1. Типовые задания входного тестирования. (Вариант 1)

Задание 1.

1. Как связаны между собой амплитудно – частотная и переходная характеристики АЭУ. Ответ пояснить графически.

2. Изобразить примерный вид семейства проходных характеристик униполярного транзистора с управляемым p – n переходом (канал р – типа).

3. Изобразить схему аналогового резистивного каскада с последовательным питанием на БПТ n – р – n типа с параметрами ФНБ и термостабилизацией (диод). (Схема с ОБ).

4. Изобразить схему резистивного каскада на униполярном транзисторе с изолированным затвором (индуцированный канал р – типа) и параллельной схемой питания. Параметры ФНЗ ИС. (Схема с ОИ).

Задание 2.

1. Дать краткое пояснение физики работы МОП транзистора с изолированным затвором и встроенным каналом (канал р – типа) в режиме обеднения.

2. Изобразить схему аналогового резистивного каскада с параллельным питанием на БПТ р-n-p типа с параметрами ФНБ с КС. (Схема с ОБ).

3. Изобразить примерный вид семейства проходных характеристик униполярного транзистора с управляемым p – n переходом (канал n – типа.

4. Изобразить схему резистивного каскада на униполярном транзисторе с встроенным каналом в режиме обогащения (каналом n – типа) и параллельной схемой питания. Параметры ИС. (Схема с ОИ).

Задание 3.

1. Перечислите основные режимы работы БПТ по постоянному току. Дать пояснение на основе выходных статических характеристик.

2. Изобразить примерный вид семейства входных характеристик (с численными параметрами) БПТ n – р -n типа для схемы с ОЭ.

3. Изобразить схему аналогового резистивного каскада с параллельным питанием на БПТ n – р -n типа с параметрами ФНБ.

(Схема с ОК).

2

4. Изобразить схему резистивного каскада на униполярном транзисторе с встроенным каналом в режиме обеднения (каналом n – типа) и последовательной схемой питания. Параметры ФНЗ ИС. (Схема с ОЗ).

Задание 4.

1. Что понимается под величиной частотных искажений АЭУ. Представить аналитический и графический варианты ответа.

2. Изобразить примерный вид семейства проходных характеристик униполярного транзистора с изолированным затвором (канал р – типа) и встроенным каналом.

3. Изобразить схему аналогового резистивного каскада с параллельным питанием на БПТ n – р -n типа с параметрами ФНБ с ЭС. (Схема с ОЭ).

4. Изобразить схему резистивного каскада на униполярном транзисторе с встроенным каналом в режиме обогащения (каналом р – типа) и параллельной схемой питания. Параметры ИС. (Схема с ОИ).

Задание 5.

1. Дать краткое пояснение физики работы БПТ n – р – n типа.

2. Изобразить примерный вид семейства проходных характеристик униполярного транзистора с изолированным затвором (канал n – типа) и индуцированным каналом.

3. Изобразить схему аналогового резистивного каскада с параллельным питанием на БПТ р – n - p типа с параметрами ФTБ . (Схема с ОБ).

4. Изобразить схему резистивного каскада на униполярном транзисторе с изолированным затвором (индуцированный канал р – типа) и параллельной схемой питания. Параметры ИС. (Схема с ОИ).

Задание 6.

1. Дать краткое пояснение физики работы МОП транзистора с изолированным затвором и встроенным каналом (канал n – типа) в режиме обеднения.

2. Изобразить примерный вид семейства входных характеристик (с численными параметрами) БПТ n – р - n типа для схемы с ОК.

3. Изобразить схему аналогового резистивного каскада с последовательным питанием на БПТ n – р -n типа с параметрами ФTБ. (Схема с ОБ).

4. Изобразить схему резистивного каскада на униполярном транзисторе с встроенным каналом в режиме обогащения (каналом р – типа) и параллельной схемой питания. Параметры ИС. (Схема с ОИ).

3

Задание 7.

1. Что понимается под амплитудной характеристикой АЭУ. Ответ пояснить графически.

2. Изобразить примерный вид семейства входных характеристик (с численными параметрами) БПТ р-n-p типа для схемы с ОБ.

3. Изобразить схему аналогового резистивного каскада с параллельным питанием на БПТ n – р - n типа с параметрами ФНБ с ЭС. (Схема с ОЭ).

4. Изобразить схему резистивного каскада на униполярном транзисторе с изолированным затвором (индуцированный канал р – типа) и параллельной схемой питания. Параметры ФНЗ ИС. (Схема с ОИ).

Задание 8.

1. Как найти АЧХ АЭУ, если задана его дробно – рациональная передаточная функция.

2. Изобразить примерный вид семейства проходных характеристик униполярного транзистора с изолированным затвором (канал n – типа) и встроенным каналом в режимах обеднения и обогащения.

3. Изобразить схему аналогового резистивного каскада с параллельным питанием на БПТ р-n-p типа с параметрами ФTБ с КС. (Схема с ОБ).

4. Изобразить схему резистивного каскада на униполярном транзисторе с изолированным затвором (индуцированный канал р – типа) и параллельной схемой питания. Параметры ФНЗ ИС. (Схема с ОЗ).

Задание 9.

1. Дать характеристику минимально – фазовой линейной цепи.

2. Изобразить примерный вид семейства проходных характеристик униполярного транзистора с изолированным затвором (канал n – типа) и встроенным каналом. Режим обеднения.

3. Изобразить схему аналогового резонансного каскада с параллельным питанием на БПТ р-n-p типа с параметрами ФНБ с КМС и термостабилизацией (БПТ в диодном включении). (Схема с ОЭ).