2. Лабораторная работа № 2

МДП ТРАНЗИСТОРЫ

Цель работы: изучение устройства, свойств, вольт-амперных характеристик и параметров МДП-транзисторов; приобретение навыков в исследовании полупроводниковых приборов.

2.1. Описание схем опытов

2.1.1. Объекты исследования:

* Q1 (рис. 2.1) – МДП-транзистор с индуцированным каналомn-типа.

2.2. Экспериментальное исследование

2.2.1. Вложенный анализ DC Sweep. Характеристики полевого транзистора jFET.

Задача 2.1

С помощью вложенного анализа DC Sweep получите характеристики полевого транзистора jFET.

Создайте следующую схему:

Рис.2.1 Схема включения с общим истоком

Для каждого значения будем изменять напряжениеот 0 до 15 В. Таким образом, изменение напряжениябудет составлять внутренний цикл, соответствующий источнику 1, а напряжение— внешний цикл, соответствующий источнику 2. Для устройств jFET нужно изменять напряжение от нуля до отрицательных значений. Введите данные в диалоговом окне анализа DC Sweep, следующие данные:

Source 1: ; Start value:0V; Stop value:15V;Increment:0,01V

Активировать Use source 2

Source 2:; Start value:-5V; Stop value:0V; Increment:0,5V

Щелкнем по вкладке Output. Добавим для анализа ток стокаI(JQ1[D]).

Нажмем кнопку Simulate, чтобы выполнить моделирование и добавить ток стока в график.

Таблица 2.1

Вариант	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11	12	13	14	15
,B	0-5	0-6	0-7	0-8	0-9	0-10	0-11	0-12	0-13	0-14	0-15	0-16	0-17	0-18	0-19
Increment мВ	10	20	30	40	50	60	70	80	90	100	90	80	70	60	50
,B	-5-0	-4-0	-3-0	-4-0	-5-0	-4-0	-3-0	-4-0	-5-0	-4-0	-3-0	-4-0	-5-0	-4-0	-3-0
Increment мВ	500

Вариант	16	17	18	19	20	21	22	23	24	25
,B	0-5	0-6	0-7	0-8	0-9	0-10	0-11	0-12	0-13	0-14
Increment мВ	40	30	20	10	100	90	80	70	60	50
,B	-4-0	-5-0	-4-0	-3-0	-4-0	-5-0	-4-0	-3-0	-4-0	-5-0
Increment мВ	500

Задача 2.2

Получение вольт-амперных характеристик полевого транзистора 2N3821 jFET с помощью IV-плоттера.

На панели измерителей найти и добавить IV-плоттер. Чтобы понять как соединить плоттер и транзистор нужно открыть плоттер двойным нажатием мыши на него. Заменить тестируемый образец с диода на транзистор. В правой нижней части экрана отобразиться схема подключения. Собрать схему. Настроим параметры плоттера. Нажать кнопку «Simulateparam.» и задать параметры моделирования использую вариант предыдущей задачи. После задания параметров запустить симуляцию.

Используйте для симуляции варианты предыдущего примера.

Задача 2.3

Включить схему эксперимента (рис. 2.2). Открыв панель источника Vgs, напряжения на затвореиз указанных в табл. 1.2). Последовательно задавая значения постоянного напряжения на выходе в табл. 1.2, измерить при каждом значенииток стока. Данные занести в соответствующую таблицу. Эту же процедуру повторить при других (указанных в табл.2.2) значениях напряжения на затворе.