Контрольные вопросы
1. Каковы физические основы изменения проводимости полупроводников под действием света?
Ответ:
При фотопроводимости первичный является
процесс поглощения фотонов. Если нет
поглощения, то нет и фотопроводимости.
Обратное утверждение неверно, так как
не любое, а фотоактивное поглощение
света вызывает изменение удельного
сопротивления. При таком поглощение
происходит увеличение концентрации
свободных носителей заряда и возрастает
удельная проводимость проводника.
2. Каков принцип увеличения фоточувствительности полупроводникового материала к воздействующему облучению?
Основной
принцип повышения фоточувствительности
материала заключается в увеличении
времени жизни неравновесных носителей
заряда. Для этого в материал вводятся
примеси, создающие в запрещенной зоне
уровни, называемыми «ловушками захвата»
Вывод
В
ходе выполнения данной лабораторной
работы были измерены значения сопротивлений
материала, под воздействием электромагнитного
излучения видимого спектра с разной
характеристикой длины волны и энергии
излучения, которые изменялись путем
изменения ширины щели. Построены графики
световой характеристики и спектральной
зависимости удельной проводимости
материала от световых характеристик и
длины волны соответственно. По графику
спектральной зависимости можно убедиться
в совпадение теории с экспериментальными
данными. Проводимость действительно
резко возрастает при уменьшении длины
волны от красной границы фотоэффекта,
и уменьшается в обратном направлении.