Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Учебники 6041.doc
Скачиваний:
3
Добавлен:
01.05.2022
Размер:
270.34 Кб
Скачать
    1. Цель работы

Получение навыков топологического проектирования аналоговых схем, на примере операционного усилителя.

    1. Теоретические сведения

Создание топологии аналоговых блоков возможно, как и в случае с цифровыми, двумя способами – способом синтеза и автоматической трассировки топологии и способом ручного проектирования.

Для описания поведенческих моделей используются языки высокого уровня Verilog-A, Verilog-AMS, VHDL-AMS. В настоящее время нет программ, обеспечивающих автоматическое преобразование описания на языке высокого уровня в электрическую схему и обратно. Развивается лишь программное обеспечение, обеспечивающее настройку простых аналоговых блоков в соответствии с результатами их моделирования на транзисторном уровне. Поэтому Синтез электрической схемы и топологии возможен с использованием перечисленных языков лишь в случае наличия аналоговых библиотек, то есть аналоговых модулей, таких как операционные усилители, компараторы, и д.р., что является большой редкостью для БиКМОП-техпроцессов, не говоря уже о КМОП-технологиях.

Маршрут проектирования топологии аналоговых блоков:

1. Разработка топологии с помощью синтезатора топологии на основе имеющейся электрической схемы либо с помощью ручного проектирования.

2. Проверка разработанной топологии на соответствие правил КТТ технологического процесса (DRC). Устранение ошибок.

3. Экстракция электрической схемы из топологии (EXT).

4. Верификация экстрактированной схемы с электрической принципиальной схемой (LVS).

5. Коррекция топологии по результатам верификации. В случае выявления ошибок повторная проверка DRC, экстракция схемы и верификация.

6. Экстракция электрической схемы из топологии с паразитными элементами.

7. Аналоговое моделирование экстрактированной схемы с паразитными элементами.

8. Коррекция электрической схемы и топологии по результатам аналогового моделирования. Проверки DRC, EXT, LVS. Повторное моделирование экстрактированной электрической схемы с паразитными элементами.

В целом последовательность этапов проектирования топологии аналоговых блоков аналогична маршруту проектирования цифровых блоков. Но есть и отличия. Основное отличие – невозможность синтеза топологии в том виде, в котором осуществляется синтез цифровых блоков, т.е. в библиотечных элементах. Следовательно, размещение структурных блоков и элементов топологии приходится осуществлять по большей части вручную. Второе отличие заключается в процессе анализа экстрактированной схемы (моделировании). Приемлемую точность может обеспечить, как правило, лишь, аналоговое моделирование. Следующее отличие заключается в осуществлении коррекции топологии по результатам проверки на соответствие требованиям КТТ и моделирования. Цифровая схема проходит повторный процесс синтеза, аналоговый блок приходится корректировать вручную, что бывает не всегда осуществимо с прежней конфигурацией топологией, коррекция – трудоемкий процесс. Поэтому разработка топологии аналогового блока, несравненно более кропотливая работа, требующая, гораздо больше времени и специфического инженерного опыта по сравнению с разработкой топологии цифровых схем.

Размещение аналогового блока на кристалле

Размещение аналоговых и аналогово-цифровых блоков, как правило, производится рядом с контактными площадками. Это позволяет существенно уменьшить длину связей между выводами блоков и контактными площадками и избавится от большей части перекрестных помех, так как цифровые сигнальные линии обычно в этом случае трассируются на некотором удалении от размещаемых блоков. Прецизионные аналоговые блоки следует размещать в середине сторон кристалла в местах наименьших механических напряжений.

Размещение аналоговых блоков следует осуществлять в местах, наиболее удаленных от мощных модулей, осцилляторов, умножителей, высокочастотных тактовых деревьев.

При проектировании топологии для проведения сигнальных связей используются не все уровни металлизации. Уровни сигнальных связей чередуются с уровнями системы питания и экранирования. Верхний уровень металлизации, как правило, используется для системы питания и экранирования.

Одним из важных правил является отсутствие пересечения сигнальными линиями цифровых блоков площадей, занятых аналоговыми блоками. Это связано, в первую очередь, с проблемой возникновения цифровых шумов, так как цифровые сигналы являются их сильным источником. Поэтому при построении аналоговых блоков, применяемых впоследствии в системах на кристалле, учитывается возможное негативное влияние таких пересечений и выделяется строго определенное место расположения таких блоков в кристалле общей субсистемы, где такое пересечение не будет осуществляться. В дальнейшем при трассировке общей топологии кристалла устанавливается полный запрет трассировки межсоединений над площадями аналоговых блоков.

Уровень требований к стабильности параметров и технологический разброс параметров определяет и необходимые средства по снижению разброса.

Трассиорвка межсоединений.

При трассировке соединений следует придерживаться нескольких правил. Во-первых, длина соединений должна по возможности быть минимальной. Это достигается путем правильного расположения трассируемых элементов. Во-вторых, шины питания и земли следует делать шире минимальной ширины (определяется топологическими нормами) слоя металла, так как через них протекают значительные токи. В зависимости от протекающего тока, ширина шины может превышать минимальную ширину более, чем в 10 раз. Для удобства трассировки, шины земли и питания следует проводить слоем металла первого уровня, стараясь избегать перехода на слой второго уорвня, используемый, в основном, для межэлементных соединений.

В-третьих, между длинным узкими шинами могут возникать значительные паразитные емкости, поэтому такие шины недопустимы в схемах, к которым предъявляются высокие требования по быстродействию.

В-четвертых, необходимо, по возможности, использовать как можно меньшее количество слоев металла. Также следует минимизировать количество переходов с одного слоя металла на другой. Для аналоговых блоков необходимо подбирать ширину шин и количество контактов таким образом, чтобы максимальный ток был ниже максимальной токовой нагрузки в несколько раз.

2. ЛАБОРАТОРНЫЕ ЗАДАНИЯ И МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ ПО ИХ ВЫПОЛНЕНИЮ

1.Разработать топологию операционного усилителя.

Электрическая схема операционного усилителя представлена на рис. 4.

Рис. 4. Электрическая схема операционного усилителя

Топологию дифференциальной пары (М3 и М4) необходимо взять из лабораторной работы № 2.

2. Провести верификацию разработанной топологии операционного усилителя

3. КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ К ЛАБОРАТОРНЫМ ЗАДАНИЯМ

1. Какие трудности возникают перед разработчиком при проектировании топологии аналоговых схем?

2. Для каких целей при проектировании топологии используют симметрию?

3. Какие правила трассировки межсоединений Вы знаете?

4. Какие рекомендации по размещению аналоговых блоков на кристалле Вы знаете?

БИБЛИОГОРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

  1. Reference Manual For Generic 90nm Salicide 1.2V/2.5V 1P 9M Process Design Kit (PDK) Revision 4.5. Cadence Design Systems.

  2. GPDK 90 nm Mixed Signal GPDK Spec. Cadence Design Systems.

  3. Балашов Ю.С., Русанов А.В. Топологическое проектирования аналоговых устройств для 3D изделий: Учебное пособие.— Воронеж: Воронеж. гос. техн. ун-т, 2011

  4. Русанов А.В., Сафонов И.А., Среда проектирования аналоговых устройств Cadence.: методические указания к лабораторной работе. Воронеж: ВГТУ, 2010.

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ

к лабораторным работам № 1-3

по дисциплине «Проектирование топологии аналоговых устройств УБИС»

Составители: Балашов Юрий Степанович

Русанов Александр Валерьевич

В авторской редакции

.

Усл. печ. л. 1,1. Уч.-изд. л 1,0

ФГБОУ ВПО «ВГТУ», «Воронежский государственный технический университет»

394026 Воронеж, Московский просп., 14

ФГБОУВПО «Воронежский государственный технический университет»

СПРАВОЧНИК МАГНИТНОГО ДИСКА

(кафедра Радиоэлектронных устройств и систем)

Ю.С. Балашов, А.В.Русанов

Лабораторные работы № 1-3

Методические указания

Русанов Л.р. № 1-3.doc 262 КБ 10.10.11 1,0 уч.-изд. л.

2

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]