- •Параметры электрических сигналов.
- •Гост16263-70 “Государственная система обеспечения единства измерений” Метрология “Термины и определения”
- •Процесс образования дырок.
- •Приместная проводимость
- •Прямое включение р-n-перехода.
- •Полупроводниковые диоды
- •Точечные диоды
- •Импульсные диоды
- •Стабилитроны.
- •Основные параметры варикапа.
- •Биполярные транзисторы.
- •Статические характеристики транзистора (схт).
- •Выходная статическая характеристика
- •Входная статическая характеристика
- •Всхемах транзисторных усилителей в выходную цепь транзистора включают сопротивление нагрузки, а в обходную источник усиливаемого сигнала.
- •Полевые (униполярные) транзисторы.
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором.
- •Свых - служит для передачи выходных напряжений на следующий каскад(нагрузку) и для разделения переменной и постоянной составляющей выходного сигнала.
- •Выходная характеристика
- •Обратная связь:
- •Операционные усилители
- •Ширина полосы пропускания до десяти мГц
- •Интегратор.
- •Принцип работы:
- •Сумматор
- •Релаксационный генератор. (автогенератор, построенный на оу).
- •Ждущий мультивибратор.
- •Функциональная электроника.
Условные графические обозначения компонентов электронных схем.
-(отношение сторон 4 к 10) электрическое сопротивление (резистор). Обозначается – R, выражается (Ом).
На схеме - это сопротивление, а физический предмет (деталь), создающий электрическое сопротивление - резистор.
-переменный резистор
.
-подстроечный резистор
-терморезистор.
-электрический конденсатор С (ф)
-полярный конденсатор
-индуктивность L (катушка - элемент, который создает индуктивность).
Конденсатор - емкость для электрических зарядов.
R(Ом); C(Ф); L(Гн)
-индуктивность сердечника.
-трансформатор - устройство, которое предназначено для преобразования одной величины тока в другую с одинаковой частотой.
-источник напряжения, источник ЕДС.
-диод.
-диод стабилитрон.
-управляемый диод
-светоизлучающий диод.
-биполярный транзистор.
-полевой транзистор.
-измерительный прибор.
-стрелочный измерительный прибор.
Α
-амперметр.
-вольтметр.
-ваттметр.
Последовательное соединение.
R1 R2 R3
Rэ=R1+R2+R3
Параллельное соединение.
R1 Rэ= R1*R2/ R1+R2
R2
Если величина R одинакова, то для параллельного соединения имеем формулу:
Rэ= R/ n,
где n -количество сопротивлений.
Параметры электрических сигналов.
Синусоидальный сигнал.
Т-период (произошел полный цикл изменений)
f = 1/T частота (Гц),
Действующие значение синусоидального сигнала U=Umax/2
Трапециидальный сигнал
Треугольный сигнал
Пилообразный сигнал
Прямоугольный сигнал или
видео импульс
- время импульса
-время фронта
-время спада
-время вершин
Гост16263-70 “Государственная система обеспечения единства измерений” Метрология “Термины и определения”
Скважность Q - это отношение периода следования прямоугольных импульсов к длительности самого импульса
Импульс считается прямоугольным, если его вершина по длительности составляет не менее 0.7 от длительности самого импульса.
В/ и =1 0,7
Если соотношение меньше, то импульс может превратится в трапецеидальный или треугольный.
Полупроводники и их свойства.
К полупроводникам относят: кремний, германий, индий, фосфор, оксиды, сульфиды и ряд минералов.
Полупроводники бывают кристаллические, аморфные и жидкие. Полупроводники не очень хорошо проводят ток.
В полупроводниковой электронике используют кристаллы.
Основные особенности полупроводников: возрастание удельной электрической проводимости при повышении температуры.
G-проводиьость (См)
Электропроводимость полупроводников зависит от: нагревания, облучения (любого, даже освещения ),электрического и магнитного полей, давления ,ускорения, от незначительного количества примеси.
Собственный полупроводник- это вещество, в котором не содержится примеси и нет структурных нарушений кристаллической решетки. (В нем при 0 К- электрический ток отсутствует.)
Процесс образования дырок.
При повышении температуры или при другом воздействии (см. выше) часть ковалентных связей может быть разорвана и валентные электроны, став свободными, могут уйти от своего атома. Потеря электрона превращает атом в положительный ион. В связях, в том месте где он был ,образуется “вакантное” место -дырка.
Заряд дырки положительный и по значению равен заряду электрона. Дырку может заполнить валентный электрон соседнего атома, на месте которого, в ковалентной связи образуется новая дырка. Таким образом, дырки перемещаются в противоположную электронам сторону. При этом следует иметь ввиду, что в кристаллической решетке атомы жестко закреплены в узлах. Если внешнее электрическое поле отсутствует, то электроны проводимости совершают хаотическое движение. И только лишь под воздействием внешнего поля, движение электронов и дырок приобретает преимущественное направление ,а это ничто иное как электрический ток.
Электроны движутся против направления электрического тока, а дырки по направлению (электрический ток движется от большего к меньшему потенциалу)
Определение: Электропроводность собственного полупроводника, возникающая за счет нарушения ковалентных связей называется собственной электрической проводностью.
Процесс образования пары электрон проводимости - дырка проводимости называется генерацией пар носителей зарядов.
Если дырка заполняется электроном, электрон станет не свободным и потеряет возможность перемещаться. А избыточный положительный заряд иона атома окажется нейтрализованным .При этом для внешнего поля одновременно исчезает и дырка и электрон .
Процесс воссоединения электрона и дырки называется рекомбинацией.
ОПРЕДЕЛЕНИЕ: Среднее время существования пары носителей зарядов, называется временем жизни носителей зарядов.
При отсутствии внешних воздействий и постоянной температуры полупроводник находится в состоянии равновесия ,т.е. число генерированных пар носителей заряда равно числу рекомбинаций.
Числу носителей заряда в единице объема полупроводника, т.е. их концентрация, определяет значение удельной электрической проводимости.
Для собственных полупроводников концентрация электронов и дырок одинакова.