- •3.9 Варикапы
- •4 Биполярные дискретные транзисторы
- •4.1 Устройство и принцип действия транзисторов
- •4.2 Режимы работы биполярного транзистора
- •Схемы включения биполярного транзистора
- •4.6 Зависимость параметров транзистора от температуры
- •4.7 Входные и выходные характеристики транзистора с оэ и об
- •4.8 Эквивалентная схема эберса-молла
- •4.9 Малосигнальная эквивалентная схема
- •4.10 Эквиваентная схема в h- и у-параметрах
- •4.11 Температурные характеристики полевых транзисторов
- •5 Аналоговые усилительные устройства
- •5.1 Назначение и структурная схема усилителя
- •5.2 Классификация усилителей
- •Основные характеристики усилителей
- •5.4 Виды искажений сигналов в усилителях
- •5.5 Передаточная функция усилителя
- •5.6 Частотные характеристики усилителя
- •Частотная характеристика rc и cr-цепей
- •5.8 Цепь из последовательно соединенных r и l элементов
- •5.9 Резонансные цепи
- •5.9.1 Последовательный резонансный контур (рис.5.11)
- •5.9.2 Параллельный резонансный контур
- •5.11 Виды обратных связей в усилительных устройствах
- •При этой связи сигнал ос снимают с дополнительного измерительного элемента ( датчика тока rдт , включенного последовательно с нагрузкой).
- •5.12 Влияние ос на свойства усилителя
- •5.12.1 Входное сопротивление
- •5.12.2 Выходное сопротивление
- •Полоса усиливаемых частот
- •Коэффициент усиления
- •Влияние ос на искажения усилителя.
- •Устойчивость цепей с ос
- •5.13.1 Критерий Найквиста
- •Критерий устойчивости Гурвица
- •Критерии устойчивости Михайлова
- •Методы стабилизации рабочей точки
- •7 Структура и принцип действия тринистора
- •8 Структура и принцип действия симистора
- •9 Полевые транзисторы. Основные определения
- •9.1 Полевой транзистор с управляющим p-n переходом
- •9.3 Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •9.5 Основные параметры
- •9.6 Обозначение и классификация биполярных
- •9.7 Свойства полевых транзисторов
3.9 Варикапы
Принцип действия основан на использовании зависимости ёмкости от обратного напряжения и который предназначен для применения в качестве элемента с электрически управляемой ёмкостью. Для получения резкой зависимости ёмкости варикапа от напряжения смещения необходимо создавать в базе варикапа аномальное распределение нескомпенсированных примесей с градиентом концентрации другого знака по сравнению со знаком градиента концентрации в базе диффузионного диода.
Параметры: 1 Ёмкость варикапа Cв — измеряется между выводами при заданном об ратном напряжении : Cбар при Uобр; Сдиф при Uпр; 2 Коэффициент перекрытия по емкости кс – отношение емкостей варикапа при двух значениях Uобр.; 3 Добротность варикапа отношение реактивного сопротивления варикапа на заданной частоте переменного сигнала к сопротивлению потерь при заданном значении ёмкости или Uобр.
Основная характеристика: вольт-фарадная(рис.3). Варикапы применяются в схемах автоподстройки частоты.
4 Биполярные дискретные транзисторы
4.1 Устройство и принцип действия транзисторов
Транзистор - это полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими выпрямляющими электрическими переходами и тремя (или более) выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции носителей заряда (электронов и дырок) (Рис.4.1). Различают транзисторы n-p-n и p-n-p типа. Транзисторы на схемах обозначаются следующим
образом:
Э миттер область, из которой электроны инжектируют в соседнюю p-область.
Коллектор область, которая экстрактирует электроны из p-области. База средняя область.
Взаимодействие между p-n-переходами будет существовать, если толщина базы будет много меньше диффузионной длины неосновных носителей заряда. При приложении к эмиттерному переходу прямого, а к коллекторному обратного напряжения, через эмиттерный переход в базу будут инжектировать электроны и создавать эмиттерный ток Iэ. При этом часть этих электронов рекомбинирует в базе с дырками, образуя ток базы Iб, другая часть электронов при помощи электрического поля, создаваемого Uкб, достигает коллекторный переход и подвергается экстракции в коллектор, образуя через переход коллекторный ток Iк (усиленный: ) (рис.4.1)
,
где коэффициент передачи тока эмиттера (0.950.99).
,
где Iкбо обратный ток дырок из n в p-область.
,
,
,
, или .
Отсюда:
,
,
где динамический коэффициент передачи тока базы.
Назначение транзистора: усиление, генерирование, переключение.
4.2 Режимы работы биполярного транзистора
1 Режим отсечки оба перехода смещены в обратном направлении. Ток равен нулю. Режим используется для размыкания цепей передачи сигнала.
2 Режим насыщения (двойной инжекции) к обоим переходам подключено прямое напряжение. Выходной ток не зависит от входного и зависит от параметров нагрузки. Используется для замыкания цепей передачи сигналов.
3 Активный (нормальный) режим на эмиттере прямое напряжение, а на коллекторе обратное. В данном режиме возможно управление транзистором и обеспечивается минимальное искажение усиливаемого сигнала.
4 Инверсный режим к коллектору подведено прямое напряжение, а к эмиттеру обратное. Уменьшает коэффициент , применяется редко.