- •1.Биполярные транзисторы. Основные характеристики: входные, выходные, проходные. Электрические и экспоненциальные параметры.
- •2.Каскад с оэ: схема включения, значения параметров Rвх, Rвых, Ku, Ki, φ. Достоинства и применение.
- •3. Каскад с ок: схема включения, значения параметров Rвх, Rвых, Ku, Ki, φ. Достоинства и применение. (эмитерный повторитель).
- •4. Каскад сОб: схема включения, значения параметров Rвх, Rвых, Ku, Ki, φ. Достоинства, недостатки и применение.
- •5. Статические характеристики биполярных транзисторов, h- параметры, схемы замещения транзисторов.
- •6.Транзисторный источник тока. Транзисторный источник тока с заземленной нагрузкой.
- •12. Режимы работы транзисторов: активный (усилительный), инверсный, насыщения.
- •13. Классы усиления: a, b, ab, c, d. Достоинства и недостатки. Применение.
- •14. Усилители мощности. Однотактные и двухтактные усилители. Схемы включения.
- •15. Составные транзисторы: схемы Дарлингтона и Шиклаи. Применение.
- •17. Следящая связь (пос). Схема. Применение.
- •1 8.Эффект Миллера.
- •19. Полевые транзисторы (мдп (моп) – транзисторы). По способу создания канала (с p-n переходом, встроенным и индуцированным каналом). Входные и выходные характеристики.
- •20.Достоинства полевого транзистора по сравнению с биполярным транзистором. Недостатки. Достоинства полевого транзистора с p-n переходом. Недостатки.
- •21. Схемы включения полевых транзисторов: общий исток, общий сток, общий затвор
- •22. Бтиз (igbt) – биполярный транзистор с изолированным затвором. Достоинства по сравнению с моп.
- •29. Дифференциальные усилители (ду). Схема включения. Ду в режиме покоя, в режиме усиления противофазного сигнала, в режиме усиления синфазного сигнала. Способ улучшения свойств усилителя (схема).
- •Ду в режиме усиления противофазного сигнала
- •Способы компенсации начального напряжения смещения. Схема.
- •Ду с динамической нагрузкой. Схема.
- •Операционные усилители (оу). Графическое изображение. Упрощенная схема оу.
- •Классификация оу по типам входных каскадов: бпт, пт, супер - бпт, с гальванической изоляцией входа от выхода, варикап.
- •34.Динамическое питание оу. Недостаток
- •35.Параметры оу(входные,выходные,динамические)
- •3 6 Инвертирующий усилитель.
- •37.Неинвертирующий усилитель,преобразователь тока в напряжение.
- •38.Сумматоры и вычитатели.
- •39.Интергратор и дифференциатор
- •40.Компаратор. Схемы, недостатки.
- •4 2. Генераторы синусоидальных колебаний. Условия для работы схемы в режиме генерации.
- •43. Генераторы гармонических сигналов. Схема. Достоинства и недостатки.
- •45.Кварцевый генератор. Схема. Достоинства и недостатки.
- •46.Мультивибраторы (генераторы прямоугольных колебаний). Схема.
- •47. Электронные схемы на оу
- •48.Компенсационные. Параметрические. Достоинства и недостатки.
- •49.Компенсационные источники питания. Параметрические. Достоинства и недостатки.
- •5 0. Повышающий стабилизатор. Схема. Принцип работы.
- •51.Функциональная схема ключевого источника питания (принципиальная схема). Принцип работы.
- •52.Последовательный компенсационный стабилизатор напряжения на транзисторе. Схема и принцип работы.
- •56.Источники опорного напряжения. Задание рабочего тока стабилитрона, источника тока на оу. Стабилитронные интегральные микросхемы.
- •Задание рабочего тока стабилитрона
- •Регулируемый стабилизатор
1.Биполярные транзисторы. Основные характеристики: входные, выходные, проходные. Электрические и экспоненциальные параметры.
Биполярные транзисторы–это п/п с двумя p – n переходами и тремя электродами.
Отличительный признак: для нормальной работы необходимы носители двух видов - электроны и дырки. Используются два встречно включенных p – n перехода. Бывают двух типов:
n 2 и p2 – сильно легированные области.
В транзисторе, находящемся в активном состоянии, переход эмиттер-база, эмиттерный переход, смещен в прямом направлении, т.е. приоткрыт, а коллекторный переход закрыт.
Прямосмещенный эмиттерный p-n-переход ускоряет электроны из эмиттера в базу. Если база узкая – меньше диффузионной длины – и электрон не успевает рекомбинировать в базе, он пролетает через базу в коллектор, ускоряясь положительным напряжением последнего. Изменяя прямое напряжение эмиттер-база , мы изменяем количество электронов, впрыскиваемых в базу из эмиттера, а значит и ток коллектора.
В усилительном режиме работы транзистора, эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный - в обратном. Эмиттерный переход сильно легирован, коллектор - обеднен. Коллекторный переход должен быть равномерно легирован и в меньшей степени, чем эмиттер, с целью увеличения пробивного напряжения коллектор-база.
Iэ = Iк+Iб (Так как ток коллектора во много раз больше тока базы, то токи эмиттера и коллектора приближенно равны).
Основные электрические параметры:
Uкэmax, Uбэmax, Iкmax, Iбmax, Pkmax, fгр (частота, при которой коэффициент усиления по току равен 1), h21э, Iкб0 и Iэб0 (токи утечки, влияют на импульсные токи), Сэ, Ск.
Биполярный транзистор - (в процессе переноса заряда участвуют электроны и дырки) п/п прибор с двумя взаимодействующими p-n-переходами и тремя или более выводами, которые служат для усиления или переключения входного сигнала. По порядку чередования переходов различают - p-n-p и n-p-n. Различие у них в полярности подключения источника питания.
2.Каскад с оэ: схема включения, значения параметров Rвх, Rвых, Ku, Ki, φ. Достоинства и применение.
Схема включения транзистора с общим эмиттером.
Сдвиг по фазе между входным и выходным напряжением равняется π, т.к. при увеличении напряжения на базе ток коллектора увеличивается и напряжение на коллекторе уменьшается за счёт увеличения падения напряжения на UR коллекторе.
- уравнение Эберса-Молла
- тепловой потенциал
Известно, что ТКUбэ = -2,1mВ/°С.
R - резистор, который выполняет роль отрицательной обратной связи по току.
Uбэ = Uб – Uэ
Iэ = Iк+Iб
Включая конденсатор Сэ || R, мы шунтируем R по переменному току, т.е. делаем переменный потенциал эмиттера равным нулю, позволяет добиться от каскада более высокого коэффициента усиления.
Rвх относительно мало вследствие малого сопротивления открытого эмиттерного p – n перехода, однако больше чем RОБ вследствие действия последовательной отрицательной обратной связи (ООС) в эмиттерной цепи.
Rвых– высокое выходное сопротивление определяется высоким сопротивлением замкнутого p – n перехода.
Rэ выбирается из диапазона (0.1 – 0.3)Rк для осуществления температурной стабилизации режима работы каскада. Включение Сэ позволяет снять это ограничение на Кu на рабочих частотах, т.е. xсэ<<Rэ и xсэ<rэ0. Для переменного тока его влияние ограничено уменьшением максимальной амплитуды неискажённого выходного сигнала.
Достоинства: высокие коэффициенты по току h21 и напряжению (десятки, сотни), более высокие (по сравнению с ОБ) Rвх = h21(R+rэ0), относительно высокоеRвх.
Недостатки: высокое Rвых, инвертирование сигнал (способствует возникновению самовозбуждения и уменьшает коэффициент усиления на высоких частотах вследствие эффекта Миллера), зависимость Кu от Rн;
,
наличие эффекта Миллера, который заключается в увеличении эквивалентной емкости Скб в Кu раз. Это приводит к резкому падению усиления каскадов на высоких частотах и необходимости применения каскадов с ОБ.
Применение: предварительные, промежуточные и предвыходные каскады.