7. Поясните, как диоды vd2 и vd5 способствуют увеличению скорости переключения транзисторов мультивибратора, изображенного на рис. 2.

Для дополнительного улучшения формы импульсов и повышения быстродействия мультивибратора включены диоды VD2 и VD5. Благодаря им, транзисторные ключи не входят в режим глубокого насыщения, поскольку при чрезмерном снижении потенциала коллектора (а именно из-за его снижения транзистор входит в насыщение: в базе транзистора накапливается избыточный заряд, поскольку потенциала коллектора оказывается просто недостаточно для “вытягивания” избыточных носителей заряда из области базы) диод открывается и обеспечивают фиксацию потенциала коллектора на минимально- достаточном уровне. Отсутствие накопленного избыточного заряда в области базы приводит к более быстрому выключению транзистора (если же этот заряд есть, то запирающий отрицательный потенциал, приложенный к базе

транзистора, не сразу обеспечит его выключение; транзистор будет оставаться в проводящем состоянии, до тех пор, пока не рассосётся накопившийся избыточный заряд).

8. Пользуясь экспериментально зарегистрированными временными диаграммами, поясните назначение "охранных" диодов vd3 и vd6 в схеме мультивибратора, изображенного на рис. 2.

От возможного пробоя транзисторы защищены т. н. “охранными” диодами VD3 и VD6. При таком подключении диодов к транзисторам запирающее отрицательное напряжение на эмиттерно-базовом переходе транзистора не превышает прямого падения напряжения на диоде (порядка одного вольта).

Напряжение такой величины, более чем достаточное для надежного запирания транзисторов, никак не способно вызвать электрический пробой транзистора любого типа. Важно заметить, что при открывающем положительном потенциале на базе транзистора его “охранный” диод оказывается закрытым и не оказывает на работу защищаемого транзистора никакого влияния

9. Поясните, как изменится работа схемы мультивибратора, изображенного на рис. 2, если исключить из неё сопротивления r7 и r10 (заменив их проводниками).

Изменится форма выходных импульсов, так как изменится момент открытия транзисторов, мультивибратор продолжит работать.

10. Почему на период колебаний автоколебательного мультивибратора влияет управляющее напряжение смещения базовых цепей транзисторов (eупр)?

Если увеличить управляющее напряжение смещения базовых цепей транзисторов, энергии будет отдаваться больше, и будет увеличиваться

длительность импульсов приложенных к базе транзистора, а при снижении напряжения, энергии будет отдаваться меньше, и длительность импульсов будет уменьшаться. Таким образом, изменяя длительность импульсов, поступающих на базу транзистора, можно изменять напряжение вторичной обмотки этого транзистора.

11. Проанализируйте, может ли повлиять на период колебаний мультивибратора, построенного по схеме рис. 1, изменение сопротивлений rk1 и rk2.

При правильном расчёте мультивибратора, сопротивление коллекторных резисторов должно быть меньше базовых резисторов, т.к. коллекторные резисторы обеспечивают быстрый заряд конденсаторов. Длительность между переключениями (частота мультивибратора) определяется «медленным» перезарядом конденсаторов. Время перезаряда определяется номиналами RC цепочек – базовых резисторов и конденсаторов (R2C1 и R3C2).

Мультивибратор может вырабатывать как симметричные, так и не симметричные по длительности выходные импульсы. Длительность импульса (высокого уровня) на коллекторе VT1 определяется номиналами R3 и C2, а длительность импульса (высокого уровня) на коллекторе VT2 определяется номиналами R2 и C1.

Длительность перезаряда τ (в секундах) конденсаторов определяется формулой:

τ = RC, где

R – сопротивление резистора (Ом),

С – ёмкость конденсатора в (Фарада). Таким образом: τ1 = R3C2, τ2 = R2C1

При равенстве R2=R3 и С1=С2, на выходах мультивибратора будет

«меандр» - прямоугольные импульсы с длительностью равной паузам между импульсами.