- •Методические указания к выполнению лабораторных работ по курсу «Электроника и микропроцессорная техника» исследование характеристик усилительных каскадов на транзисторах и операционных усилителях
- •Описание лабораторного стенда для исследования транзисторных усилительных каскадов
- •Общие сведения
- •1.Транзистор как линейный усилитель
- •2.Частотные свойства транзисторных усилительных каскадов.
- •Лабораторная работа № 1 Исследование транзисторного каскада при различных способах включения усилительного прибора
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Лабораторная работа № 2 Исследование частотных свойств транзисторного усилительного каскада
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Описание лабораторного стенда для исследования усилительных каскадов на базе операционных усилителей
- •Общие сведения
- •Лабораторная работа № 1 Исследование основных способов включения операционных усилителей в схему устройства
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Лабораторная работа № 2 Исследование частотных свойств усилительных каскадов на базе операционных усилителей
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
Требования к отчету
Отчет о лабораторной работе должен содержать:
краткие теоретические сведения;
описание экспериментальной установки;
таблицы с результатами экспериментов;
графики;
выводы по работе.
Лабораторная работа № 2 Исследование частотных свойств транзисторного усилительного каскада
Цель работы:
1. Изучение частотных свойств транзисторного усилительного каскада;
2. Приобретение практических навыков построения схем усилительных каскадов.
Порядок выполнения работы
Основным содержанием экспериментальных исследований является измерение АЧХ каскада при различных вариантах его построения. Исследования ведутся в двух частотных областях: в области низких частот (f < 1 кГц) и в области высоких частот (f >1 кГц). Поставить переключатели S2 и S4 в положение 2, с помощью потенциометра Eсм установить постоянную составляющую эмиттерного тока Iэ0 = 2,0 - 6 мА.
Во всех пунктах лабораторной работы производится измерение действующих значений.
ВНИМАНИЕ! При изменении положения переключателя S2 необходимо заново произвести установку эмиттерного тока.
1. В области НЧ (f ≤ 1 кГц) исследовать зависимость от частоты f передаточных свойств разделительной цепи и транзистора в каскаде с ОЭ:
S1 - 1; S2 – 2; S3 - 1; S5 – 2; S6 – 1
Для этого установить на частоте 10 Гц уровень входного сигнала UG ~ 10 - 30 мВ (режим генератора «~») и далее не изменяя уровень U, измерить частотные зависимости напряжений UG, Uб и Uк.
По результатам измерений вычислить значения коэффициентов передачи разделительной цепи Kp(f) = Uб(f)/UG и транзистора Kf(f) = Uк(f)/Uб(f), а также значения нормированной АЧХ (НАЧХ) разделительной цепи Mp(f) = Kp(f)/Kp0 и нормированной АЧХ (НАЧХ) эквивалентного транзистора Mf(f) =Kf(f)/Kf0, где Kp0 и Kf0 - значения коэффициентов передачи Kp(f) и Kf(f) на частоте 1 кГц. Сопоставить полученные результаты с теоретическими, определяемыми соотношениями, приведенными в разделе "Частотные свойства усилителей" (для этого представить в общих координатных осях графики теоретических и экспериментальных зависимостей).
2. Измерить частотные характеристики коэффициента передачи каскада MB в области верхних (f ≥ 1 кГц) частот в схеме с ОЭ:
S1 - 2; S2 - 2; S3 - 4; S4 - 2; S5 - 1; S6 - 2
Для этого установить UG ~ 13 мВ. Снять частотную характеристику коэффициента передачи каскада MB(f) = K(f)/K0 (1 кГц), где K(f) = Uк/UG - коэффициент передачи каскада, K0 - значение коэффициента передачи каскада K(f) на частоте 1 кГц, в диапазоне частот от 1 кГц и выше при двух значениях сопротивления нагрузки:
а) r'н1= R14//R18 (S6 – 2)
б) r'н2=R14 (S6 - 1).
По данным эксперимента на частоте 18 кГц вычислить MB1 и MB2, т.е. значения MB при r'н1 и r'н2. На основании измеренных MB1 и MB2 вычислить значения параметров и C с помощью системы уравнений:
MB 1 = (1+ 22)-0,5 · (1+ 2C2r'н12)-0,5,
MB 2 = (1+ 22)-0,5 · (1+ 2C2r'н22)-0,5.
3. Исследовать ход АЧХ и НАЧХ в области верхних частот (1 кГц ≤ f ≤ 18 кГц) при различных вариантах включения транзистора:
а) ОЭ: S1 - 2; S2 - 2; S3 - 4; S4 - 2; S5 - 1; S6 – 2 (снято в п.2),
б) ОБ: S1 - 5; S2 - 2; S3 - 4; S4 - 2; S5 - 5; S6 - 2 (Uэ ~ 0,015 В),
в) ОК: S1 - 2; S2 - 2; S3 - 3; S4 - 2; S5 – 3 (Uб ~ 0,5 В).
Результаты исследований представить в виде графиков MB (f) = K(f)/K0(1 кГц), где K = Uвых/UG - коэффициент передачи каскада, Uвых - напряжение на выходе усилителя (Uк или Uэ в зависимости от схемы включения транзистора).