9. Контрольные вопросы

№ 1. Целью проектирования СБИС является разработка:

а) адекватной модели,

б) библиотеки,

в) топологии,

г) электрической схемы.

№ 2. Маршрут проектирования поддерживает методологию:

а) снизу-вверх,

б) сверху-вниз,

в) двунаправленную,

г) от простого к сложному.

№ 3. Для описания аппаратуры обычно используют языки:

а) русский,

б) английский,

в) prolog,

г) verilog.

№ 4. Исходным документом для проектирования СБИС является:

а) технические условия,

б) техническое задание,

в) техническая спецификация,

г) техническое описание.

№ 5. Расположите этапы ОКР в правильном порядке:

а) Эскизный проект - Технический проект - Рабочая конструкторская документация - Опытный образец,

б) Опытный образец - Эскизный проект - Рабочая конструкторская документация - Технический проект,

в) Опытный образец - Эскизный проект - Технический проект - Рабочая конструкторская документация,

г) Опытный образец - Рабочая конструкторская документация - Технический проект - Эскизный проект.

№ 6. Испытания бывают:

а) окончательные,

б) прикидочные,

в) предварительные,

г) выборочные.

№ 7. Перед началом моделирования переходных процессов проводят моделирование:

а) по постоянному току,

б) внутренних шумов,

в) по переменному току,

г) малосигнальных передаточных функций.

№ 8. Схемотехническое моделирование производился:

а) написанием программы на языках высокого уровня,

б) в spice-подобных программах,

в) разложением в ряд,

г) методом Монте-Карло.

№ 9. Типовой комплект разработки представляет собой:

а) набор программ для проектирования,

б) набор инструкций для разработчика,

в) библиотеки и шаблоны,

г) пример проекта.

№ 10. Типовой комплект разработки GPDK090 описывает:

а) технологический процесс Intel,

б) технологический процесс XFAB,

в) не привязан к технологическому процессу,

г) технологический процесс Cadence.

№ 11. В слот устройств PDK входят:

а) резисторы, транзисторы, диоды, конденсаторы,

б) операционные усилители, ЦАП, АЦП,

в) базовые ячейки, блоки ввода-вывода,

г) дифференциальные каскады, токовые зеркала, гираторы.

№ 12. PDK содержит правила проектирования:

а) КМОП цифровых устройств,

б) цифровых блоков ввода-вывода,

в) электрические параметры,

г) все перечисленные.

Ответы на вопросы: № 1 – в); № 2 – в); № 3 – г); № 4 – б); № 5 – а); № 6 – в); № 7 – а); № 8 – б); № 9 – в); № 10 – в); № 11 – а); № 12 – г).

Заключение

В учебном пособии рассмотрены методология проектирования аналоговых устройств, маршрут проектирования на основе платформы Virtuose и типового комплекта разработки (Generic Process Design Kit) для 90 нм БиКМОП технологии (компоненты, правила разработки, технологические файлы, слои, модели).

В результате изучения дисциплины формируются следующие компетенции (профессиональные навыки):

- знание основ теории автоматизированного проектирования, моделирования и характеризации УБИС с топологическими нормами до 90 нм;

- знание методологии и маршрутов проектирования цифровых, аналоговых схем и устройств смешанного сигнала;

- знание маршрута проектирования базовых технологических библиотек компонентов с топологическими нормами до 90 нм для САПР компании Cadence;

- знание особенностей маршрута проектирования полузаказных и заказных СБИС по технологическим нормам 90нм.

Таким образом, учебное пособие направлено на теоретическую и практическую подготовку специалистов в области системного проектирования аналоговых устройств в топологическом базисе 90 нм и меньше.