книги из ГПНТБ / Радиопередающие устройства на полупроводниковых приборах. Проектирование и расчет

22.

К u г о к a w а

К. Transient

Behavior

of

high-field

domains

in

bulk semiconductors.

Proc.

I E E E ,

1967, v. 56,

№

9,

p.

1615.

23

H e e k s

J .

S

Some properties of the moving high-field domain

in

Gunn

effect

devices.

I E E E

Trans., 1966, ED-13,

№

1,

p.

68.

24.

H e e k s

J .

S.,

W o o d e

A.

D. Localized

temporary

in­

crease

in

material

conductivity

following

impact

ionization

in

a Gunn-effect domain.

I E E E

Trans.,

1967, ED-14,

№

9,

p. 512.

25.

П p о x о p о в

Э.

Д . ,

Ш а л а е в

В.

А., '

Б е л е ц ­

к и й

Н.

И.,

А р е и д а р ь

В.

Н. Оценка влияния

ударной

ионизации внутри электрического домена на устойчивость ра­

боты и ширину ВАХ диодов Ганна. «Радиотехника и электро­

ника»

1970,

№ 3,

стр.

578.

26.

П р о х о р о в

Э.

Д . ,

Д

я д ч е н к о

А.

В., Ш а л а ­

е в

В.

А.,

Б е л е ц к и й

Н.

И. Экспериментальное

иссле­

дование ширины ВАХ диодов Ганна. «Радиотехника и элект­

роника»,

1970,

№

4, стр.

792.

27.

П р о х о р о в

Э.

Д . ,

Ш а л а е в

В. А.,

Б е л е ц -

к и й

Н.

И.,

А р е и д а р ь

В.

Н.

Влияние

температуры

на

ширину ВАХ диодов Ганна. «Радиотехника и

электроника»,

1970, № 3, стр. 644.

28.

G u n n

J .

В. Effect

of

domain

and

circuit

properties

on

oscil­

lations

in GaAs. IBM J . Research

and developm.,

1966, №

10,

p.

310.

29

R о b s о n

P.

N., M a h г о u s

S.

M. Some aspects

of

Gunn

effect oscillations. Radio. Engrg. Electronics, 1965, v. 30, p. 345.

30 N a k a m u r a

M. Frequency limit of LSA-mode

oscillations

estimated from the not electron problems on the high frequency

electric

field.

Jap. J . Appl.

Phys.,

1969,

v. 8, №

7,

p.

910.

31

H u a n g

H o-H u n g,

M a c k e n z i e

L .

A. A

Gunn

diode

operated

in

the

hybrid

mode.

Proc.

I E E E ,

1968,

v. 56,

№

7,

p.

1232.

32

G a r r a 1 1

J . E . ,

L aii b r o o k e

P.

H .

Simple

theory

for

improving

the

efficiency

of

Gunn

oscillators. Electron,

letters,

1968,

v. 4,

№ 5, p. 83.

42.

K i n o

G.

S.,

К u r u

J . High-efficiency

operation

of

a

Gunn

osullator

in the domain

mode

I E E E

Trans.

1969

ED-16.

№ 9,

p.

735.

43.

П p о x о p о в

Э.

Д . , А р е н д а р ь

В.

Н. Об

условиях

работы диодов Ганна в гибридном режиме. «Радиотехника и

электроника»,

1971, № 7, стр. 1230.

44.

П р о х о р о в

Э.

Д . ,

А р е н д а р ь

В.

Н. Высокие

к. п. д.

диодов Ганна в гибридном режиме работы. «Радиотехника и

электроника»,

1971,

№

7, стр.

1301.

45.

С о р е 1 a n d

J .

A. LSA oscillator

waveforms

for

high

effi­

ciency. Proc.

I E E E ,

1969, v. 57, № 9, p. 1666.

46.

D o w

D. G . ,

M o c h e r

C. U.,

V a n e

A.

B. High-peak-

power

Gallium

Arsenide oscillators

I E E E

Trans.,

1966,

ED-13,

№

1,

p.

105.

47.

В а л и т о в

Р.

А.,

С е с т р о р е ц к и й

Б.

В.

и

др.

Исследование импульсных генераторов Ганна дециметрового

диапазона волн. «Радиотехника и электроника»,

1968,

№

12,

стр.

2205.

48.

М і g і t a k a

M.,

H і у a z a k і M.,

S о і t о

К. High

power

Gunn

oscillator

diodes on type-I I a diamonat

heat

sinks.

«G-MTT

Int. Micr.

Symp.,

Newport

Beach,

Calif.,

1970»

New

York.

1970,

p.

224.

49.

J e p p s s o n

В.,

J e p p e s e n

P.

A

high power

LSA rela

xation

oscillator. Proc.

I E E E ,

1969,

v. 57,

№

6,

p. 1218.

50. R e y n o l d s

J .

F . ,

В e r s о n

В. E , , E n s t r o r a

R.

E .

High

efficiency

transferred

electron

oscillators.

Proc.

I E E E ,

1969,

v.

57,

No 9,

p. 1692.

51.

Л e в и н ш т е й н

М.

Е.,

Ш у р

М.

С. Приборы

на основе

эффекта

Ганна,

ч.

I,

П.

«Зарубежная

радиоэлектроника»,

1970,

№

9,

№

11,

стр. 50.

52.

F u k u i

Н.,

B a r b e r

Н.

R.

Time-sequential

operation

of

multiple

pulsed

oscillators as a CW microwave source.

Proc.

I E E E ,

1967,

v. 55,

№

2,

p.

243.

53.

M a t s u n о

К.

Noise

of Gunn-effect

oscillator.

Proc.

I E E E

1968, v. 56, № 1,

p.

108.

54.

M a t s u n о

К. Calculation of LSA oscillator

noise. Proc.

I E E E ,

1968,

v.

56,

№ 1, p. 75.

55.

S с r u p s k і

S.

E . Worldwide look

at

the

Gunn

effect.

Elect­

ronics, 1967, v. 40, № 5, p. 135.

56. J e p p s s o n

В.,

M a r k l u n d

J .

Failure

mechanisms

in

Gunn

diodes.

Electron

letters,

1967,

v. 3,

№ 5,

p.

213.

3

9

жимах

43

1.3.

Однотактный

генератор в ключевом режиме . . 71

1.4.

Трансформирующие цепи .

98

С п и с о к л и т е р а т у р ы

. . . . 1 0 8

2.

У М Н О Ж И Т Е Л И Ч А С Т О Т Ы Н А Т Р А Н З И С Т О Р А Х

2.1.

Введение

110

2.2.

Каскад с резистивной обратной связью

113

2.3.

Каскад с емкостной обратной связью

126

2.4.

Инженерный

расчет умножителя частоты

130

обратной связью

135

С п и с о к л и т е р а т у р ы

138

3. А В Т О Г Е Н Е Р А Т О Р Ы С 6ЕСКВАРЦЕВОЙ

С Т А Б И Л И З А Ц И Е Й

зисторах

140

3.2.

Коррекция фазы в цепи обратной связи

[2, 5, 6] . 149

3.3

Энергетический

расчет автогенератора

на би­

полярном

транзисторе

153

3.4.

Влияние

изменения

режима

автогенератора

на

нестабильность

его частоты

158

3.5.

Температурная

зависимость частоты

автогенера­

тора, связанная є изменением параметров бипо­

лярного

транзистора

163

3.6.

Автогенераторы

на

полевых

транзисторах

.

. . 166

3.7.

Двухконтурные

автогенераторы

на полевом

тран­

зисторе

174

3.8.

Автогенераторы

на туннельных

диодах

179

тельных

систем

186

3.10.

Пример

расчета транзисторного

автогенератора

186

3. П.

Управление частотой с помощью

реактивных не-

линейностей

187

С п и с о к л и т е р а т у р ы

192

4.1. Общие вопросы стабилизации частоты

194

4.2. Система параметров и характеристики

кварцевого

резонатора

200

4.3. Кварцевые

автогенераторы

216