Добавил:

ivanov666 Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.

Вуз:

Башкирский Государственный Аграрный Университет

Предмет:

[НЕСОРТИРОВАННОЕ]

Файл:

книги из ГПНТБ / Минскер Ф.Е. Сборка полупроводниковых приборов учеб. пособие

.pdf

Скачиваний:

Добавлен:

23.10.2023

Размер:

5.08 Mб

Скачать

☆

<<< < Предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 1213 / 1313

третий класс — число частиц в любой точке объема не долж но превышать 4 частиц в литре при величине 0,5 мкм.

Температура воздуха в помещениях третьего класса должна ■быть зимой 20°С±2°С и летом 22°С±2°С, в помещениях второго класса 22° С±4° С.

Относительная влажность воздуха в производственных поме щениях устанавливается в соответствии с требованиями норма лей и технологического процесса.

Параметры окружающего воздуха (температура, влажность, концентрация и размер частиц) контролируют не реже одного раза в смену с регистрацией в специальных журналах.

Впомещениях 1 класса выполняют резку слитков, исследова ние физических свойств и надежности.

Впомещениях 2 класса выполняют: химическую обработку пластин, сборку приборов, измерение электрических параметров, шлифовку и полировку пластин, изготовление фотооригиналов,

технологические испытания.

В помещениях 3 класса выполняют: финишную очистку и от мывку пластин, фотолитографию, эпитаксиальное наращивание, диффузию, гальванические покрытия на пластинах, напыление.

. В производственных помещениях второго и третьего классов не разрешается:

размещать оборудование, вносить предметы, вещи и т. п., не предусмотренные технологическим процессом изготовления при боров;

производить ремонтные работы, связанные с выделением ды ма, пыли, паров и влаги и т. п. во время проведения работ по из готовлению приборов;

проводить производственную гимнастику.' Для хранения и транспортировки чистых деталей должна

применяться специальная тара, обеспечивающая защиту их от механических повреждений, попадания пыли и других загрязне ний.

Персонал, работающий в помещениях всех трех классов, дол жен быть одет в одежду установленной формы в соответствии с инструкцией по применению технологической одежды. Курить и принимать пищу в производственных помещениях всех классов не разрешается. Для записей следует применять только шарико вые ручки. Карандашами и резинками пользоваться категориче ски запрещается.

Все инструменты и приспособления подлежат тщательной очистке от загрязнения путем обезжиривания, промывки, про тирки спиртом или другими растворителями в сроки, предусмот ренные документацией на технологические процессы.

При входе в производственные помещения второго и третьего классов необходимо мыть руки. Для мытья рук должны употреб ляться моющие средства, содержащие лакомин, который способ ствует лучшему удалению частиц загрязнения с кожи. Руки не должны соприкасаться с растворителями, так как многие раство

122

рители поглощают кожный жир и вызывают отслаивание кожи. Необходимо применять перчатки, ■напальчники и аналогичные вспомогательные средства или устройства при обработке и дви жении деталей, чтобы устранить загрязнения. Не должна приме няться персоналом косметика (краска для глаз, пудра для лица, лак для волос и т. п.).

Контрольные вопросы

1.Какие основные правила техники безопасности при работе на оборудо вании с применением электроэнергии вы знаете?

2.Какое действие оказывает электрический ток на организм человека?

3.Перечислите основные правила техники безопасности при работе с хи мическими веществами.

4.Какая применяется техника безопасности при хранении и транспорти ровании кислот?

5.Каковы основные правила техники безопасности при выполнении опе

раций пайки и сварки?

6.В чем заключаются особенности работы на водородных печах?

7.Какие меры безопасности следует соблюдать при выполнении техноло

гических испытаний?

8.В чем состоит оказание первой помощи при несчастных случаях?

9.На какие классы подразделяют производственные помещения пред приятий, изготовляющих полупроводниковые приборы?

10.Каковы основные правила производственной гигиены в помещениях

2-го и 3-го класса?

ЛИ Т Е РА Т У РА

1.А л о в А. А. Основы теории процессов сварки и паіікн. М., «Машино строение», 1964.

2. Б а р а н о в

И.

Б.

Холодная сварка пластичных металлов. Изд. 2-е,

перераб. и доп. М.—Л., Машгиз, 1962,

3. Б р у к

В.

А.,

Га р ше и и и

В.

В.,

К у р н о с о в

А.

II.

Производст

во полупроводниковых приборов. М., «Высшая школа», 1969.

'4. Г л а д к о в

А.

С.,

П о д в и г и н а

О.

П.,

Ч е р и о в О.

В.

Пайка

деталей электровакуумных приборов. М., «Энергия», 1967.

5. Г р и н

Г.

И.,

Ш о к а л ь с к и іі

А.

Испытания

полупроводнико

вых приборов. «Высшая школа», 1969.

радиоэлектронных

устройствах.

6. Д у л ьн ев

Г.

И.

Теплообмен

М. — Л., Госэнергонздат, 1963.

7. Е с и п о в а

Р.

Б.,

Р у б ц о в

И. Н.

Герметизация

полупроводнико

вых приборов пластмассами. Вып. 5, ЦНИИ «Электроника», 1971.

8. К а ц

М. И. Техника

безопасности при работе в химических лабора

ториях. М., Госхимиздат, 1960.

9. К о у т н ы й и др.

Технология серийного производства транзисторных

іі полупроводниковых диодов. Пер. с чешского

Пшениснова

В. IT. М.,

«Энер

гия», 1968.

10. К о в а л е в е к п й

Р.

Е., Ч е к м а р е в

А. А. Конструирование и тех

нология вакуумно-плотных паяных соединений. М., «Энергия», 1968.

11. К о з л о в а

Р.

Ф.,

Б л и н о в а

Н.

В.

Припои для электровакуумной

промышленности. М., институт «Электроника», 1969.

12. К о ч е р гм н К- А.

Импульсная

контактная

сварка.

Л.,

Леимз-

дат, 1961.

13. Л а к е д е м о н с к и й

А. В.,

Х р я п н и

В.

Е.

Паяние и припои. М.

Металлургиздат, 1961.

14.М а н к о Г. Г. Пайка и припой. М., «Машиностроение», 1968.

15.М а с л о в А. А. Технология и конструкции полупроводниковых при

боров. М., «Энергия», 1970.
16. М о р а в с к и й	В. Э. Конденсаторная	сварка	металлов малых тол
щин. М., Машгиз, 1960.
17. Н а з а р о в Г.	В., Г р е в ц е в Н. В. Сварка и пайка в микроэлектро
нике. М. «Советское радио», 1969.
18. Н и к о л а е в	Г. А., О л ь ш а н с к и й	Н. А.	Новые методы сварки
металлов и пластмасс. «Машиностроение», 1966.

124

19. Оборудование для производства	полупроводниковых диодов и трио
дов. Под ред. М а с л е н и и к о в а П. Н.	М., «Энергия», 197.0.

20.Производство полупроводниковых приборов, Перевод с аигл. под ред,

Гл е б о в а Г. Д., М., Оборонгиз, 1962.

21. Т и х о и о в ІО. Н. Технология изготовления германиевых и кремние вых диодов и триодов. М. — Л., «Энергия», 1961.

22.Ф а іі и ш т е н н С, М. Обработка и защита поверхности полупровод никовых приборов. Изд. 3-е, перераб. М., «Энергия», 1970.

23.X р е и о в К. К. Сварка, резка и панка металлов. М., «Машинострое ние», 1970.

24. ІО X и м И. Я. Техника безопасности при работах с полупроводника ми. М., «Машиностроение», 1968.

25. Л ю б и м о в М. Л. Спаи металла со стеклом. М., «Энеогпя», 1968.

ОГЛАВЛЕНИЕ

									Стр.
Предисловие..............................................					............................................................				3
Г л а в а		I.	Конструктивное оформление			полупроводниковых		приборов	5
	§		1.	Р-л-переход полупроводниковых приборов...........................					5
	§		2.	Корпус и соединительные элементы полупроводниковых					7
	§		3.	приборов ........................................................................................				. . . .	7
	§		3.	Типы конструкции полупроводниковых приборов				. . . .	8
Г л а в а	II.		Соединение деталей пайкой и сваркой...................................					17
	§		4.	П а й к а .................................................................................................					17
	§		5.	Припои и флюсы, применяемые при пайке...............................					23 .
	§		6.	С вар ка ...............................................................................................					27
Г л а в а		III.		Монтаж полупроводниковых кристаллов в корпус................				3&
	§		7.	Скрайбированне.......................................................................				-.	36
	§		8.	Способы монтажа...........................................................................					37
	§		9.	Монтаж	кристаллов пайкой .......................................................				39
	§ 10. Монтаж кристаллов склеиванием..............................................								41
	§ 11.			Монтаж	кристаллов сплавлением............................................				43
	§ 12. Монтаж кристаллов пайкой со стеклом...................................								45
Г л а в а		IV. Присоединения выводов к полупроводниковым кристаллам							48
	§ 13. Назначение выводов. Методы присоединения........................								48
	§ 14. Присоединение выводов сваркой...............................................								49
	§	15.		Термокомпрессия.............................................................................					56
	§ 16. Присоединение выводов пайкой..................................................								69
Г л а в а		V. Защита электронно-дырочных переходов..................................						74
	§	17.		Методы защиты переходов...........................................................					74
	§	18. Химическая обработка полупроводниковых структур пе							75
	§	19.		ред защ итой..............................		эмалей, компаундов		и крем-	75
	§	19.		Зашита	с помощью лаков,	эмалей, компаундов		и крем-	76
			нийорганических вазелинов..................................................					. .	76
	§ 20.			Защита	силанированием...............................................................				82
	§	21.		Защита	стеклом ..............................................................................	структур	пленками	нитрида	84
	§ 22.			Защита	полупроводниковых	структур	пленками	нитрида
				кремния	и другими методами......................		■........................	88
Г л а в а	VI.			Герметизация полупроводниковыхприборов..............................					93
	§ 23. Герметизация холодной сваркой.................................................								93
	§ 24. Герметизация электроконтактной сваркой ...........................								99
	§ 25.			Герметизация п ай кой .................................................................					101

126

§ 26. Герметизация заваркой стеклом................................................					105
§ 27.		Бескорпусная герметизация......................			108
Г л а в а	VII,	Технологические испытания полупроводниковых приборов			113
§ 28.		Климатические испытания..........................................................			113
§ 29. Механические и электрические испытания..............................					115
Г л а в а	VIII. Основы техники безопасности и производственной гигиены				117
§ 30.		Техника	безопасности в сборочных ц ехах ..............................		117
§	31. Правила		оказания	первой помощи при несчастных слу	121
§ 32.		чаях ....................	• ............................................................................	гигиена
		Производственная			121
Литература..................					124

' Минскер Феликс Ефимович, Бер Александр Юльевич

с б о р к а

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Научный редактор Н. В. Гревцев Редактор Г. А.’ Сильвестровнч Технический редактор А. К. Нестерова Корректор Г. Н. Буханова


Т—03534.	Сдано в набор 29/ѴШ—73 г.					Подп. к печати 19/11—74 г.
Формат 60Х901/іѳ.		Бумага	№ 2.		Объем 8	печ. л«	Уч.-нзд. л. 8,03
Изд. № ЗГ—189			Тираж		20 000 экз.		Цена 19 коп.
План выпуска	литературы для			профтехобразования издательства «Высшая
		школа»	на	1974 г. Позиция № 67.

Москва, К-5І, Неглинная ул., д. 29/14, Издательство «Высшая школа»

Московская типография Кэ 8 «Союзнолнграфпрома» при Государственном комитете Совета Министров СССР

по делам издательств, полиграфии и книжной торговли, Хохловский пер., 7. Зак. 3508.

<<< < Предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 1213 / 1313

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ