепловое движение носителей.4

3.Движение носителей за счет разности их кон­ центраций.

22.Что такое дрейф носителей в полупроводнике? [1, стр. 214]

1.Движение носителей за счет электрического поля.

2.Хаотическое тепловое движение.

3.Движение за счет разности концентраций.

23.Как в большинстве случаев изменяется сопротив­ ление примесных полупроводников в диапазоне рабочих температур? [1, стр. 217]

1.С ростом температуры сопротивление умень­ шается.

2. С ростом температуры сопротивление увеличи­ вается.

3.Сопротивление от температуры не зависит.

8-2. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД

В этом параграфе рассматриваются свойства элек­ тронно-дырочного (р-п) перехода, который определяется как переходной слой между двумя областями полупро­ водника, одна цз которых имеет электропроводность n-типа, а другая — р-типа.

Предполагается, что р-п переход резкий, т. е. что нескомпенсированный объемный заряд ионов примесей со­

Ш

фовую составляющую тока подвижных носителей — ды­ рок из n-области в p-область и электронов из р-области в п-область — насыщенной, т. е. не зависящей от внеш­ него напряжения.

Предполагается также, что внешнее напряжение под­ водится непосредственно к р-п переходу, т. е.Чпри рас­ смотрении свойств перехода не учитывается сопротивле­ ние прилегающих к переходу слоев полупроводников. И, наконец, предполагается, что вольт-амперная харак­ теристика р-п перехода описывается экспоненциальным законом, т. е. не учитываются возможность наступления пробоя и падение напряжения на прилегающих к пере­

типа.

4. Слой, обедненный подвижными носителями за­ ряда на границе полупроводника.

2. Чём вызвано наличие объемного заряда в р-п пе­ реходе? [1, стр. 226; 2, стр. 5]

1.Перераспределением подвижных носителей в области р-п перехода.

2.Скачком потенциала в области р-п перехода.

3.Включением внешнего источника тока.

4.Перераспределением ионов в узлах кристалли­

ческой решетки.

3. Укажите, как распределен объемный заряд в р-п переходе. [1, стр. 226]

3.Равновероятно в обоих направлениях.

13.В каком направлении перемещаются дырки через р-п переход за счет диффузии? [1, стр. 230; 2, стр. 5]

1.Из p-области в «-область.

2.Из «-области в р-область.

3.Равновероятно в обоих.направлениях.

14.В каком направлении перемещаются электроны через р-« переход за счет электрического поля (каково направление дрейфа)? [1, стр. 226; 2, стр. 5]

1.Дрейф из p-области в «-область.

2.Дрейф из «-области в р-область.

3.Дрейф одинаков в обоих направлениях.

15.В каком направлении перемещаются дырки через р-п переход за счет электрического поля (каково на­ правление дрейфа)? [1, стр. 226; 2, стр. 5]

1.Дрейф из p-области в «-область.

2.Дрейф из «-области в р-область.

3.Дрейф одинаков в обоих направлениях.

16.Как изменится высота потенциального барьера р-п перехода при прямом включении? [1, стр. 230; 2, стр. 6]

Высота потенциального барьера:

1.Увеличится. 2. Не изменится. 3. Уменьшится.

17.Как изменяется высота потенциального барьера р-п перехода с ростом температуры? [1, стр. 228]

1.Увеличивается. 2. Уменьшается. 3. Не изменя­ ется.

18.Как изменяется толщина р-п перехода при обрат­ ном включении? [1, стр. 234; 2, стр. 8]

1.Уменьшается. 2. Увеличивается. 3. Не изменя­ ется.

19.Как изменяется высота потенциального барьера р-п перехода при обратном включении? [1, стр. 233; 2, стр< 6]

1.Увеличивается. 2. Не изменяется. 3. Уменьша­ ется.

20.Как изменяется толщина р-п перехода при пря­ мом включении? [1, стр. 231; 2, стр. 8]

1.Уменьшается. 2. Увеличивается. 3. Не изменя­ ется.

21.Чем объясняется изменение толщины р-п перехо­ да при включении внешнего источника? [1, стр. 231; 2, стр. 8 (см. разъяснение)]

1. Изменением структуры кристаллической ре­

шетки.

2.Перераспределением примесны'к атомов.

3.Нагреванием р-п перехода.

4.Изменением концентрации подвижных носите­ лей вблизи границы раздела полупроводников разной структуры.

5.Наличием тока через р-п переход.

22.Какими процессами определяется наличие барь­ ерной емкости р-п перехода? [1, стр. 245]

1.Изменением объемного заряда в р-п переходе при изменении напряжения.

2.Изменением концентрации неподвижных носи­ телей в области р-п перехода при изменении на­ пряжения.

3.Изменением тока основных носителей через р-п переход.

23.Какими процессами определяется наличие диф­ фузионной емкости у р-п структуры? [1, стр. 246]

1.Изменением объемного заряда в р-п переходе при изменении напряжения.

2.Перераспределением зарядов в областях, при­ легающих к p-ti переходу за счет инжекции и экстрации подвижных носителей.

3.Изменением концентрации неподвижных носи­ телей при изменении напряжения.

24.Какая емкость больше (барьерная или диффузи­ онная) при прямом смещении р-п перехода? [1, стр. 247]

1.Диффузионная емкость больше барьерной.

2.Диффузионная емкость равна барьерной.

3.Диффузионная емкость меньше барьерной.

25.Какая емкость больше (барьерная или диффузи­

онная) при обратном смещении р-п перехода? [I, стр. 246]

1.Диффузионная емкость больше барьерной.

2.Диффузионная емкость равна барьерной.

3.Диффузионная емкость меньше барьерной.

26.Как изменяется барьерная емкость при увеличе­

нии (по абсолютной величине) обратного напряжения на р-п переходе [1, стр. 246]

1. Уменьшается. 2. Увеличивается. 3. Не изменя­ ется. 4. Практически не меняется.

•27. Как изменяется диффузионная емкость с ростом прямого тока через р-п переход? [1, стр. 247]

1.Уменьшается. 2. Не изменяется. 3. Увеличива­ ется. 4. Слабо уменьшается.

28.Какова примерно высота потенциального барьера р-п перехода в равновесном состоянии у германия? [1, стр. 229]

1.0,01—0,05 В. 2. 0,05—0,1 В. 3. 0,3—0,4 В.

4.0,5—1 В.

29.Какова примерно высота потенциального барьера р-п перехода в равновесном состоянии у кремния? [1, стр. 229]

1.0,01—0,5 В. 2. 0,05—0,5 В. 3. 0,5—0,7 В.

4.0,8—1 В.

30.Что называется пробоем р-п перехода? [1, стр. 242; 2, стр. 40]

1.Разрушение перехода вследствие изменения концентрации примесей.

2.Возрастание диффузионного тока при больших обратных смещениях.

3.Резкое увеличение дифференциальной проводи­ мости при увеличении (по абсолютной величине) обратного напряжения.

4.Расплавление кристалла полупроводника.

31.Какой пробой перехода называется электричес­ ким? [1, стр. 243]

1.Пробой, обусловленный возрастанием прямого

тока.

2.Пробой, обусловленный ростом температуры перехода.

3.Пробой, обусловленный лавинным размножени­ ем носителей заряда или туннельным эффектом.

4.Пробой, обусловленный уменьшением (по абсо­ лютной величине) обратного напряжения.

32.Какой пробой называется лавинным? [1, стр. 243; 2, стр. 40]

1.Пробой, вызванный образованием лавины носи­

телей под действием сильного электрического поля.

2. Пробой, вызванный резким возрастанием пря­ мого тока.

3. Пробой, вызванный повышением темпера­ туры.

4. Пробой, вызванный уменьшением (по абсолют­ ной величине) обратного напряжения.

33. Какой пробой называется туннельным? [1, стр. 244; 2, стр. 44]

1.Пробой, вызванный резким возрастанием пря­ мого напряжения.

2.Пробой, вызванный туннельным эффектом.

3.Пробой, вызванный повышением температуры.

4.Пробой, вызванный уменьшением напряжен­

ности электрического поля в области перехода.

34.Какой пробой называется тепловым? [1, стр. 244]

1.Пробой, вызванный сильным электрическим по­ лем в области перехода.

2.Пробой, возникающий вследствие нарушения равновесия между рассеиваемым теплом и теплом, выделяемом в р-п переходе.

3.Пробой, возникающий вследствие увеличения прямого напряжения.

4.Пробой, возникающий вследствие уменьшения прямого тока.

35/ Какие виды пробоя являются обратимыми процес­ сами? (См. разъяснение)

1.Лавинный и тепловой. 2. Туннельный и тепло­ вой.

3.Лавинный и туннельный. 4. Тепловой.

36.Как зависит напряжение пробоя перехода от удельного электрического сопротивления слоев полупро­ водника, прилегающих к переходу? [1, стр. 243]

1.Увеличивается с ростом удельного электричес­ кого сопротивления.

2.Уменьшается с ростом удельного электрическо­ го сопротивления.

3.От удельного электрического сопротивления напряжение пробоя не зависит.

37.Как зависит напряжение туннельного пробоя от температуры? [1, стр. 243 (см. разъяснение) ]

1.Увеличивается с ростом температуры.

2.Уменьшается с ростом температуры.

5L От температуры не зависит.

38. ^.ак зависит напряжение лавинного пробоя от темпер&туры? [1, стр. 243 (см. разъяснение к вопросу 37)]

1.Увеличивается с ростом температуры.

2.Уменьшается с ростом температуры.

3.От температуры не зависит.

39.Что такое невыпрямляющий контакт? [1, стр. 241 (см. разъяснение)]

1.Контакт между двумя полупроводниками с раз­ ным типом проводимости.

2.Контакт, электрическое сопротивление которо­ го при одном направлении тока больше, чем при другом.,

3.Контакт, электрическое сопротивление которо­

го не зависит от направления и величины тока.

4.Контакт, электрическое сопротивление которого зависит от значения приложенного напряжения.

40.Что такое выпрямляющий контакт? [1, стр. 237 (см. разъяснение)]

1.Контакт между двумя металлами.

2.Контакт, электрическое сопротивление которого при одном направлении тока больше, чем при другом.

3.Контакт, электрическое сопротивление которо­ го не зависит от направления тока.

4.Контакт между двумя однотипными полупро­ водниками.

41.Что такое запирающий слой? [1, стр. 227]

1.Слой однородного полупроводника с большим удельным электрическим сопротивлением.

2.Слой полупроводника с большой концентрацией подвижных носителей.

3.Обедненный слой между двумя областями по­ лупроводника с различной структурой.

4.Слой в полупроводнике с большой концентра­ цией примесей.

42. Что такое инжекция носителей заряда? [1, стр. 230; 2, стр. 8]

1.Диффузионное движение основных носителей.

2.Дрейфовое движение основных носителей.

3.Движение носителей за счет электрического

поля.

4.Введение неосновных носителей через р-п пере­ ход при понижении высоты потенциального барь­ ера в области, прилегающие к нему.

43.Что называется уровнем инжекции? [1, стр. 232]

1.Значение концентрации инжектированных носи­ телей.