Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Разрушение твердых тел

..pdf
Скачиваний:
1
Добавлен:
19.11.2023
Размер:
31.02 Mб
Скачать

Ув, так как г* не должно сильно изменяться с температурой (см. табл. 3); это также не соответствует экспериментальным данным Гилмена. Кроме того, при приемлемых плотностях эмитт.ированных дислокаций вблизи вершины трещины (р 1012), расчетные значения у в оказываются примерно на порядок величины меньше измеренных, даже если мы примем, что величина действующего на движущуюся дислокацию напряжения сильно снижена —

в ]/ 5 раз, как это указывалось ранее. Наконец, и это наиболее важно,— данная модель мало применима для расчета работы, затрачиваемой на продвижение трещины в сплаве Fe с 3% Si и в других подобных материалах, в которых большая часть дефор­ мации происходит за счет активации скольжения от источников, расположенных вблизи плоскости скола.

Вернемся теперь к моделям, в основу которых положено сколь­ жение по плоскостям, прилегающим к плоскости скола (плоско­ сти трещины), вызываемое либо источниками Франка — Рида, либо размножением дислокаций при многократном поперечном скольжении; оба эти механизма приводят [уравнения (42) и (44)] к зависимости у в от скорости движения трещины, от тем­ пературы, при которой происходит продвижение трещины, и от плотности подвижных дислокаций, имеющихся в кристалле до начала развития трещины. Исходные положения для обеих моде­ лей одни и те же, кроме предположения о прямой пропорциональ­ ности между радиусом г' зоны пластической деформации, в ко­ торой дислокации движутся с высокой скоростью, и температурой

(г> = о.Т).

Это предположение в известной степени справедливо для сплава Fe с 3% Si, однако оно несправедливо для других мате­ риалов. Скорость движения дислокаций в большинстве, если не во всех кристаллах, зависит от температуры и поэтому во всех случаях следует писать — г' = аТпугде а > 0 , и п > 0 и различны для разных материалов. Таким образом, у в всегда обнаруживает известную зависимость от температуры.

Сравнивая работу, затрачиваемую на пластическую дефор­ мацию, в соответствии с обеими моделями, Гилмен [16], устано­ вил, что размножение источниками Франка — Рида приводит к весьма низким величинам у в и на основании этого пришел к за­ ключению, что условием пластичности материала должно быть многократное поперечное скольжение у вершины трещины. Од­ нако Гилмен в выведенном им уравнении (38) и в последующих уравнениях не учитывал базу / источников Франка-Рида и если учесть эту величину, как мы и сделали, можно получить вполне

приемлемые значения у в . На рис.

12 показано, что при

V0/V c =

= 500 и р = 10е величина у в /у s =

7 при 300° К, что

хорошо со­

гласуется с экспериментальными значениями yB/ys ~

3,

опреде­

ленными для продвижения трещины в сплаве Fe с 3% Si при ком­ натной температуре.

298

Мы исследовали также величину работы yBi затрачиваемой при пластическом течении, происходящем за счет многократного поперечного скольжения, используя коэффициент размножения 6 = 40, найденный Джонстоном и Гилменом [6] для размножения в LiF. Рис. 13 показывает, что если трещина не движется очень быстро (V0/Vc мало), величина ув очень чувствительна к темпе­ ратуре и будет очень большой, если плотность активных источ­ ников р = 106. Резкая зависимость ув от температуры и скорости связана с тем, что Т и V0IVCвходят в экспоненциальный член уравнения (44). Гилмен (22] показал, что плотность активных ис­ точников и LiF весьма низка и большинство ранее существовав­

ших («врожденных») дислокаций неподвижно.

Если плотность

активных источников в LiF принять

равной

102

(вместо 106),

то все значения, приведенные на рис.

13, следует

умножить на

коэффициент 10~4 и результирующее значение для ув или V0/Vc = =*= 103 будет находиться в хорошем соотношении с эксперимен­ тальными данными, полученными Гилменом [12]. Любой расчет может привести к приемлемым значениям ув, поэтому нет осно­ ваний отдавать предпочтение тому или другому способу расче­ та для определения критерия пластичности. Вместо этого мы считаем необходимым использование такой модели, которая ос­ нована на процессе разможения дислокаций, известном для каж­ дого данного материала.

Джонстон и Гилмен [6] показали, что размножение дислока­ ций в LiF происходит в результате многократного поперечного скольжения, и широкие полосы скольжения у вершин остановив­ шихся трещин в LiF (рис. 5) показательны для этого процесса. Отсутствие пластической деформации вдоль трещины показыва­ ет, что плотность активных (мобильных) источников весьма низка. Это, вероятно, является результатом сильного блокирова­ ния дислокаций в LiF [17], в результате которого источники могут быть разблокированы лишь при очень медленном движении тре­ щины и с большим трудом. Мы уже ранее видели, что экстенсив­ ное пластическое течение может происходить лишь в том случае, когда дислокации втягиваются в трещину, а не эмиттируются от нее; отсюда следует, что необходимым условием высокой пла­ стичности является высокая плотность активных источников дис­ локаций на плоскостях скольжения, пересекающих плоскость скола под углами л > ф > я/2. По-видимому, хрупкость LiF свя­ зана не с отсутствием возможности размножения дислокаций, а с низкой плотностью активных источников дислокаций.

Ямки травления вокруг остановившейся трещины в сплаве Fe с 3% Si указывают на то, что скольжение происходит в результа­ те зарождения источников Франка — Рида, а не перемещения дислокаций, эмиттированных от вершины трещины. В этом слу­ чае можно применить уравнение (42) и ув будет пропорциональ­ на р3/а Относительно легкое разблокирование дислокаций воб-

299

ласти вершины трещины показывает, что большинство заранее имеющихся («врожденных») дислокаций подвижны. Пластиче­ ское течение по плоскостям, прилежащим к движущейся трещи­ не (рис. 16), подтверждает эту точку зрения.

В заключение мы можем сказать, что пластичность данного кристалла, независимо от того, какой процесс размножения дис­ локаций в нем происходит, наиболее сильно зависит от плотно­ сти активных (мобильных) источников дислокаций. Кристаллы с ионными или ковалентными связями должны быть хрупкими по следующим причинам: 1) они имеют низкую плотность «врожденных» дислокаций; 2) «врожденные» дислокации на­ столько сильно заблокированы, что они не могут легко действо­ вать как источники Франка — Рида, или размножаться путем по­ перечного скольжения. Металлы характеризуются тенденцией обладать более высокой плотностью «врожденных» дислокаций и, если эти дислокации сильно не заблокированы атомами при­ месей (как в о. ц. к. металлах при низких температурах), боль­ шинство из них может действовать как источники дислокаций,

ипоэтому может наблюдаться пластичность и чувствительность

книзкой скорости деформации.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Теоретически исследовано движение дислокаций у вершины движущейся трещины с использованием соотношения между на­

пряжением

в области вершины трещины (ас) и

скоростью

(К) движения дислокаций в монокристаллах сплава Fe с 3%

Si.

Показано,

что петли дислокаций могут зарождаться

либо

при

вершине движущейся трещины, либо источниками дислокаций в плоскостях, прилегающих к вершине трещины. Рассмотрен диа­ метр, до которого расширяются указанные петли дислокаций в переменном поле напряжений, создаваемом движущейся трещи­ ной, и показано, что этот диаметр зависит в первую очередь от температуры и от скорости движения трещины. Линейное натя­ жение эмиттированных петель дислокаций стремится стянуть их, если их диаметр, который также изменяется с температурой, не превышает критического значения; скорость движения трещины должна уменьшаться с понижением температуры, если эмиттированные петли дислокаций оказываются стабильными. Было показано, что работа, затрачиваемая на эмиттирование этих пе­ тель, весьма мала. g

Затем исследовано дижение дислокаций, зарождающихся от ранее существующих источников в плоскостях, близких к плоско­ сти скола. Показано, что пластическая деформация, вызываемая этими дислокациями, может быть значительно большей, чем вы­ зываемая петлями дислокаций, эмиттированных вершиной тре­ щины, вследствие того, что последние движутся от трещины с уменьшающейся скоростью, в то время как дислокации, порож300

Даемые источниками, движутся к трещине с возрастающей ско­ ростью. Величина пластической деформации, вызываемой источ­ никами зарождения, будет наибольшей, если: 1) большое число источников являются активными; 2) дислокации движутся в на­ правлениях (плоскостях), имеющих компоненту (скорости), ко­ торая такая же, как и в направлении движения трещи­ ны; 3) скорость движения дислокаций примерно та же, что и ско­ рость продвижения трещины. Было найдено, что теоретические расчеты дают результаты, хорошо подтверждаемые картинами распределения ямок травления, наблюдаемых вокруг микротреЩин в сплаве Ве с 3% Si. Была вычислена работа, затрачиваемая на движение и размножение дислокаций у вершины движущей­ ся трещины, и было показано, что либо источники Франка — Ри­ да, либо процесс многократного поперечного скольжения могут •вызвать значительное пластическое течение у вершины трещины. Работа, затрачиваемая на пластическую деформацию, осуществ­ ляемую любым из этих процессов, зависит от скорости движения трещины, температуры и плотности активных источников. Сделано заключение о том, что 'плотность активных источни­ ков— наиболее важный параметр, определяющий пластичность кристалла, и что низкая пластичность кристаллов с ионными и ковалентными связями связана с низкой плотностью в них под­ вижных дислокаций.

 

 

 

 

 

ЛИТЕРАТУРА

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.

О го w a n

Е.

Repts. Progr. Phys., 1948, v.

12,

p. 185.

 

 

 

 

 

2.

M o t t

N.

F.

Engineering, 1948, v.

16, p.

2.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3.

I n g l i i s

C. Trans. Inst. Naval-Architecture,

L., 1913,

 

v. 55, p.

219.

 

 

4.

S a c k

R. A. Proc. Phys. S!oc.,

1946, v. 58, p. 729.

 

 

 

 

 

 

 

5.

F г i e d e 1 J. Fracture, Wiley, N1. Y.,

1959, p.

498. [ Ф р и д е л ь

Ж . В

сб.

«Атомный механизм разрушения». Металлургиздат,

1063, с. 504].

 

 

 

 

6.

J о h n s t о n W. G. a. G i 1ш a n J. J. J. Appl. Phys.,

1959,

v. 30,

р.

129.

7.

G i 1m a n

J.

J1. J. Appl. Phys.,

1959,

v. 30, p.

193.

 

 

 

 

 

 

 

8.

S t e i n

 

D.

F.

a. J'. R. -Low. Jr. Phys., 1960,

v.

31, p.

 

362.

 

 

 

 

 

9.

P e a c h

 

M. O. a. J. S'. K o e h l e r ,

Phys. ‘Rev.,

1950, v. 80, p. 436.

 

 

10.

C o t t r e l l

A. H. Dislocations and Plastic

Flow in

 

Crystals.

Oxford,

1953. [ К о т т р е л л

A. X. Дислокации и пластическое

течение

в кристаллах.

-Металлургиздат,

1958].

 

 

 

 

л

 

 

 

 

 

 

 

 

 

11.

S n e d d o n

Г. N. Proc. Roy. Soc., 1946, v.

А187,

р.

229.

 

 

 

 

 

12.

G i l m a n

J!.

J1. J. Appl. Phys.,

1960,

v. 31,

p.

2208.

 

 

 

 

 

 

 

13.

G i l m a n

J. J. Trans. АГМЕ,

1947,

v. 209,

p.

449.

 

 

 

 

 

 

 

14.

E r i c k s о n

J. S. J. Appl. Phys.,

1962, v. 33,

p.

2499.

 

 

 

 

 

15

C o t t r e l l

A. H. Conf. High Rates Strain,

AIME, 1957.

 

 

 

 

 

16.

G i l m a n

J. J. Symp. Crack

Propagation,

Cranfield,

September,

1961.

17. J o h n s t o n

W. G. J. Appl. Phys., June, 1962.

 

 

 

 

 

 

 

 

18.

A l l e n

N. P. a. o. Proc. 'Roy.

Soc.,

1956,

v. A234, p.

221.

 

 

 

 

19

L o w

J.

R. jr. Relation of Properties to

Mic-rostructural,

ASM,

Cleve­

land, Ohio, 1953, p. 163.

 

 

N. Y.,

1959,

p.

91.

rv

 

гг

 

т

20.

H a h n

G. T. a. o. Fracture, Wiley,

[ Ха н

Дж.

T.

л др. В сб. «Атомный механизм

разрушения». Металлургиздат,^1963,, с. 109].

21.

Т е t e l m a n

A. S. a. R o b e r t s o n

W. D. Trans. AiM E, 1962, v. 224,

^ 722.

G i l m a n J.

J. J. Appl.

Phys., 1959,

v. 30, p. 1584.

ХРУПКОЕ РАЗРУШЕНИЕ И ПЛАСТИЧЕСКОЕ ТЕЧЕНИЕ НЕМЕТАЛЛИЧЕСКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ

ВВЕДЕНИЕ

Основной темой конференции по разрушению в Свампскотте12 Пыла связь между разрушением сколом и пластическим течени­ ем. Ниже дан краткий исторический обзор этой проблемы. В клас­ сических теориях хрупкого разрушения вязких кристаллических: материалов разрушение сколом и пластическое течение рассмат­ риваются как независимые процессы, характеризуемые напряже­ ниями а (разрушающее напряжение) и оу (предел текучести), соответственно. Разрушение сколом происходит при достижении напряжением растяжения критического значения сг*. При изуче­

нии хрупкого разрушения стали [1] был установлен тот важный факт, что напряжение хрупкого разрушения стали приблизитель­ но равно пределу текучести. Были получены многочисленные до­ казательства того, что микротрещины образуются на пересече­ ниях полос скольжения или полос двойников [2]. Поэтому пред­ ставляется естественным заключение о том, что пластическое те­ чение играет существенную роль в процессе хрупкого разруше­ ния как возбудитель разрушения сколом [3].

Если предположить существование концентраторов напряже­ ний в вязком кристалле, то очевидно, что еще до общего течения кристалла должно начаться локальное пластическое течение,, приводящее к зарождению и росту трещин. Хрупкость такого ро­ да у пластических материалов иллюстрируют испытания образ­ цов с надрезами. Надрез создает трехосное напряженное состоя­ ние (трехосное растяжение), которое повышает локальное напря­ жение, необходимое для пластического течения, до уровня Sou (S « 3). Пусть коэффициент концентрации напряжений равен q\. тогда для достижения критического разрушающего напряжения о* достаточна величина приложенного напряжения сгf = a * / q .

В соответствии с классическими теориями точка пересечения кри­ вых o*f и Soy дает критическую температуру (TN) перехода в

хрупкое состояние образцов с надрезом (рис. 1) [4]. На основа­ нии механизма разрушения, инициируемого течением, можно* предсказать, что разрушающее напряжение при температурах ниже TN должно изменяться с изменением температуры локаль­ ного предела текучести согласно кривой (оу) L = Soy/q (пунктир.

1 Т. S u z u k i , Н. Kojima.

2 Ргос. Intern. Conf. At. Mech. Fracture, Swampscott, Mass, 1959. (CM. C 6 . «Атомный механизм разрушения», Металлургиздат, 1963).

(рис. 1). В образце без надреза это происходит при температурах ниже Гв.

Такая интерпретация разрушения вязких материалов представляется оправданной, однако дальнейшее изучение вопроса имеет смысл, ибо еще нет полной уверенности в том, что теория

пластического инициирования хрупкого ^разрушения является единственным объяснением хрупкого разрушения даже для кри­ сталлов с пониженной вязкостью. Кроме того, неясно, каким образом перемена направления скольжения, т. е. пластическая релаксация, влияет на основной процесс разрушения и критерии разрушения.

Эксперименты проводились на кристаллах германия, подвергну­ тых испытаниям на изгиб в широ­ ком диапазоне температур. Для сравнения приводятся результаты испытаний кристаллов MgO (ма­ териала более вязкого, чем гер­ маний). Предлагаются новые критерии разрушения.

ПЛАСТИЧЕСКОЕ ТЕЧЕНИЕ ГЕРМАНИЯ И ОКИСИ МАГНИЯ

Испытания на

изгиб по трех-

и четырехточечной

схеме нагру­

жения были проведены на маши­ не Инстрон. К подвижной голов­ ке машины крепилась специаль­ ная вакуумная печь или криостат для гелиевых температур.

Рис. 1. Критерии разрушения для-

материала,

имеющего концентра-

торы напряжения:

пунктир —

кривая разрушающего-

напряжения, предсказываемая тео­

рией инициирующего влияния;

Тк — температура перехода в

хрупкое состояние надрезанных образцов, определенная по пере­

сечению кривых O f и S o y m, T D и

Т в — определяются подобным же образом по пересечениям кривых

Кристаллы германия выращи­

<Jf/ q и O f

с О у

 

 

вали

методом

вытягивания из

 

 

 

 

 

 

расплава, затем из них алмазным

 

 

 

 

размером

кругом вырезали образцы в форме параллелепипедов

20 X 3 X 1 мм. Образцы подвергали химической полировке в рас­

творе СР-4, очищали

промывкой

в 10%-ном

растворе

KCN

и отжигали в вакууме при 920° С в учение 3 ч.

Плотность дис­

локаций в исходном состоянии составляла ~

104 см~2.

Образцы

содержали

(2 — 0,7) • 1016 см~г примесей— индия, галлия, мышь­

яка.

Такое

количество примесей

оказывает

малое

влияние на

механические

свойства и потому их можно не учитывать. Ориен­

тация образцов была

такова, что плоскость

скольжения

(111)

составляла

с верхней

и нижней

поверхностями

образца

углы

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

303

45°, а направление скольжения {110] совпадало с боковой поверх­

ностью (112).

Кристаллы кремния, также изготовленные методом вытягива­ ния. содержали 6- 1016 см~г фосфора, а плотность дислокаций составляла ~200 см~2. Образцы из кристаллов кремния изготав­ ливали аналогично образцам из германия, за исключением того, что их не подвергали термической обработке. Для рентгенографи­ ческих исследований из кремния и германия также изготавлива­ ли специальные образцы, более тонкие, чем указанные выше.

Кристаллы MgO были получены фирмой Norton Со. Плот­ ность дислокаций в них достигала 105 см~2. Концентрация основ­ ной -примеси (железа) составляла, по данным химического ана-

Рис. 2. Зависимость

разрушающего напряжения

(а/), предела

текучести ( о у )

и напряжения

трения решетки (ат ) от темпе­

ратуры

для

MgO.

Скорость

деформации при

испытаниях

 

 

 

2 -10-5 с е к ~ 1:

 

I — образец, полученный раскалыванием; 2 — образцы, охлажденные

от 750° С

со скоростью

0,4 град/сек\ 3 — образцы, охлажденные от

750° С со скоростью 0,06 град/сек\ 4 — химически полированные образцы

лиза, 0,003%. Образцы того же размера, что и германиевые, из­ готавливали раскалыванием крупных кристаллов. Образцы испытывали в четырех состояниях: 1) непосредственно после по­ лучения раскалыванием; 2) после химической полировки; 3) отожженные при 750° С в течение 3 ч и затем охлажденные оо

скоростью 0,4 град/сек; 4) отожженные при 750° С и

охлажден­

ные со скоростью 0,06 град/сек.

 

Полученные диаграммы деформации и значения предела теку­

чести для MgO при температурах от 850° С и выше

находятся

в хорошем соответствии с данными других исследователей [5, 6]. Наиболее важные факты, установленные в данном исследовании:

1. Предел текучести заметно возрастает выше 600° С (рис. 2). Каждое измерение проводили после выдержки 30 мин при ука­ занных температурах.

3 0 4

2.Указанное повышение предела текучести сопровождается прерывистым течением (рис. 3).

3.Увеличение предела текучести может быть смещено к более низким температурам (рис. 4).

Рис. 3. Кривые деформации MgO для различных темпера­ тур. Скорость деформации 2* 10-5 сек~К Максимальное рас­ тягивающее напряжение и деформация на поверхности образцов получены по формулам упругого изгиба в произ­ вольных единицах:

а — напряжение, равное 49 Мн/м2 кГ1мм*)\ б — деформация 0,10/»

Рис. 4. Влияние отжига при 750° С на кривые деформации MgO при низких температурах. Скорость деформации 2 -10-5 сек - 1:

а — образец, полученный раскалыванием,

неотожженный; б — отожженный при 750° С 3 ч и быстро охлажденный перед испыта­

нием при 250J С

Рис. 5. Влияние деформационного старения при 750° С в MgO. Образцы подвергали старению в течение 1,67 н после начальной деформации и затем снова испытывали при той же темпе­

ратуре

4. Выше 600° С наблюдается деформационное старение

(рис. 5).

5. Предел текучести и пластичность химически полированных образцов и образцов, быстро охлажденных от 750° С, почти оди­ наковы (см. рис. 2).

20 Зак. 351

305

6. Образцы, охлажденные от 750° С с более низкой скоростью, имеют сниженный предел текучести ниже 250° С (см. рис. 2).

Эти результаты показывают, что отжиг при 750° С существен­ но изменяет распределение примесей, или картину блокирования дислокаций. Результат, указанный в п. «6», указывает на некото­

рое перестаривание.

 

Термическая обработка не вносит столь резких

изменений

в кристаллы MgO, как термическая обработка при

1500° С, не­

давно исследованная Стоксом. Исследованные им кристаллы обладали после указанной обработки чрезвычайно высокой проч-

Рис. 6. Кривые деформации для германия при различных температурах. Максимальное растягивающее напряжение и деформация на поверхности получены по формулам упруго­ го изгиба в произвольных единицах. Скорость деформации 2 -10-5 сек~1

ностью. Стокс считает, что такая обработка приводит к раство­ рению дисперсных частиц и уничтожению почти всех дислока­ ционных источников, за исключением неподвижных врожденных источников.

Результаты, полученные для кристаллов германия, показаны на рис. 6 и рис. 7. Текучесть германия несколько выше, чем MgO. Однако эффект деформационного старения практически обнару­ жен не был. Отсюда следует, что механизм, вызывающий теку­ честь у германия, отличается от такого механизма для MgO. Од­ нако он может быть сходен с механизмом для MgO, полученным Стоксом (т. е. пластическая деформация может происходить в результате зарождения скольжения в областях кристалла, кото­ рые в других отношениях совершенны).

Джонстон [7] недавно рассмотрел механизм текучести; он считает, что если скорость движения и размножения дислокаций достаточно велика, так что скорость пластической деформации кристалла успевает за перемещением захвата машины, прило­

женная нагрузка должна падать, что вызывает появление зуба и площадки текучести.

306

Однако из описанных «выше фактов следует, что, возможно, механизм текучести данного MgO совершенно отличен. Представ­ ляется мало вероятным, чтобы в германии действовал этот меха­ низм текучести, поскольку определенный физический смысл, который можно приписать пределу текучести, не следует из тео­ рии Джонстона К

Рид [8] еще несколько лет назад рассмотрел слу­ чай пластического изги­ ба, исходя из соображе­ ний статики. Пусть оу— критическое напряжение, вызывающее скольжение, а От — напряжение тре­ ния решетки, препятст­ вующее движению дисло­ каций. Согласно теории Рида, данные испытаний на изгиб позволяют раз­ делить оу и от :

°у = 3hM0i/rl

am= * / 3(М/М„)о„,

где М0 — изгибающий мо­

Рис. 7. Зависимость разрушающего на­

мент на единицу ширины

пряжения (а/), предела текучести (ау)

и напряжения трения решетки (от ) от

образца (параллельно оси

температуры для германия. Первые два

изгиба), М — асимптоти­

испытания (/,

I I ) проведены

по трехто­

ческое значение изгибаю­

чечной

схеме

изгиба, третье

( I I I ) — по

щего

момента при отсут­

 

четырехточечной:

 

/ —

легирован In, скорость деформации

ствии

деформационного

2 • 10—5 сек-'\ 2 — легирован Ga,

скорость де­

упрочнения; 2г0 — толщи­

формации 2-10—5 сек~]\ 3 — легирован Ga,

скорость

деформации 6-10-4

сек- 1

на образца.

Возвращаясь к результатам, полученным для MgO, можно отметить, что напряжение трения решетки не зависит от описан­ ных вариантов термической обработки, что является убедитель­ ным подтверждением теории Рида. Небольшие изменения скоро­ сти деформации также не оказывают влияния на напряжение тре­ ния (рис. 8).

В табл. 1 даны значения критического касательного напря­ жения и «сопротивления трения» решетки Для германия и MgO,1

1 В л. И н д е и б о м, В. Г. Г о в о р к о в , В. С. П о п к о в и В. Р. Р е - г е л ь (Физика твердого тела, т. 6, 1964, в. 4) показали хорошее соответствие явления текучести в германии с теорией, в основном соответствующей модели

Джонстона. Прим. ред.

20*

307