Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Хладноломкость металлоконструкций и деталей машин

..pdf
Скачиваний:
2
Добавлен:
20.11.2023
Размер:
14.04 Mб
Скачать

Механическое

пове­

 

т

 

Смещение=4/5Ь

дение

кристалла

опре­

 

 

 

 

а

4

 

 

Г

деляется

его

дислока­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ционной структурой, ее

 

 

 

 

 

 

взаимодействиями с де­

 

 

 

1........................

 

фектами решетки друго­

 

 

 

го вида, трансформаци­

Смещение= 1/5Ь

Смещение-Ь

 

ей этой структуры

под

 

 

16

1

 

 

различными

внешними

 

 

 

 

1

воздействиями.

Реаль­

 

 

о ..!,

_______________

1

 

 

1

|

 

 

 

ное поведение кристал­

_________________1

 

 

 

 

ла в ряде случаев за ­

 

 

 

 

висит от очень

тонких

Рис. 6. Схема,

показывающая

перемещение-

моментов

в

поведении

этой

структуры.

 

 

одной дислокации в кристалле:

 

 

 

а — приложенное напряжение,

*опсршающее

Дислокационная

те­

работу при

скольжении

дислокаций;

б — дис­

ория

это

новая,

но

локация при движении

от правой

грани

крис­

талла продвинулась по плоскости

скольжения ня

уже сложившаяся,слож­

1/5 ширины кристалла; в — то же. на 4/5 ширины

ная дисциплина, зани­

кристалла;

г — дислокация прошла

через весь

кристалл.

Напряжение

совершило

работу на

мающаяся

 

описанием

единице площади, описываемой движущейся че­

 

 

рез

кристалл дислокацией.

 

 

механических

свойств

 

 

 

 

 

 

 

кристаллов,

исходя

из

 

 

 

 

 

 

 

их дислокационной структуры. Мы не можем сделать ни одного шага без дислокационных представлений при попытке подойти к более глубокому пониманию процессов, обусловливающих разрушение кристаллических тел.

Теперь перейдем к выяснению атомного механизма образова­ ния хрупкой трещины. При этом будем исходить из установлен­ ного факта, что в интересующих нас кристаллах появление хруп­ ких трещин предопределено предшествующей пластической деформацией. Тогда, чтобы проследить условия хрупкого раз­ рушения, необходимо разобраться в механизме пластической деформации.

Обсудим возможность образования трещин с точки зрения современных дислокационных представлений. Начнем с рассмот­ рения поведения совершенного кристалла, через который про­ шла одна дислокация. Это схематически представлено на рис. 6.

Очевидно, что в данном идеальном примере прохождение сдви­ га не приведет ни к каким остаточным изменениям в объеме крис­ талла. В результате появятся лишь ступеньки на поверхности. Отсюда ясно, что такого рода сдвиг не приведет к созданию в кристалле предпосылки для появления трещины. Если бы но этой плоскости прошел еще ряд дислокаций, то это ничего бы не изменило, кроме того, что величина пластического сдвига

Направление движения дислокаций
1
Рис. 7 Схема, поясняющая обра­ зование скопления дислокаций, за­ штрихованная линия-стенка — пре­ пятствие продвижению дислокаций.

увеличилась бы. Отсюда следу­ ет, что пластическая деформа­ ция не приводит к образованию остаточных изменений, в том числе трещин, — это противоре­ чит упомянутым выше фактам, относящимся к хрупкому раз­ рушению и заключающимся в том, что пластическая деформа­ ция создает предпосылки к хру­ пкому разрушению. В чем же дело? Почему возникает это противоречие?

Дело, оказывается, в том, что реально наблюдаемая кар­ тина сдвигообразования существенно отличается от идеализиро­ ванного случая, представленного на рис. 6.

Положение меняется, если учесть наличие несовершенств в кристалле, которые приведут к тому, что движение дислокаций не будет проходить так гладко. Движение дислокаций неоднород­ но. Дислокации встречают препятствия своему движению. В результате появляются скопления их. Один из возможных видов скоплений представлен на рис. 7. Дальше необходимо учесть, что с каждой дислокацией связано поле напряжений, с помощью которого дислокации взаимодействуют друг с другом. Наличие скоплений дислокаций приводит к эффектам концентрации напряжений.

Так, в случае, изображенном на рис. 7, препятствие удержи­ вает ряд одинаковых дислокаций, порожденных одним отдален­ ным источником в плоскости скольжения. Такая последователь­ ность дислокаций представляет собой полосу скольжения, рас­ пространяющуюся от источника до препятствия.

Важная особенность скоплений дислокаций в том, что при­ ложенные напряжения толкают дислокации вслед за ведущей дислокацией лидером, так что у препятствия они как бы плотно спрессованы. Это давление дислокациий увеличивает напряже­ ния, действующие в области головной дислокации в п раз, где

пчисло дислокаций в скоплении. Налицо концентрация напряжений.

Это очень важный эффект! Он позволяет полосам скольже­ ния, Содержащим много дислокаций, преодолевать препятствия при напряжениях, меньших чем те, которые необходимы в случае одной дислокации. Он позволяет в некоторых участках кристал­

ла создать напряжения, достигающие теоретической прочности

итем самым вызвать образование элементарной трещины.

Рис.

8.

Типы зародышевых трещин:

а —геометрическая трещина;

0 —силовая

трещина. За вычетом упругих смеще­

ний толщина трещины

б равна нулю, а

трещины а — отлична от нуля.

По дислокационной теории элементарные трещины образуют­ ся в резулыате взаимодействия подобных дислокационных скоп­ лений. Ряд примеров такого взаимодействия будет приведен ниже. Теория дислокаций успешно используется для описания трещин.

Как сказано в работе [12], «В теории дислокаций рассмотрен ряд атомных механизмов зарождения трещин, представляющих, по существу, конкретизацию общей идеи А. В. Степанова о воз­ никновении очагов разрушения вследствие неоднородного про­ текания пластической деформации».

Следует различать два вида трещин: геометрические и сило­

вые.

 

В г е о м е т р и ч е с к и х

трещинах нарушения сплош­

ности материала происходят вследствие изъятия вещества, на­ пример объединения вакансий. В результате возникает зароды­ шевая трещина с тупой (в атомных масштабах) вершиной (рис. 8, а).

С и л о в ы е трещины образуются в участках с высокими внутренними напряжениями, вызванными дислокациями. Та­ кие трещины имеют острую вершину (рис. 8, б). Как видно изрисунка, геометрические трещины более устойчивы, чем силовые: при захлопывании геометрических трещин необходима допол­ нительная работа на образование дислокационной петли.

Ряд вариантов образования силовых трещин в результате взаимодействия скоплений представлен на рис. 9. Каждый из от­ дельных вариантов рис. 9 есть результат решения сложной задачи дислокационной теории. Во всех представленных на рисунке слу­ чаях появление элементарных трещин рассматривается как ре­ зультат столкновения и взаимодействия дислокационных скоп­ лений.

 

 

 

 

 

 

 

 

Эти схемы*

далеко

не

 

 

 

 

 

 

 

 

исчерпывают

 

возможных

 

 

 

 

 

 

 

 

дислокационных

механиз­

 

 

 

 

 

 

 

 

мов и зарождения

трещин.

 

 

 

 

 

 

 

 

В ближайшее время можно

 

 

 

 

 

 

 

 

ожидать,

что наиболее ти­

 

 

 

 

 

 

 

 

пичные случаи зарождения

 

 

 

 

 

 

 

 

трещин в кристаллах будут

 

 

 

 

 

 

 

 

изучены

как

 

теоретичес­

 

 

 

 

 

 

 

 

ки, так и эксперименталь­

 

 

 

 

 

 

 

 

но.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Фактически

 

образова­

 

 

 

 

 

 

 

 

ние

 

макроскопических

 

 

 

 

 

 

 

 

«хрупких» трещин

в крис­

 

 

 

 

 

 

 

 

талле, по-видимому, про­

 

 

 

 

 

 

 

 

исходит так: вначале необ­

 

 

 

 

 

 

 

 

ходимо локальное

воздей­

 

 

 

 

 

 

 

 

ствие на поверхность крис­

 

 

 

 

 

 

 

 

талла,

в области

 

локаль­

 

 

 

 

 

 

 

 

ного

воздействия

образу­

 

 

 

 

 

 

 

 

ются

единичные

дислока­

Рис. У. Схемы

возникновения

зароды­

ционные петли. Если крис­

талл с

дислокационными

шевых трещин в

процессе

пластической

 

деформации:

 

 

 

петлями

подвергать

внеш­

и — образование трещин н

результате

ним механическим

силам,

движения /.'ислокации внутри зерна; б—обра­

то эти петли придут в

зование трещин при скольжении по границам

зерен (Чанг и Грант 123],

Классеи-Неклюдова,

движение, причем

в

про­

 

Рожанский

[24]);

 

 

цессе

 

движения

 

будет

/—образование трещин во главе скоплений

 

 

дислокаций (Зинер

[13].

Мотт [14]); 2 — то

происходить

их размноже­

же. на

пересечении

плоскостей

скольжения

(Коттрелл [И ] ) ; —при встречном движении дис­

ние. Одним

из

следствий

локации п параллельных

плоскостях сколь­

этого будет увеличение об­

жения

(Фуданта

[16]); 4 —при смещении час­

ти дислокационной

стенки

(Фридель

[17],

ласти,

занятой дислокаци­

(Гилман [18]); 5—при пересечении границы

блока

линией

скольжения

(Коттрелл

[19]);

ями, ее удлинение

и уши-

6 — в

плоскости скольжения

перед препятст­

рение,

образование

мак­

вием движению , дислокаций (Рожанский [20 ],

Гилман

[211);

7 — б изогнутой

плоскости

роскопической линии ско­

 

скольжения (Инденбом [22]);

 

 

 

 

 

 

 

 

 

льжения.

 

 

 

 

 

 

Необходимо остановиться несколько подробнее на механиз­

ме движения и размножения дислокаций для того, чтобы

лучше

представить истинную картину образования полосы скольже­ ния и ее строение. В данное время, главным образом в резуль­ тате работ Гилмана, считают, и это подтверждено в известной

* Эти схемы не Проверены опытным путем в атомных масштабах.

мере опытом, что основной механизм размножения дислокаций— это «поперечное скольжение».

Врезультате поперечного скольжения, во-первых, могут быть созданы новые источники дислокаций — источники Фран­ ка—Рида, лежащие в других плоскостях, чем первоначальные, что приведет к уширению области, где происходят сдвиги, и утол­ щению полосы скольжения; во-вторых, появятся вакансии и группы вакансий сверх тех, которые были в кристалле до опыта.

Врезультате возникнет макроскопическая полоса скольже­ ния, с которой будут связаны остаточные структурные измене­ ния. Оказывается, что макроскопические сдвиги занимают ко­ нечный объем, поэтому следует говорить о зоне сдвига. Кроме то­ го, этот объем кристалла будет «разрыхленным». Оперируя не­ сколько неопределенным качественным термином «разрыхление», мы имеем в виду, что объем кристалла, приходящийся на об­ ласть сдвига, характеризуется повышенной плотностью содер­ жания различного рода дефектов решетки, прежде всего дисло­ каций, поскольку это первое отличие полосы скольжения от всего остального объема кристалла, затем вакансий и, наконец, дислокационных атмосфер, природа которых может быть при­ месной или вакансионной.

Рыхление создает благоприятные условия для возникнове­ ния зародышевых элементарных трещин, развитие которых мо­ жет привести к хрупкому разрушению.

Следует подчеркнуть то обстоятельство, что, говоря о струк­ туре полосы скольжения, надо придавать этому понятию не ста­ тический, а динамический смысл в виду того, что она подвергает­ ся непрерывному изменению как в процессе деформирования, своего создания, так и после, хотя и в меньшей степени, из-за релаксации напряжений и теплового движения. Есть целый ряд опытных фактов, указывающих на то, что структурное состоя­ ние полосы скольжения наиболее опасно (или благоприятно для создания зародышевых трещин) в процессе ее создания

(возникновения).

Взаимодействие дислокационных скоплений приводит к об­ разованию многочисленных элементарных трещин, чему спо­ собствует «разрыхление» зон сдвига. Слияние элементарных трещин в результате приводит к появлению макроскопической хрупкой трещины.

Конечно, нарисованная здесь картина образования хрупкой трещины весьма схематична.

Однако так в общих чертах, по-видимому, следует' представ­ лять процесс образования трещин, исходя из современного фи­ зического учения о механических свойствах кристаллов.

Например, говоря о хрупком разрушении, нельзя не упомя­ нуть об одном важном обстоятельстве, о котором обычно говорят вначале. А именно, отмечено, что хрупкое разрушение у метал­ лов наблюдается в случае наличия у них плоскостей с особыми механическими свойствами — плоскостей спайности. Вообще говоря, все перечисленные выше схемы будут в полной мере дей­ ствовать тогда, когда есть плоскости спайности. Однако природа плоскостей спайности еще неясна. Возможно, что поведение не­ которых групп кристаллов (например, кристаллов квасцов при низких температурах) отлично от описанного выше и т. п.

Автор еще раз подчеркивает, что в данной статье физическая природа хрупкого разрушения была рассмотрена весьма неполно.

Итак, следует сказать, что имеются значительные успехи в понимании природы хрупкого разрушения.

Однако не следует обольщаться. Эта область знания развива­ ется относительно медленно. Если взятьотрезок времени около 20 лет, то в ряде других областей за этот период произошли ко­ лоссальные изменения: была открыта атомная энергия, стало возможным построение спутников Земли, открыты полупровод­ ники и сделано много других открытий, о которых прежде даже не мечтали. Что касается проблемы механических свойств, и в частности хрупкости, то результаты значительно ск омнее. Мно­ гие давно поставленные фундаментальные вопросы, такие как при­ рода плоскостей спайности, сущность поверхностных воздействий, влияние малых примесей на хрупкое разрушение и многие другие по-прежнему остаются без ответа. Вместе с тем наука о крис­ таллах открывает новые перспективы, в частности, в данное вре­ мя на повестку дня ставится вопрос о создании материалов совер­ шенной структуры с теоретической прочностью, которые должны обладать особыми свойствами.

 

 

 

 

 

Л И Т Е Р А Т У Р А

 

 

1.

А. Ф.

И о ф ф е .

Физика

кристаллов. М.—Л ., ГТТИ, 1928.

 

2.

А. В.

С т е п а н о в .

Практическая прочность.— Ж ТФ, V,

349, 1935,

 

2з. 1. РЬузк. 92, 42, 1934.

 

 

 

 

3.

А. В.

С т е п а н о в .

О

причинах

преждевременного

разрыва. — Изв.

 

АН СССР. Часть физическая, стр.

797,

1937.

 

 

4.

А. В.

С т е п а н о в .

Основание теории

практической

прочности. Дигс.

 

Л .,

1938.

 

 

I и з I.

 

 

 

 

5.

Е.

О г о «г а п,

Т г а п з,

Епв.

апё зЫррЪиИбегз т

5соШгс1,

 

89,

1946 (165).

 

 

 

 

 

 

 

6.

Е.

Р.

К 11 е г. Тгапз. Ашег. Зое. Ме1. 43 (1951), 935.

 

 

7.

N.

I.

Р е 1 с Ь,

I. I г о п.

31ее1 1лю1. 173 (1953), 25.

 

 

8.

М.

В а и е г 1 г, XV. Р.

С г а 1^

ап<1

Е.

5. В и р з, Л. Ме1. (Ме1а1$Тгап$),

 

185,

1949,

481.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

9.

Л. А.

К о ч а н о в а,

Е. Д.

Щ у к и н ,

В. И.

Л и х т м а н . Ж . Физ.

10.

тв. тела, 3, вып. 3,

902,

1961.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1957.

В. П.

Р и д.

Дислокации

в

кристаллах. М., Гостехиздат,

11.

А. X.

К о т

р е л л.

Дислокации и пластическое течение в

кристаллах.

 

Металлургиздат,

1958.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

12.

В.

Л.

 

И и д е и б о м и

Н.

 

А.

 

О р л о в .

УФН,

1962,стр. 557.

13.

С.2 е п е г.

Ргас1игшЁ о!

Ме1а1з Ашег

Зое. Ме1аК, 1948.

 

14.

N.

Р.М о 1 1.

Л.

Р Ь у б.

5ос. Ларап,

10,

650,

1955.

 

 

15.

А.

Н.С о И г е

11.

Тгапз

АШ Е

212,

192,

1958.

 

 

 

16.

Р. Е.

Р и ] \ 1 а,

I.

Р Ь у $.

5ос.

Ларап,

11, 1201,

1956.

 

 

17.

I.

Р г 1 с! е 1.

Ьез

01з1оса1юпз.

Рапз,

1956.

 

 

 

 

18.

I. I.

 

С 1 1 ш а п. Тгапз А Ш Е . 200,

621, 1957.

 

 

 

 

19.

А. Н.

С о

1 1 г е

11.

Ргас1иге. Ргос.

сопГ. маззасЬизе^з, 20,

1959.

20.

В. II.

Р о ж а н с к и й.

Докл. АНСССР,

123,

 

648, 1958.

 

21.

I. I.

 

С 1 1 ш а п. Тгапз. А1МЕ

222,

783, 1958.

 

 

 

 

22.

В. Л.

И и д ей б ом .

Физика

твердого тела,

3,

2071,

1961.

23.

Н. С.

С Ь а п б»

N. I.

С г а п 1.

Тгапз А1МЕ 206, 554,

1956.

24.

М. В.

К л а с с е

и

Н е к л ю д о в а ,

 

В. Н.

Р о ж а н с к и й . Крис­

 

таллография,

7,

499,

1962.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Как было показано впервые в работах Степанова [1, 2], а позднее в работах Зинера [3] и Стро 14], трещина зарождается под действием касательных напряжений. Не вдаваясь в подроб­ ности механизма образования трещины, все-таки необходимо подчеркнуть, что трещина есть результат задержанного сдвига, в голове которого возникает концентрация нормальных напря­ жений.

Расчеты Стро 14] показали, что, возникнув, трещина должна распространяться до разрушения. Однако на самом деле, как показывают опытные данные, эти расчеты не оправдываются,

во всяком

случае,

для

поликристаллических

материалов. Так,

авторы работ 15, 6, 7)

наблюдали, что

трещины появляются в

материале

задолго

до

его разрушения

(рис.

1). Наблюдения

показывают, что эти трещины, как правило, ограничены разме­ рами зерна. Последнее обстоятельство указывает на то, что гра­ ницы зерен представляют значительное препятствие для рас­ пространения трещины. Возможно, недооценка этого привела Стро к ошибочным выводам относительно роли нормальных и касательных напряжений в процессе хрупкого разрушения. С другой стороны, эти наблюдения доказывают справедливость

расчетов

Стро

в пределах одного зерна.

Действительно, по

крайней

мере

нам, не

известны работы, в

которых описывались

бы наблюдения над трещинами, оканчивающимися внутри

зер­

на, кроме работы 17],

однако и здесь описаны трещины

после

заметной пластической деформации (рис. 2). Как видно из этого рисунка, торможение трещины происходит у линий скольжения, образовавшихся в результате пластической деформации, которые, как известно, представляют значительное препятствие для рас­ пространяющихся трещин [8].

Все эти работы дают основания полагать, что первая стадия хрупкого разрушения, решающее участие в которой принимают касательные напряжения, завершается образованием в наиболее благоприятно ориентированном зерне трещины, имеющей размер зерна.

Для того чтобы образовавшаяся трещина начала распрост­ раняться и привела к разрушению образца, необходимо в мо­ мент ее образования приложить достаточное нормальное напря­ жение, величина которого, очевидно, должна удовлетворять условию Орована—Гриффитса

 

 

 

где

а

приложенное

нор­

 

 

 

мальное

напряжение;

Е — мо­

 

 

 

дуль

упругости;

р — эффектив­

 

 

 

ная

удельная

поверхностная

 

 

 

энергия

и й — диаметр

зерна,

 

 

 

в котором

образуется

трещина.

 

 

 

Ранее один из авторов пред­

 

 

 

ложил

схему,

учитывающую

 

 

 

роль нормальных

и

касатель­

 

 

 

ных

напряжений

в

процессе

 

 

 

хрупкого

разрушения

191. Ни­

 

 

 

же мы подробно остановимся на

 

 

 

этой схеме, с тем

чтобы

пока­

Рис. 3

Схема, учитывающая

роль

зать,

как с ее помощью

могут

нормальных и касательных

напря­

быть объяснены основные экспе­

жений в процессе хрупкого

разру­

риментальные факты,

относя­

 

шения.

 

щиеся

к

вопросам

хрупкого

 

 

 

 

 

 

разрушения.

 

 

 

А. В л и я н и е в и д а

н а п р я ж е н н о г о

с о с т о -

я н и я

н а с о п р о т и в л е н и е

 

с к о л у .

С

помощью

схемы, учитывающей роль нормальных и касательных напряжений в процессе хрупкого разрушения, было впервые показано, каким образом вид напряженного состояния может влиять на сопротивление сколу. На рис. 3 изображена схема Давиденкова. Она требует, чтобы к моменту разрушения соотношение между нормальными и касательными напряжениями достигло опреде­ ленной величины. Именно, чтобы произошло хрупкое разруше­ ние, в материале должна образоваться трещина, а для этого ка­ сательное напряжение должно достичь некоторого «порогового» значения тк. Однако выполнение одного этого требования не­ достаточно. Чтобы хрупкое разрушение действительно произош­ ло, нормальное напряжение, действующее в образце, должно пре­

взойти критическую величину От. Так,

например,

в случае из-

гиб’а (на схеме этот луч обозначен сц =

оба

эти условия

 

^тах /

 

выполняются в точке т 4, а для кручения (а2)— в точке т 2. Это приведет к тому, что сопротивление сколу при кручении окажет­ ся ниже такового при изгибе, т. е. будет зависеть от напряжен­ ного состояния.

Б. В л и я н и е в и д а н а п р я ж е н н о г о с о с т о я ­ н и я н а к р и т и ч е с к у ю т е м п е р а т у р у х л а д ­ н о л о м к о с т и . В известных опытах Люрсена и Грина, а так­ же в работе 110] было показано, что критическая температура хладноломкости зависит от вида напряженного состояния. В