- •Ведение
- •1. Элементы биполярных интегральных схем
- •1.1.Биполярный полупроводниковый транзистор
- •1.1.1. Теория p-n-перехода в условиях равновесия
- •1.1.3. Вольт-амперная характеристика р - n-перехода
- •1.1.4. Качественный анализ работы биполярного транзистора
- •1.1.5. Статические характеристики транзистора в схеме с об
- •1.1.6. Статические характеристики в схеме с оэ
- •1.1.7. Статические параметры транзисторов
- •1.1.8. Биполярный транзистор как четырехполюсник
- •1.1.9. Особенности дрейфовых транзисторов
- •1.2. Интегральные резисторы
- •2. Полевые транзисторы на основе структур металл — диэлектрик –полупроводник (мдп)
- •2.1. Устройство мдп транзистора
- •2.2. Качественный анализ работы мдп транзистора
- •2.3. Уравнение для вольт-амперных характеристик мдп транзистора
- •Модуляция длины канала
- •Эффект подложки
- •Пробой в мдп транзисторах
- •2.4. Характеристики мдп транзистора
- •2.5. Статические параметры мдп транзистора Крутизна вольт-амперной характеристики
- •Внутреннее, или динамическое, сопротивление
- •Сопротивление затвора
- •2.6. Частотные свойства мдп транзистора
- •3. Соединения и контактные площадки
- •4. Базовые схемы логических элементов на биполярных и полевых транзисторах
- •5. Разработка топологии ис
- •6. Разработка фотошаблонов для производства имс
- •7. Технологический процесс
- •7.1. Эпитаксия кремния
- •Эпитаксия из газовой фазы
- •Легирование при эпитаксии
- •7.2. Формирование диэлектрических слоев
- •Маскирующие свойства слоев диоксида кремния
- •Термическое окисление кремния
- •Плазмохимическое окисление кремния
- •Покрытия из нитрида кремния
- •7.3. Диффузионное легирование в планарной технологии
- •7.4. Ионное легирование
- •7.5. Литографические процессы
- •7.6. Металлические слои
- •Методы распыления в вакууме
- •7.7. Основные этапы технологического цикла (Пример)
- •6. Разработка профильной схемы технологического маршрута имс.
- •7. Заключение.
- •8. Список цитируемой литературы.
- •Календарный план
- •Реферат
- •Примерный перечень тем курсовых проектов
- •Библиографический список
- •394026 Воронеж, Московский просп., 14
1.1.3. Вольт-амперная характеристика р - n-перехода
Зависимость между током I и напряжением V, заданная аналитически или представленная графически, называется вольт-амперной характеристикой р—n-перехода. Для получения статической вольт-амперной характеристики р—п-перехода нужно, зная приложенное напряжение, найти стационарное распределение дырок в п- и электронов в р-областях, определить их градиенты на границах перехода и рассчитать дырочную и электронную компоненты токов.
Количественный анализ упрощается при следующих допущениях:
а) ширина перехода мала, и процессами генерации и рекомбинации носителей в области перехода можно пренебречь, что позволяет считать электронные и дырочные инжекционные токи на границах перехода неизменными;
б) сопротивление перехода значительно больше сопротивления р- и n-областей, и все внешнее напряжение приложено непосредственно к р—n-переходу;
в) концентрация неосновных носителей, инжектированных в каждую область, много меньше концентрации основных носителей в этих областях, что позволяет не учитывать дрейфовые составляющие тока в р- и n-областях. Таким образом, вне р—n-перехода неосновные носители движутся только за счет диффузии, и, следовательно, изменение их концентрации описывается уравнением диффузии. Так, концентрация дырок р в n-области описывается уравнением
(1.6)
Где Lp = - диффузионная длина, Dp = - коэффициент диффузии, μp — подвижность дырок, р — время жизни дырок в n-области при граничных условиях:
а) избыточные дырки полностью рекомбинируют на большом по сравнению с диффузионной длиной расстоянии от р—n-перехода:
(p – pn)|x→∞ → 0 (1.7)
б) концентрация избыточных дырок на границе р—n-перехода подчиняется соотношению Больцмана:
p(x→ -ln) = pnexp(qV/kT). (1.8)
Решая уравнение (1.1.4) с граничными условиями (1.7) и (1.8) получим:
p = pn[exp(qV/kT) -1]exp(-x/Lp). (1.9 )
Диффузионный ток дырок через переход равен
Ip = (1.10)
где S — площадь перехода.
Аналогичным способом можно получить выражение для диффузионного тока электронов:
In = (1.11)
Полный ток через переход и, следовательно, через весь прибор равен сумме токов дырок и электронов:
I = Ip + In = (1.12)
где Is = Ips + Ins = qS - ток насыщения, Ips = qS - электронная, а Ins = qS - дырочная составляющие токов насыщения.
При больших значениях обратного напряжения (1.12), ток через переход постоянен и равен Is, при прямых напряжениях V>>kT/q ток экспоненциально возрастает (рис. 1.4). Токи насыщения обычно очень малы и составляют 10-6 – 10-5 A для германиевых и 10-8 – 10-7 A для кремниевых переходов с площадью в несколько квадратных миллиметров.
Рис. 1.4. Статическая вольт-амперная характеристика р—n-перехода. Обратные характеристики описывают следующие режимы пробоя: а — туннельный, б — лавинный; в — тепловой
При высоких обратных напряжениях может наступить пробой р—n-перехода. В этом случае ток резко возрастает за счет ударной ионизации (а), туннельного эффекта (б) или повышения температуры (в), и выражение (1.12) становится неприменимым (рис. 1.4).