- •2. Уметь устанавливать модули в пк
- •3. Ориентироваться в типах модулей памяти.
- •Основные технические параметры оперативной памяти (dram)
- •Установка модулей
- •Типы модулей оп
- •Модуль dimm-168
- •Модули dimm-184 ddr sdram
- •Модули dimm-240 ddr2 sdram
- •Модули rimm
- •Модули so dimm 72-pin
- •Модули so dimm 144-pin
- •Модули µSo dimm 144-pin
- •Модули so dimm 200-pin
- •Модули so rimm
- •Какой объем памяти следует устанавливать в пк
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •Критерии оценки
Лабораторное задание 3
Оперативная память
Феодосийский политехнический техникум
Для студентов 2 курса ПЭВТ
Дисциплина: Архитектура компьютеров
Тема работы: Применение модулей DRAM в оперативной памяти
Цель работы: 1. Знать основные технические параметры ОП
2. Уметь устанавливать модули в пк
3. Ориентироваться в типах модулей памяти.
Оборудование: Настольный персональный компьютер
Основные технические параметры оперативной памяти (dram)
Наиболее частые изменения конфигурации PC связаны именно с оперативной памятью — обычно стремятся к увеличению ее объема и повышению производительности. Вся оперативная память современных PC располагается на системной плате.
В качестве оперативной памяти используют микросхемы динамической памяти (DRAM) различных типов. На системную плату устанавливают модули:
SIPP и SIMM-30 – самые первые модули для процессоров до 486.
SIMM-72 – 4 байтные модули, для процессоров 486 и Pentium.
DIMM-168 (DRAM или SDRAM) – 8-байтные модули для Pentium и выше.
DIMM-184 (DDR SDRAM) - 8-байтные модули для системных плат 6-8 поколения.
DIMM-240 (DDR2 SDRAM) - 8-байтные модули для системных плат 7-8 поколения.
RIMM (RDRAM) – 2-байтные модули для системных плат 6-7 поколения
SO DIMM –малогабаритные варианты модулей для блокнотных ПК.
Быстродействие памяти определяется временем выполнения операций записи и считывания данных. Основными параметрами любых элементов памяти является минимальное время доступа и длительность цикла обращения.
Время доступа (access time) определяется как задержка появления действительных данных на выходе памяти относительно начала цикла чтения, длительность цикла — как минимальный период следующих друг за другом обращений к памяти, причем циклы чтения и записи могут требовать различных затрат времени. В цикл обращения помимо активной фазы самого доступа входит и фаза восстановления (возврата памяти к исходному состоянию), которая соизмерима по времени с активной фазой.
Производительность памяти можно характеризовать как скорость потока записываемых или считываемых данных и измерять в мегабайтах в секунду(Мбайт/с). Производительность подсистемы памяти наравне с производительностью процессора существенным образом определяет производительность компьютера. Выполняя определенный фрагмент программы, процессору придется, во-первых, загрузить из памяти соответствующий программный код, а во-вторых, произвести требуемые обмены данными, и чем меньше времени потребуется подсистеме памяти на обслуживание этих операций, тем лучше.
Производительность памяти, как основной, так и кэша второго уровня, обычно характеризуют длительностью пакетных циклов чтения (memory burst read cycle). Пакетный режим обращения является основным для процессоров, использующих кэш; циклы чтения выполняются гораздо чаще, чем циклы записи (хотя бы потому, что процессору приходится все время считывать инструкции из памяти). Эта длительность выражается в числе тактов системной шины, требуемых для передачи очередной порции данных в пакете.
Обозначение вида 5-3-3-3 для диаграммы пакетного цикла чтения соответствует пяти тактам на считывание первого элемента в цикле и трем тактам на считывание каждого из трех последующих элементов. Первое число характеризует латентность (latency) памяти — время ожидания данных, последующие — скорость передачи. При этом, конечно же, оговаривается и частота системной шины.
Разрядность шины памяти — это количество байтов (или битов), с которыми операция чтения или записи может быть выполнена одновременно. Разрядность основной памяти обычно согласуется с разрядностью внешней шины процессора (1 байт - для 8088; 2 байта - для 8086, 80286, 386SX; 4 байта - для 386DX, 486; 8 байт — для Pentium и выше). Вполне очевидно, что при одинаковом быстродействии микросхем или модулей памяти производительность блока с большей разрядностью будет выше, чем у малоразрядного.
Банком памяти называют комплект микросхем или модулей (а также их посадочных мест —, слотов для SIMM или DIMM), обеспечивающий требуемую для данной системы разрядность хранимых данных. Работоспособным может быть только полностью заполненный банк. Внутри одного банка практически всегда должны применяться одинаковые (по типу и объему) элементы памяти.
В современных компьютерах на процессорах 6-8-го поколений банком является один модуль DIMM или RIMM (подобный модуль может содержать и несколько банков, см. далее).
Допустимый объем, возможные типы, организация и быстродействие памяти определяются чипсетом, количеством и типом разъемов (SIMM, DIMM, RIMM) для установки памяти и версией BIOS.
Чипсет (контроллер памяти) может настраиваться на установленную память вручную (через CMOS Setup) или автоматически, считыванием идентификаторов установленных модулей. Современные чипсеты позволяют во время теста POST выполнять автоматическую идентификацию типов (и быстродействия) установленных модулей памяти и задавать оптимальные временные диаграммы в зависимости от установленной частоты системной шины, хотя реализация этой возможности зависит и от применяемой версии BIOS.
В чипсете может быть предусмотрен контроль достоверности хранения данных, для чего должны быть установлены соответствующие модули памяти (и контроль должен быть включен настройкой CMOS Setup). По способу контроля ошибок различают следующие модули:
None Parity — без четности (к сожалению, наиболее распространенные);
Parity — с битами четности каждого байта, при поддержке чипсетом контроля четности позволяют обнаруживать ошибки;
ЕСС — контроль всего слова с избыточным CRC-кодом, позволяющим выявлять и исправлять ошибки;
EOS — модули, у которых механизм ЕСС «спрятан» в структуру модуля с контролем паритета;
PG — модули с генератором четности (фикция для «ублажения» системных плат, требующих присутствия битов четности).