Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
RGR_PE.doc
Скачиваний:
27
Добавлен:
25.11.2019
Размер:
2.04 Mб
Скачать

Предельные параметры некоторых выпрямительных диодов и столбов

Тип

Средний выпрямленный ток, А

Допустимое обратное напряжение, В

Диапазон температур, 0С

КД105Б

КД105В

КД105Г

КД209А

КД209Б

КД208А

КД206А

КД206В

ДЗ02

ДЗ03

ДЗ04

ДЗ05

0,3

0,3

0,3

0,7

0,7

1,5

10,0

10,0

1,0

3,0

5,0

10,0

400

600

800

400

600

100

400

600

200

150

100

50

-60…+55

-60…+55

-60…+55

-60…+55

-60…+55

-40…+85

-60…+70

-60…+70

-60…+50

-60…+50

-60…+50

-60…+50

КЦ106А

КЦ106Б

КЦ106В

КЦ106Г

КЦ201А

КЦ201Д

0,01

0,01

0,01

0,01

0,1

0,5

4000

6000

8000

10000

2000

10000

-60…+85

-60…+85

-60…+85

-60…+85

-60…+85

-60…+85

Приложение 4

Транзистор

Uкэ доп, В

Iк доп, мА

Pк доп, мВт

h11, кОм

h21

h22, мкСм

n-p-n

ГТ122А

ГТ122Б

КТ215Г

КТ215Д

КТ315А

КТ315В

КТ358В

ГТ404А

ГТ404В

КТ503А

35

20

40

30

25

40

15

25

40

40

20

20

50

50

100

100

30

500

500

150

150

150

50

50

150

150

100

300

300

350

0,2

0,2

0,9

0,9

0,14

0,14

0,12

0,15

0,15

0,1

30

40

80

80

50

50

100

50

100

80

4

4

3

3

0,3

0,3

0,3

2,5

2,5

0,5

p-n-p

КТ203А

КТ203Б

КТ361А

КТ361Б

КТ361В

КТ501А

КТ501Г

ГТ115А

ГТ 15Б

60

30

25

20

40

15

30

20

30

10

10

50

50

50

300

300

30

30

150

150

150

150

150

350

350

50

50

0,3

0,3

0,1

0,1

0,1

0,1

0,1

0,2

0,2

30

60

50

150

100

40

40

50

60

0,5

0,5

3

3

3

0,3

0,3

0,5

0,5

Параметры некоторых транзисторов

Примечание:

Для германиевых транзисторов принять напряжение база- эмиттер в режиме покоя 0,5 В, для кремниевых – 1 В.

Приложение 5

Входные и выходные характеристики транзисторов

МП25, МП25А, МП25Б

Г ерманиевые высоковольтные p-n-p транзисторы предназначены для работы в усилителях и генераторах.

Корпус металлический, масса не более 2 г.

Uэк m , В: 40,

при Рн < 100 мВт – 60,

Iк m, мА – 300,

Pк m , мВт – 200,

Тm, ОС – +70.

ГТ122А, ГТ122Б, ГТ122В, ГТ122Г

Германиевые n-p- n транзисторы предназначены для усиления и генерирования низкочастотных колебаний.

Корпус металлический, масса не более 2 г.

Uкэ m , В:

ГТ122А – 35

ГТ122Б-Г – 20

Iк m, мА – 20,

Pк m, мВт – 150,

Тm, ОС – +70.

КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Е

К ремниевые n-p-n транзисторы предназначены для работы в схемах усиления и генерирования колебаний.

Корпус пластмассовый, масса не более 0,18 г.

Uкэ m, В:

КТ315А – 25

КТ315Б – 20

КТ315В – 40

КТ315Г – 35

КТ315Е – 35

Iк m, мА – 100,

Pк m, мВт – 150,

Тm, ОС – +100.

КТ301А, КТ301Б, КТ301В, КТ301Ж

Кремниевые n-p- n транзисторы предназначены для усиления и генерирования колебаний.

Корпус металлический, масса не более 0,5 г.

Uкэ m, В:

КТ301А, КТ301Ж – 20

КТ301Б, КТ301В – 30

Iк m, мА – 10,

Pк m, мВт – 150,

Тm, ОС – +85.

Приложение 6

Некоторые параметры операционных усилителей серии 140

Тип ОУ

Напряжение источников питания, В

Коэффициент усиления

Максимальное выходное напряжение, В

Входное сопротивление, МОм

Выходное сопротивление, кОм

Входной ток, мкА

Разность входных токов, мкА

К140УД1А

К140УД1Б

К140УД2А

К140УД2Б

К140УД6

К140УД7

К140УД8А

±6,3

±12,6

±12,6

±6,3

±15,0

±15,0

±15,0

2500

6000

35000

3000

30000

30000

50000

±3,5

±8,0

±10,0

±3,0

±11,0

±10,5

±10,0

0,6

0,4

0,3

0,3

1,0

0,4

1000

0,7

0,7

1,0

1,0

0,1

0,1

0,2

5

8

0,7

0,7

0,1

0,4

0,2

1,5

1,5

0,2

0,2

0,02

0,2

0,02

Приложение 7

Аксиомы и законы алгебры логики

Аксиомы

(тождества)

1+х=1

0+х=х

х+х=х

х+ =1

=х

х=0

х=х

х·х=х

х· =0

х1+ ·х2= х1+х2

Операция склеивания

х1·х2+ х1· = х1

Законы коммутативности

х1+х2=х2+х1

х1·х2= х2·х1

Законы ассоциативности

х1+х2+х3=х1+(х2+х3)

х1·х2·х3=х1·(х2·х3)

Законы дистрибутивности

x1·(х2+х3)=(х1·х2)+(х1·х3)

x1+(х2·х3)=(х1+х2)·(х1+х3)

Законы дуальности

(теоремы де Моргана)

=

Законы поглощения

х1+х1·х2= х1

х1·(х1+х2)=х1

Приложение 8

Реализация логических элементов

Тип

элемента

Условное

Таблица истинности

Вариант реализации

изображение

x1

0

0

1

1

(на элементах 2И-НЕ)

x2

0

1

0

1

Э лемент НЕ

(инвертор)

x 1

x

0

1

1

0

Э лемент И

(конъюнктор)

x1x1x2

x2

x1·x2

0

0

0

1

Э лемент ИЛИ

(дизъюнктор)

x1 1 x1+x2

x2

x1+x2

0

1

1

1

Элемент И-НЕ

(элемент

Шеффера)

x1

x2

____

x1·x2

1

1

1

0

Элемент

ИЛИ-НЕ

(элемент

Пирса)

x1 1

x2

____

x1+x2

1

0

0

0

Запрет x2

x1x1·

x2

__

x1·x2

0

0

1

0

Импликация от x2 к x1

x1 1

x2

__

x1+x2

1

0

1

1

Исключающее ИЛИ (неравнозначность, сложение по модулю 2)

x1 =1 x1x2

x2

x1x2

0

1

1

0

Равнозначность (эквивалент-ность)

x1 = x1x2

x2

x1x2

1

0

0

1

x1x2

СОДЕРЖАНИЕ

Задания к расчетно-графической работе …………………………………………… 3

Типовые расчеты к задачам ………………………………………………………… 15

Литература ……………………………………………………………………………. 37

Приложения …………………………………………………………………………... 38

Учебное издание

БЛАДЫКО Юрий Витальевич

КЛИМОВИЧ Геннадий Сергеевич

ПЕКАРЧИК Леонид Степанович

ЭЛЕКТРОНИКА

Методическое пособие

к выполнению расчетно-графической работы

по дисциплинам «Электроника»,

«Электротехника и электроника»,

«Электроника и микропроцессорная техника»,

«Электроника и информационно-измерительная техника»

Под общей редакцией Ю.В. Бладыко

39

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]