книги / Сверхвысокие частоты. Основы и применения техники СВЧ
.pdfразличных энергетических уровней Еи Е2, Е3, относятся как
: е/Г2 : <^3 '■ = |
|
= exp (— ЕJkT) : exp (— E2fkT): exp (— EJkT) : |
(58) |
(k — постоянная Больцмана, T— абсолютная темпера тура). Для того чтобы процесс индуцированного излу чения обеспечил усиление переменных полей, необходимо температурное равновесие материи нарушить в том смысле, что на некотором верхнем энергетическом уров не должен быть запасен избыток энергии по сравнению со случаем термодинамического равновесия. Действуя на такую энергетическую систему, переменное поле мо жет вызвать излучение кванта. Если при этом процессе количество квантов, излученных под действием перемен ного поля, больше, чем количество поглощенных квантов, то энергия переменного поля возрастает и оно усили вается.
«Перевертывание» соотношения заселенностей энер гетических уровней материи (инверсная заселенность) может быть достигнуто различными способами. В газе, например, этого можно добиться действием неоднород ного статического электрического или магнитного поля на свободно летящий атом или молекулу (эффект Штарка и эффект Зеемана). В важнейшем для техники связи типе молекулярных усилителей, в так называемом трех уровневом мазере, инверсия заселенности уровней по лучается другим способом. Здесь активными частицами служат парамагнитные ионы, которые в виде примесей в малых количествах вводятся в некоторый, прежде немагнитный, кристалл; их магнитные моменты могут обмениваться энергией с магнитным сверхвысокочастот ным полем. В качестве основного кристалла приме няются А120 з, K3C0 CN6 или ТЮ2. Если такой кристалл
поместить в постоянное магнитное поле, то энергетиче ские состояния ионов-примесей расщепляются таким образом, что появляются частоты переходов в области СВЧ. Изменением постоянного магнитного поля можно частоты переходов сдвигать. В качестве примера на рис. 50 показана плотность населенности для трех низ ших уровней иона Сг3+ в рубине (А120з). При тер модинамическом равновесии нижний уровень населен
6 Г. Клингер |
81 |
больше, чем верхний. Если на эту систему воздейство вать высокочастотным переменным полем («накачка») с частотой fi3, которая соответствует разности энергий
|
|
|
{Е3 —Ei)fh = fi3, |
|
|
|
|
|
|
(59) |
|||
то |
будет индуцироваться переход |
между |
уровнями |
Ех |
|||||||||
и |
£ 3. |
Поскольку |
плотность |
населенности |
уровня |
Е\ |
|||||||
|
|
|
|
больше, |
чем |
уровня |
Е6, |
||||||
|
|
|
|
в |
среднем |
больше пере |
|||||||
|
|
|
|
ходов |
будет |
|
происходить |
||||||
|
|
|
|
от Ех на |
£ 3, чем |
в обрат |
|||||||
|
|
|
|
ном направлении, так |
что, |
||||||||
|
|
|
|
в конце концов, оба уров |
|||||||||
|
|
|
|
ня |
будут |
иметь |
одинако |
||||||
|
|
|
|
вую |
населенность. |
Веще |
|||||||
|
|
|
|
ство |
при |
этом окажется |
|||||||
|
|
|
|
в |
неравновесном |
|
состоя |
||||||
|
|
|
|
нии, так как теперь уро |
|||||||||
|
|
|
|
вень £ 3 |
будет иметь боль |
||||||||
|
|
|
|
шую |
плотность |
населен |
|||||||
|
|
|
|
ности, чем лежащий ниже |
|||||||||
Рис. 50. |
Плотность |
населенности |
уровень |
£ 2. Если |
теперь, |
||||||||
трех энергетических уровней иона |
кроме |
накачки |
с |
часто |
|||||||||
|
|
Сг3+ в А120 3. |
той |
fi3, |
одновременно с |
||||||||
|
|
|
|
ней |
воздействовать |
на |
кристалл другим переменным полем (сигналом) с ча стотой f23, которая соответствует разности энергий
|
{E3- E 2)/h = j23 |
(60) |
|
между уровнями £ 2 |
и £ 3, то |
будет |
вызван синхронный |
переход с £ 3 на £ 2, |
при этом |
переменное поле с часто |
той сигнала усилится. Материя, приведенная в неравно весное состояние с плотностью населенности оАГъ> о/^°2, относительно электромагнитного поля частоты сигнала обладает свойствами отрицательного сопротивления (от рицательного затухания).
С точки зрения технического исполнения различают два типа молекулярных усилителей. В так называемом отражательном мазере парамагнитный кристалл поме щен в резонаторе, который настроен как на частоту на качки, так и на частоту сигнала; пример такого мазера приведен на рис. 51 [10]. Кристалл, находящийся в со суде Дюара, который наполняется охлаждающим веще-
82
ством, помещен между полюсами магнита; к нему одно временно подводятся как высокочастотное магнитное поле сигнала (частота 2800 Мгц), так и поле с часто той накачки (9400 Мгц). Название «отражательный ма зер» связано с тем, что переходящая в резонатор по тракту сигнала волна (на частоте сигнала) после ее усиления отражается. Поэтому в приемнике с таким
Рис. 51. Вид (в разрезе) отражательного молеку лярного усилителя.
мазером идущая к резонатору и обратная волны долж ны быть отделены друг от друга. Для этого служат не взаимные элементы тракта в виде циркулятора и вен тиля. Принципиальная схема такого приемника пред ставлена на рис. 52. Сигнал, принятый антенной, через циркулятор направляется в молекулярный усилитель. Усиленная отраженная волна возвращается в циркуля тор и затем проходит через вентиль в приемник. Волна, отраженная из-за неидеального согласования от входа приемника, благодаря вентилю не сможет пройти в сто рону усилительной цепи.
В молекулярных усилителях на твердом теле, ко торые называются мазерами бегущей волны, усили вающее вещество располагается вдоль некоторого
6* |
83 |
волновода. В его задачу входит замедление групповой скорости распространяющегося СВЧ-поля настолько, чтобы электромагнитное поле сигнала на относительно
■Молекулярный
усилитель
Рис. 52. Принципиальная схема приемного устройства с отражательным молекуляр ным усилителем.
Рис. 53. Конструкция молекулярного усилителя бегущей волны (фирма «Белл»),
малой длине линии достаточно длительное время взаи модействовало с парамагнитными ионами вещества. На рис. 53 показан разрез одного такого молекулярного усилителя бегущей волны [11]. В нем используется пря
84
магнитного поля) примерно на 350 Мгц. На рис. 54 вос произведен внешний вид экспериментального молеку лярного усилителя такого типа [12].
Важнейшим свойством молекулярных усилителей яв ляются чрезвычайно низкие собственные шумы; такой уровень не достижим ни для какого другого усилителя. Минимально возможный коэффициент шума опреде
ляется здесь некогереитным спонтанным |
излучением. |
Его теоретическим пределом является |
|
T = - f , |
(61) |
где h — постоянная Планка, k — постоянная Больцмана. На частоте f=1000 Мгц в соответствии с этим будет 7^=0,48° К. Однако наименьший уровень шума, достиг нутый в молекулярных усилителях, оказывается в дватри раза выше. Практически минимальное значение коэффициента шума определяется шумами составных элементов всего устройства. Как источник шума прежде всего выступает участок тракта от антенны до молеку лярного усилителя, вносящий в сигнал некоторое зату хание (сюда входят и потери в циркуляторе). Для того чтобы полностью использовать чрезвычайно высокую чувствительность молекулярного усилителя, необходимо свести к минимуму потери в антенном тракте и, сле довательно, сделать его как можно короче. Поэтому мо лекулярные усилители стараются устанавливать непо средственно в фокусе зеркала приемной антенны.
10. Лазер
Используемый в мазере принцип вынужденного из лучения может быть также применен для получения ко герентного излучения в инфракрасной, видимой и ульт рафиолетовой областях электромагнитного спектра. В та ком генераторе, который называется «лазер» (light amplification by stimulated emission of radiation) вме сто объемного резонатора, применяемого в технике сан
тиметровых волн, |
выступает |
резонатор Фабри — Перо |
для световых волн |
(см. рис. |
8), который заполняется |
усиливающей, активной лазерной средой.
Как и в мазере, атомы лазерной среды, для того чтобы они могли излучать, должны быть предваритель-
8 6
но с помощью процесса накачки «подняты» на верхний энергетический уровень. Под действием поля устанав ливающейся между отражающими пластинами резона тора стоячей световой волны происходят фазовокогерент ные квантовые переходы в атомах активной среды, усиливающие начальное световое возбуждение. Излуче ние может выходить из резонатора через оба торцовых зеркала *) в виде узкого светового пучка. В то время как для усиления сверхвысоких частот применяются почти исключительно только рубиновые мазеры, для возбуждения лазерного излучения подходят еще и дру гие твердые тела, полупроводники, газы и жидкости.
В лазере на твердом теле усиливающая среда пред ставляет собой стержень из кристалла или стекла, в который введена добавка из собственно активного ла зерного вещества. В качестве лазерных кристаллов осо бое внимание обращают на себя кристаллы окиси алю миния с добавками хрома (рубин) или вольфрамат кальция, содержащий неон. Процесс накачки в твердо тельных лазерах обеспечивается облучением некогерент ным светом от специального источника (ксеноновые лампы). Оба зеркала, образующие резонатор, в боль шинстве случаев наносятся непосредственно на торцы кристаллического стержня. Вследствие высокой концен трации активных атомов в лазерном кристалле с по мощью таких твердотельных лазеров можно получать мощности излучения в импульсном режиме порядка мегаватт. Эти лазеры представляют интерес с точки зрения проблемы локации и связи на очень больших расстояниях в мировом пространстве.
Для газовых лазеров в качестве усиливающей среды подходят благородные газы — неон, аргон, криптон и ксенон, а также гелиево-неоновая смесь. Здесь газы переводятся в состояние с возбужденными энергетиче скими уровнями не световым излучением накачки, а с помощью электрического разряда. В гелиево-неоновом лазере атомы гелия возбуждаются ударами электронов и относительно длительное время излучают. При этом они передают энергию атомам неона, которые в свою очередь испускают световые кванты и порождают
*) Оба зеркала, а чаще одно из них, делаются полупрозрач ными (Прим, перев.).
87
индуцированную световую волну. Хотя мощность излу
чения таких газовых лазеров существенно меньше, |
чем |
у импульсных рубиновых лазеров (в непрерывном |
ре |
жиме она достигает уровня лишь около 100 мет), излу чение отличается своей монохроматичностью.
В отличие от других типов лазеров, о полупровод никовых лазерах можно говорить не как о некотором устройстве, а просто как об отдельном элементе — по лупроводниковом диоде. В качестве лазерно активного вещества используют преимущественно арсенид галлия, а также целый ряд других полупроводников, позволяю щих получать лазерное излучение на иных частотах. Лазерный диод состоит в принципе из некоторого кри сталла с электронной проводимостью, в котором с по мощью диффузии создана область с «дырочной» прово димостью. Подвод энергии и возбуждение лазерного вещества (заполнение верхних энергетических уровней) в полупроводниковом лазере осуществляется путем инжекции электронов и дырок. Поэтому такой лазер называют иногда «инжекционным». Из-за высокого по казателя преломления полупроводниковых кристаллов плоскопараллельные поверхности их граней могут слу жить отражателями оптического резонатора, не требуя
специальных зеркал. |
|
|
полупроводникового |
|||
Поскольку |
при возбуждении |
|||||
кристалла достигается высокая |
плотность энергии (до |
|||||
10е вт• сек/см3), |
лазерные |
диоды |
можно |
делать |
весьма |
|
малых размеров (длина |
их может |
быть |
от 0,1 |
мм до |
1 мм). Их важной особенностью является также то, что они могут модулироваться непосредственно инжекцион ным током с частотой модуляции до нескольких гига герц. И наконец, отметим, что, смешивая два когерент ных лазерных сигнала оптического диапазона, можно получать миллиметровые, субмиллиметровые и еще бо лее короткие волны.
IV
АНТЕННЫ
1. Основные понятия и определения
Для всех видов линий беспроволочной радиосвязи и для большинства радиолокационных и радионавигацион ных систем нужны направленные антенны. Они излу чают энергию преимущественно в каком-то одном опре деленном направлении и, соответственно, могут прини мать излучения, приходящие по тому же направлению. Размеры направленных антенн, как правило, должны быть большими по сравнению с длиной волны. Это тре бование в технике сверхвысоких частот выполняется даже для довольно портативных антенн.
Свойства направленной антенны определяются ее так называемым «выигрышем»*), диаграммой направленно сти и шириной полосы частот. Выигрышем антенны на зывается отношение мощности, излучаемой антенной в главном направлении через единицу поверхности, к мощ ности, которая проходит через ту же поверхность в том случае, когда антенной является изотропный (шаровой) излучатель (мощность генератора, питающего антенны, в обоих случаях считается одинаковой). Вместо шаро вого излучателя для сравнения проще использовать основные направления излучения элементарного диполя (диполь Герца).
Решающим фактором с точки зрения получения наи большего выигрыша антенны является форма диаграм мы направленности. Она дает относительную зависи мость напряженности поля или напряжения на входе приемника от угла, на который поворачивается пере
дающая антенна или |
на который смещается |
приемная |
*) В отечественной литературе вместо «выигрыша |
антенны» |
|
чаще употребляется термин |
«усиление антенны» (Прим, перев.). |
89
антенна при вращении вокруг передающей. Наиболь шее значение напряженности поля принимается при этом за единицу. Диаграмма направленности в горизон тальной плоскости называется «горизонтальной диа граммой» (по азимутальному углу ср), в вертикальной плоскости — «вертикальной диаграммой» (по углу ме ста О). Обычно диаграмму направленности стараются сделать такой, чтобы поблизости от основного макси мума (главный лепесток) было по возможности мало побочных максимумов (боковых лепестков) и они были бы слабыми; это необходимо для того, чтобы поток энергии не распространялся в нежелательных направле ниях и не снижалось значение выигрыша антенны. Ме рой направленности в какой-либо заданной плоскости является полуширина диаграммы. Это угол по обе сто роны от основного направления излучения, при котором излучаемая или принимаемая мощность оказывается вдвое меньшей, чем в основном направлении.
Третьей величиной, характеризующей свойства ан тенны, является ширина полосы. Говорить о широкополосности антенны имеет смысл только тогда, когда осу ществлено хорошее согласование антенны с питающим или соединительным трактом (согласование их волно вых сопротивлений). Антенна является широкополосной, если ее диаграмма направленности и ее входное сопро тивление в пределах некоторой заданной области частот остаются почти неизменными. Поскольку электрические свойства антенны зависят от частоты, то точное согласо вание входного сопротивления антенны с линией, соб ственно говоря, может быть достигнуто лишь в беско нечно узкой полосе частот.
2. Параболические антенны
а) Параболоиды вращения
Чаще всего применяемыми в технике СВЧ-направ- ленными антеннами являются параболические антенны (рис. 55). В простейшем случае они представляют собой зеркало в форме параболоида вращения, сделанное из легкого сплава. В качестве излучателя может служить помещенный в фокусе зеркала полуволновый диполь или рупорная антенна. Если возбудителем является ди
90