Виды модуляции
Модуляция – это процесс изменения одного или нескольких параметров радиочастотных колебаний под действием управляющего сигнала.
В зависимости от изменяющегося параметра различают: амплитудную, частотную и фазовую модуляции.
1. Амплитудно-модулированный сигнал – это р/частотные колебания, амплитуда которых изменяется во времени по закону управляющего сигнала звуковой частоты.
При амплитудной модуляции гармонического колебания воздействию подвергается амплитуда несущего сигнала, изменяемая во времени в соответствии с изменением передаваемого сигнала.
Сложный амплитудно-модулированный сигнал образуется путем наложения управляемого сигнала на несущие колебания. Все три колебания показывают характер изменения амплитуды сигнала во времени.
2. Частотно-модулированный сигнал – радиочастотные колебания, частота которых изменяется во времени по закону управляющего сигнала. В зависимости от величины управляющего сигнала, частота модулированных колебаний то возрастает, то уменьшается.
Рис. 2. Модулированные сигналы:
а – управляющий; б – несущий; в – амплитудно-модулированный;
г – фазово-модулированный; д – частотно-модулированный.
Общие сведения о полупроводниковых приборах
К полупроводниковым приборам относятся вещества, которые по своей удельной проводимости занимают промежуточное место между проводниками и диэлектриками и отличаются от проводников сильной зависимостью удельной проводимости от концентрации примесей, температуры и различных видов излучений.
В полупроводниковой электронике наибольшее применение получили элементы 4 группы таблицы Д. И. Менделеева – кремний Si, германий Ge. К полупроводникам относятся многие окислы металлов, например оксид цинка, закись меди.
Проводимость, осуществляемая за счет движения электронов, называется электронной проводимостью. Такие полупроводники называют полупроводниками n типа (отрицательный).
Проводимость, осуществляемая за счет движения дырок – дырочная проводимость. Полупроводники p типа (положительные).
Основным элементом полупроводниковых приборов является электронно-дырочный переход, или p-n переход.
Электронно-дырочным переходом называется область раздела двух частей полупроводника с различным типом проводимости.
Электронно-дырочные переходы получают методами диффузии или вплавливания соответствующих примесей пластины монокристаллического полупроводника n и р типа. В пластине полупроводника образуется две области. В области р концентрация дырок намного больше, чем в n-области, где они являются не основными. Для n-области, наоборот, концентрация электронов намного больше, чем в р-области, где они будут являться не основными. Вследствие разности концентрации носителей зарядов происходит перенос основных носителей через переход: дырки из р области переходят в n область, а электроны их n области диффундируют в р область. На некотором удалении от перехода происходит рекомбинация дырок и электронов. Вблизи перехода в полупроводнике n типа наблюдается избыток положительных зарядов, образованных неподвижными положительными ионами доноров, а в полупроводнике р типа – избыток отрицательных зарядов, образованных неподвижными отрицательными ионами акцепторов.
В результате вблизи перехода возникает пространственный заряд ионов, создающий электрическое поле на переходе и вызывающий появление потенциального барьера, который препятствует дальнейшему протеканию основных носителей после достижения состояния равновесия. При таком состоянии n область заряжена положительно относительно р области. Образованный в переходе запирающий слой делает невозможным протекание основных носителей зарядов и в то же время не препятствует протеканию через переход в противоположном направлении не основных носителей, т.е. дырок из n в р и электронов из р в n области
Рис. 3. электронно-дырочный переход