Заключение

Технология 3D интеграции получает все более широкое применение при решении проблем увеличения коэффициента упаковки, быстродействия и надежности сложных функциональных модулей, содержащих в своем составе блоки, выполненные по технологии МЭС, МЭМС и МИЭМС. Проведенный нами анализ показал серьезное отставание нашей промышленности в разработке технологии и оборудования для производства интегрированных блоков. Методы контроля при интеграции чип на пластине и чип на чипе достаточно традиционны, так как представляют собой адаптированные и хорошо разработанные методики контроля печатных плат. Наиболее сложным и эффективным видом интеграции является интеграция типа пластина на пластине, сочетающая в себе технологии КСДИ структур и технологии TSV. В связи с отсутствием учебной литературы по технологии интегрированных структур материал, содержащийся в учебном пособии, может быть использован студентами для изучения основных методов контроля применяемых зарубежными фирмами при разработке специального технологического и контрольно-измерительного оборудования.

Библиографический список

1. Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов М.В.Ш.,1987,-с. 235

2. Зи С. Физика полупроводниковых приборов М.: Мир,1984 ч.1 с.452

3. Асеев А.Л. // Российские нанотехнологии, 2006. Т. 1. № 1, 2. С. 97.

4. Ржанов А.В., Свиташев К.К., Семененко А.И., Семененко Л.В.,Соколов, В.К. Основы эллипсометрии. Новосибирск, Наука, 1979. 424 с.

5. Азам Р., Башара Н. Эллипсометрия и поляризованный свет. М.: Мир, 1981.583 с.

6. Швец В.А., Спесивцев Е.В., Рыхлицкий С.В., Михайлов Н.Н. Эллипсометрия-прецизионный метод контроля тонкопленочных структур с субнанометровым разрешением. Нано, 2008 г.

7. Березина С. И., Лямов В. E., Солодов И. Ю., Акустическая микроскопия, "Вестник МГУ. Сер,Физика, Астрономия", 1977, т. 18, № 1, с. 3.

8. Кесслер Л. У., Юхас Д. Э., Акустическая микроскопия, "ТИИЭР", 1979, т. 67, № 4, с. 96.

9. Белл Р.Дж. Введение в фурье-спектроскопию. М.: Мир, 1975. 160 с.

10. Милехин А.Г. , C.Himcinschi, M. Friedrich, K. Hiller, M/ Wierner, T. Gessner, S.Schulze, D.R.T. Zahn Инфракрасная спектроскопия кремниевых сращенных пластин // Физика и техника полупроводников, 2006,том 40, вып.11, с.1338-1347.

11. Неволин. В.К. Физические основы туннельно-зондовой нанотехнологии. Учебное пособие. ГОУ ГТУ МИИЭТ,-2004 г.

13. Миронов В.Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии // РАН Институт физики микроструктур, Нижний Новгород, 2004.

Содержание

ВВЕДЕНИЕ 3

1. Характеристика состояния метрологического обеспечение технологического процесса производства 3D модулей 4

2. Контроль электрофизических параметров физических структур 5

2.1. Методы и оборудование для измерения удельного сопротивления полупроводников 5

2.2. Метод Ван-дер-Пау измерения удельного сопротивления тонких однородных пластин произвольной формы 10

2.3. Методы и оборудование для измерения концентрации и профиля распределения примесей емкостным методом. 13

2.4. Контроль технологического процесса с использованием тестовых МДП структур 19

2.4.1. Устройство МДП-структур и их энергетическая диаграмма 19

2.4.2. Уравнение электронейтральности 20

2.4.3. Экспериментальные методы измерения вольт-фарадных характеристик 25

2.4.4. Определение параметров МДП-структур на основе анализа C-V характеристик 28

2.4.5. Определение плотности поверхностных состояний на границе раздела полупроводник - диэлектрик 31

3. Оптические методы контроля в технологических процессах 3D интеграции 35

3.1. «Классическая» оптическая микроскопия 35

3.2. Конфокальная микроскопия 39

3.3. Сканирующая ближнепольная оптическая микроскопия (СБОМ) 44

3.4. Методы контроля тонкопленочных структур с субнанометровым разрешением – Фурье- спектроскопия 45

3.5. Акустическая микроскопия 53

4. Электронная микроскопия 71

4.1. Сканирующая зондовая микроскопия 71

Учебное издание

Акулинин Станислав Алексеевич

КОНТРОЛЬНО-ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ОПЕРАЦИИ

В ТЕХНОЛОГИИ ИНТЕГРИРОВАННЫХ МОДУЛЕЙ

Подписано к изданию 30.12.2010

Уч. - изд. л. 6,1.

Воронежский государственный технический университет