ПиПИИЭ КР ЗАО

Положение секущей плоскости при этом не обозначается. Масштаб толщины слоев допускается не выдерживать. Основные данные слоев указывают в таблице на поле чертежа (см. Рис. 6). Схема построения границ областей в слоях к чертежу совмещенной топологии показана на Рис. 8

Рис. 8 Границы областей в слоях микросхемы (К — коллектор, Б — база, Э— эмиттер): 1 — разделительной области; 2 — области коллектора; 3 — контактного окна к области коллектора; 4 — области базы; 5 — контактного окна к области базы; 6 — области эмиттера; 7 — контактного окна к области эмиттера; 8— металлизированных проводников

Для изготовления фотошаблонов и масок оформляют топологические чертежи отдельных слоев микросхемы: базового (контуры резисторов, базы транзисторов и анодных областей диодов), разделительного (разделяющего области вокруг резисторов, контактных площадок и других элементов), эмиттерного (контуры эмиттерных областей, коллекторных контактов и катодов диодов), контактных окон, слоев металлизации. На каждом из этих чертежей показывают проекцию кристалла с габаритными размерами, записывают технические требования, заполняют таблицу координат каждой фигуры слоя и размещают соответствующую фигуру совмещения. Каждая фигура слоя должна иметь цифровое обозначение левой нижней вершины. Цифра 1 присваивается левому нижнему углу прямоугольника, определяющего границы кристалла. Следующие вершины обозначаются в последовательности слева направо снизу вверх. Координаты всех вершин заносят в таблицу. Наименование слоя указывают текстом над изображением главного вида. На рисунке 8.42 показаны элементы чертежа слоя металлизации к чертежу совмещенной топологии по Рис. 6 Основную надпись выполняют по форме 2а [1 в главе 2].

Рис. 9 Топологический чертеж слоя металлизации

Основные конструктивные требования и технологические ограничения для изготовления по отраслевым стандартам и стандартам предприятий интегральных микросхем и полупроводниковых тонкопленочных микросхем даны в Табл. 2 и 3 соответственно.

Таблица 3. Стандартные размеры прямоугольных печатных плат, мм

Вы- сота	Длина		Вы- сота	Длина
	ряд 1	ряд 2		ряд 1	ряд 2
10	10; 20	15; 30; 40	100	100; 120; 140; 160;180	110; 130; 150; 170; 190; 200; 240; 280
15	—	15; 20; 25;30	110	—	110; 120; 130; 135; 140; 150; 160; 170; 180
20	20; 30; 40	25; 45; 50; 60; 80	120	120; 140; 160; 180; 200; 240	130; 150; 170; 190; 220; 280; 320; 360
30	30; 40; 50; 60	45; 80; 90	130	—	130; 140; 150;170; 180; 190; 200; 260
40	40; 50; 60; 80	45; 75; 100; 120; 140; 160	140	140; 160; 180	150; 170; 190; 220; 260; 320; 360
45	—	45; 50; 60; 70; 75; 80; 85; 90	150	—	150; 160; 170; 180; 190; 200; 300
50	60; 80; 90; 100	75; 85; 95	160	160; 180; 200; 240; 280; 320	170; 190; 220; 260; 300; 360
60	60; 80; 90; 100; 120	75; 85;95; 110; 140; 160;180	170	—	170; 175; 180; 190; 200; 340
75	—	75; 80; 85; 90; 95; 100;170	180	180;200; 240; 280;320;360	190; 220; 260; 300; 340
80	80; 100; 120; 140; 160	85; 90; 95; ПО; 130; 150; 180; 200; 240	200	200; 240; 280; 320;360	220; 260; 300; 340

Вы- сота	Длина		Вы- сота	Длина
	ряд 1	ряд 2		ряд 1	ряд 2
85	—	85; 90; 95; 100	220	—	220; 240; 260; 280; 300; 320; 340; 360
90	90; 100; 120; 140; 160; 180	95; 110;130 150;170	240	240;280; 320; 360	260; 300; 340

38. МДП-транзисторы со встроенным каналом

На стадии изготовления транзисторов между областями стока и истока создается тонкий слаболегированный слой (канал) с таким же типом электропроводности, что и области стока и истока (рис. 10).

При нулевом напряжении на затворе и наличии внешнего напряжения между стоком и истоком протекает ток стока. Отрицательное напряжение, приложенное к затвору относительно истока и подложки, будет выталкивать электроны из канала, а в канал втягивать дырки из подложки. В результате канал обедняется носителями, толщина канала и его электропроводность уменьшается, что приводит к уменьшению тока стока. При некотором отрицательном напряжении на затворе, называемом напряжением отсечки 11_ЗИ__отс, происходит инверсия типа электропроводности канала. Области истока и стока оказываются разделенными областью р-полупроводника.

Увеличение положительного напряжения на затворе МДП-транзистора со встроенным каналом п-типа вызывает приток электронов в канал из подложки. Канал расширяется, обогащаясь носителями, сопротивление его уменьшается, а ток стока возрастает.

Рис. 10. МДП-транзистор со встроенным каналом: а — упрощенная структурная схема для канала Iг-типа; б, в — условные обозначения для каналов n-типа и p-типа соответственно

Режим работы полевого транзистора, при котором увеличение по абсолютной величине напряжения на затворе вызывает уменьшение тока стока, называется режимом обеднения.

Транзисторы со встроенным каналом работают как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения. Часто их называют транзисторами обедненного типа.

Статические характеристики транзистора со встроенным каналом

Отличие стоковых (выходных) характеристик МДП-тран- зистора со встроенным каналом от аналогичных характеристик транзисторов обогащенного типа заключается в том, что ток стока I_с существует как при положительном, так и при отрицательном напряжении на затворе (рис. 11) и описывается аналитическими зависимостями (1), (2), как и транзисторы с управляющим р-п-переходом.

Ток стока для крутой области характеристик полевого транзистора с управляющим р-п-переходом достаточно точно описывается аналитической зависимостью

(1)

При работе в пологой области вольт-амперной характеристики ток стока представляется выражением

(2)

Сток-затворная характеристика МДП-транзистора со встроенным каналом п-типа показана на рис. 12. При напряжении и_зи = 0 в цепи стока протекает ток I_с. При подаче отрицательного напряжения на затвор канал сужается, обедняясь носителями,

Рис. 11. Семейство статических выходных (стоковых) характеристик МДП-транзистора со встроенным каналом

Рис. 3.12. Статическая характеристика передачи (сток-затворная) МДП-транзистора со встроенным каналом я-типа

и уменьшается ток стока. При I_{зи отс} канал исчезает, происходит инверсия его электропроводности. С увеличением положительного напряжения на затворе канал расширяется, обогащается носителями, сопротивление его уменьшается, а ток стока увеличивается.