Библиографический список

1. Курносов А.И. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем / А.И. Курносов, В.В. Юдин. М.: Высшая школа, 1986. 315 с.

2. Ефимов И.Е. Микроэлектроника: учеб. пособие для вузов / И.Е. Ефимов, И.Я. Козырь, Ю.И. Горбунов. М.: Высш. шк. 1986. 464 с.

3. Пичугин И.Г. Технология полупроводниковых приборов / И.Г. Пичугин, Ю.М. Таиров. М.: Высш. шк., 1984. 289 с.

4. Чистяков Ю.Д. Физико-химические основы технологии микроэлектроники / Ю.Д. Чистяков, Ю.П. Райнова. М.: Металлургия, 1979. 279 с.

5. Черняев В.Н. Физико-химические основы технологии РЭА / В.Н. Черняев. М.: Высш. шк., 1987. 189 с.

6. Парфенов С.Д. Технология микросхем / С.Д. Парфенов. М.: Высш. шк., 1986. 305 с.

7. Коледов Л.А. Технология и конструирование микросхем, микропроцессоров и микросборок / Л.А. Коледов. М.: Радио и связь, 1989. 115 с.

8. Технология СБИС / под ред. С. Зи. М.: Мир. 1983. 98 с.

9. Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы / В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин. М.: Высш. шк. 1987. 306 с.

10. Кремнивые планарные транзисторы. / под ред. Я.А. Федотова М.: Сов. Радио. 1973. 335 с.

11. Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров / В.Н. Черняев. М.: Радио и связь. 1987. 215 с.

12. Плазменная технология в производстве СБИС. / под ред. П. Айнспурка, Д. Брауна, пер. с англ. под ред. Е.С. Машковой. М.:Мир, 1987. 321 с.

13. Риссел Х. Ионная имплантация: пер с нем. / Х. Риссел, И. Руге под ред. М.И. Гусева. М.: Наука, 1983. 342 с.

14. Валиев К.А. Физические основы субмикронной литографии / К.А. Валиев, А.В. Раков. М.:-Радио и связь, 1985. 273 с.

15. Тилл У. Интегральные схемы. Материалы. Приборы. Изготовление. Пер. с англ. / У. Тилл, Дж. Лаксон; под ред. М.В. Гальперина: М.: Мир, 1988. 264 с.

16. Сугано Т. Введение в микроэлектронику / Т. Сугано, Т. Икомо, Е. Такзиси. М.: Мир, 1989. 315 с.

17. Березин А.С. Технология и конструирование интегральных микросхем / А.С. Березин, О.Р. Мочалкина. М.: Радио и связь, 1992. 249 с.

Содержание

Введение. Получение структур методом диффузии 1

1. Распределение примеси при диффузии 1

2. Технологические приемы получения диффузионных

структур 4

3. Методы расчетов диффузионных структур 7

4. Определение режимов диффузии 16

5. Получение структур методом ионной имплантации 23

6. Физические представления об имплантации 24

7. Режимы ионной имплантации 32

8. Отжиг и диффузия ионно-имплантированных слоев 34

9. Методы расчетов ионно-имплантированных структур 39

10. Определение режимов имплантации 46

Варианты курсовых заданий для расчетов 54

Библиографический список 57 диффузионные процессы в технологии изготовления полупроводниковых приборов

МЕТОДИЧЕСКОЕ РУКОВОДСТВО

по расчетной части курсового проекта дисциплины «Технология изделий электронной техники» для студентов очной формы обучения направления 140400.62 «Техническая физика»

Составители:

Ситников Александр Викторович

Бабкина Ирина Владиславовна

В авторской редакции

Подписано к изданию 13.01.2012

Уч.-изд. л. 3,6. «С»

ФГБОУВПО «Воронежский государственный

технический университет»