Библиографический список

1. Прянишников В.А. электроника. Курс лекций. С − Пб.: «Корона − принт», 1998г, 400с.

2. Семенов Б.Ю. Силовая электроника для любителей и професси − оналов ∕ Б.Ю. Семенов. − М.: СОЛОН − Р, 2001г, 321с. − ISSBN5 -93455-089-6.

3. Сводный номенклатурный каталог HEXFET − мощные МОП ПТ , International Rectifier 2006г.

4. Аксенов А.И., Нефедов А.В., Юшин Ф.М. Элементы схем бытовой радиоаппаратуры. Диоды. Транзисторы. − М.: Радио и Связь, 1992г, 224 с.

5. Источники электропитания радиоэлектронной аппаратуры: Справочник ∕ Г.С. Найвельт, К.Б. Мазель и др. Под ред. Найвельта. − М.: Радио и Связь, 1985г, 576с .

Оглавление

Анализ работы ПТ MOSFET [1, 2]………………………………….3

Сравнение с биполярными триодами…………………………………..3

Емкости входной цепи ПТ . Переключение……………………………5

Требования к источнику сигнала…………………………………….…9

Паразитный БПТ в структуре ПТ MOSFET [2]…………………..10

Работа ПТ MOSFET в режиме ключа (режим D) . Показатели режима………………………………………………………………………..11

Потери на сопротивлении канала , включенного ПТ………………..13

Показатели режима ………………………….......................................14

Потери на переключение в ПТ MOSFET , работающем на различные виды нагрузок в режиме D………………………………...17

Параллельное включение MOSFET [2]……………………………29

Предельно допустимые параметры пт mosfet .

Выбор [1, 2, 3]………………………………………………………………..31

Область безопасной работы (ОБР) триода (рис. 13)……………...32

Тепловой расчет [3, 5]………………………………………………..34

Тепловая цепь . Параметры…………………………………………...34

Уравнения тепловой цепи……………………………………………..36

Определение тепловых сопротивлений………………………………38

Методика теплового расчета режима работы ПТ……………..41

Библиографический список…………………………………………50

Оглавление……………………………………………………………..50

51