Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Основы электронно-лучевой обработки материалов

..pdf
Скачиваний:
8
Добавлен:
12.11.2023
Размер:
18.54 Mб
Скачать

(D =

0) и

 

соответствует

про-

 

 

 

 

 

 

 

странственному

распределению

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

энергетических

потерь

единич­

 

 

 

А .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ного электрона, С ростом диа­

 

 

 

 

 

 

 

 

метра электронного

луча

нара­

2,0

 

6

 

-7

 

 

 

стание

максимума

распределе­

 

 

 

 

 

 

ния

становится

более

резким,

 

 

 

 

 

 

 

 

и он смещается от поверхности

V

 

 

 

 

 

 

 

в

глубь материала,

изменяясь

 

 

 

 

 

 

 

в пределах

2« ах ^

^шах ^

^шах*

 

 

 

 

 

 

 

 

где

г^ах — положение

макси­

 

 

 

 

 

 

 

 

мума 8-образного электронно­

ц

 

 

г\ \

 

 

 

 

лучевого

источника,

 

соответ­

 

 

 

 

 

 

 

ствующего

 

пространственному

 

 

 

V

N

 

 

 

распределению

энергетических

 

 

 

 

 

 

потерь

единичного

электрона;

0,5

 

 

 

 

 

 

 

гшах — координата

максимума

 

 

 

у s ^

 

 

 

электронного луча

бесконеч­

 

 

 

 

 

 

 

 

ного

 

диаметра,

соответству­

 

 

 

 

 

 

 

 

ющего

одномерному

распреде­

о

 

 

0,1

ол

9,ь

z/r0

лению.

 

 

 

результат

яв­

Рис. 32. Распределение тепловых источ­

 

Указанный

ляется

следствием

 

анализа

ников

g (г,

г) = q (0, z)Iq (0,0)

вдоль

 

оси

z (г ~

0):

 

 

 

 

формы

теплового

 

источника

1 — 4 соответствуют соотношениям диамет­

с

учетом

 

пространственного

ров

электронного луча Df r0

0,25; 0,5;

распределения

энергетических

0,7;

1,0; 5,6 — дельта-образный

источник

н одномерный случай

соответственно; 7

потерь электрона. Дело в том,

модель

Арчарда [77]

 

 

 

 

что

плотность

распределения

 

 

электрона

р

(г,

z)

(см.

энергетических

потерь

единичного

 

рис.

26)

в

зависимости

от г

имеет

максимум

на

различных

расстояниях от поверхности. Глубина максимального энер­ говыделения минимальна в точке падения электрона и воз­ растает с удалением к периферии. Поэтому при малых диаметрах электронного луча (D г0), когда распределение источников мо­ делирует энергетические потери единичного электрона, расстоя­ ние от максимума до поверхности по оси луча минимально (гшах = = z^ax). С увеличением диаметра луча распределение по его оси

стремится к одномерному. Соответственно изменяется и положение максимума, стремясь к г~ах. Подобный результат невозможно

получить с помощью модели Арчарда [185], поскольку там (см. рис. 32) положение максимума энерговыделения не зависит от г (наибольшая плотность соответствует точкам, лежащим на глу­ бине диффузии Zd).

Значительные расхождения, особенно в области малых диа­ метров электронного луча, наблюдаются и при аппроксимации электронно-лучевого источника тепла функцией Гаусса с парамет­ рами одномерных распределений.

51

Т аблица 9

Зависимость параметров Гауссового распределения от диаметра электронного луча ( т — коэффициент вариации, е — относительная ош ибка)

D /r0

z max/ro

/у г 0

/у г „

m

S

0,25

0,253

0,476

0,384

1,5

0,6

0,5

0,252

0,629

0,428

0,55

0,3

0,7

0,245

0,774

0,471

0,288

0,18

1,0

0,240

1,07

0,495

0,13

0,09

В табл. 9 приведены параметры гауссового распределения

q(r, 2) =

A exp [ - с

_ ( S ^ ) 2]

для источников,

рассчитанных

методом Монте-Карло [77]. А,

а, р — нормировочные константы; глубину гтах и полуширины Не

и

Ни рассчитывали методом наименьших квадратов. Сравнение

с

параметрами одномерной кривой поглощения энергии hi, Hi

и полушириной распределения электронов в луче по интенсивно­ стям показывает, что: а) величина гтах совпадает с и почти не зависит от диаметра электронного луча; б) параметры Не и На с уменьшением диаметра все больше отклоняются от соответству­ ющих параметров одномерных распределений HI и Hi; в) диспер­ сия гауссовой аппроксимации с уменьшением диаметра электрон­ ного луча возрастает.

Таким образом, представление электронно-лучевого источника тепла в виде распределения Гаусса с параметрами одномерных распределений Zmax, Hi, Н), оправдано при диаметрах электрон­ ного луча (D/r0) > 1. При малых диаметрах (D/r0 1)» когда расхождения становятся значительными, следует учитывать пространственность распределения энергетических потерь электронов.

УСЛОВИЯ ПЕРЕХОДА К ВЗРЫВНОМУ ВСКИПАНИЮ

Выделение энергии при торможении электронов в металле в приближении ионизационных или непрерывных потерь в об­ щем случае приводит к возрастанию внутренней энергии элект­ ронного газа. Передача энергии решетке происходит сравнительно медленно вследствие большой разницы масс электронов и ионов. Так как время установления равновесия электронов в газе зна­ чительно меньше времени установления равновесия между элект­ ронами и решеткой, в металле может возникнуть состояние непол­ ного термодинамического равновесия, характеризующееся нали­ чием двух подсистем — электронной и фононной — с различной температурой.

Анализ температуры электронов Те и решетки Tt примени­ тельно к-лазерному воздействию показывает, что разность Те

52

T t становится существенной

(несколько сотен

градусов) при

высоких значениях

концентрации

энергии

(q2 >

109

Вт/см2)

и импульсах

воздействия длительностью^ / <

10~8 с

[34].

Связь между Те, Tt и величиной падающего потока энергии

можно представить

выражением

[34]

 

 

 

 

 

 

(Те ~ Т i)max —

а V nat *

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где а — коэффициент теплообмена

электронов

с решеткой; а

коэффициент

температуропроводности.

 

 

 

 

В реальных случаях электронно-лучевого воздействия ин­

тенсивность

тепловых

потоков,

как правило,

много

меньше

109 Вт/см2,

а время

воздействия

существенно

больше

КГ8 с.

Поэтому разность (Те— 7ф) следует полагать достаточно малой. Процесс нагрева и плавления в условиях электронно-лучевого

воздействия характеризуются эффективным г|и и термическим

Л, кп д [153, 154].

Эффективный КПД зависит в основном от эмиссионных про­ цессов в зоне воздействия и выражает отношение количества теплоты q, введенной электронным лучом в единицу времени в металл, к тепловой мощности луча:

где / — ток луча, A; U —■ускоряющее напряжение, В. Термический КПД проплавления основного металла выражает

отношение теплосодержания проплавленного за единицу времени основного металла к эффективной тепловой мощности электрон­ ного луча: гvF9Sm

— >

где v — скорость перемещения сосредоточенного источника, см/с;

F — площадь проплавления, см2; р — плотность металла,

г/см3;

S rn— теплосодержание при температуре

плавления,

кал/г.

про­

Максимальное значение термического

КПД для

случая

грева полубесконечного тела быстродвижущимся точечным источ­ ником т]г = Не = 0,368, для линейного источника в неограни­ ченной пластине г\т= 0,484. Таким образом, в равновесных условиях нагрева часть введенной теплоты, соответствующая г\т> уходит на плавление, а остальная теплота (1 — %) отводится вследствие теплопроводности.

Так как в реальных случаях процесс нагрева сопровождается еще и испарением, то приближенно, без учета потерь на лучеиспу­ скание, рентгеновское излучение ит. п. [45, 163], тепловой баланс

ЯЯга “!~ Яап Янет

где q — введенная энергия; qTn— потери энергии вследствие теп­

лопроводности;

qUJt— расход энергии на плавление; qacn

расход энергии

на испарение.

53

При

концентрациях

энергии

q%< (105 -г- 10е) Вт/см2, как

уже говорилось выше,

qHcn sc (5 --г-

10)%

[42],

qnJl < (30-^35)%

(в соответствии с величиной rjr)T

остальная

энергия теряется

вследствие теплопроводности.

ввода

энергии), то неизбежно

Если

повышать q% (скорость

должна возникнуть ситуация, когда скорость ввода будет соиз­ мерима и больше скорости отвода теплоты за счет теплопровод­ ности . В этом случае практически вся вводимая энергия тратится только на плавление и последующее испарение металла, а источ­ ник тепла начнет перемещаться в глубь тела, т. е. полусфериче­ ская форма проплавления (например, для точечного источника на поверхности полубесконечного тела) сменится кинжальной.

Одна из первых попыток оценить мощность электронного луча, обеспечивающего кинжальное проплавление, сделана в работе Баса. Бас установил корреляцию по степени убывания параметра ЛТШ1, характеризующего материал (Я — коэффициент теплопро­ водности, Тпл — температура плавления), с величиной q%y необ­ ходимой для проплавления материала на глубину 2 мм. Хотя, по мнению Баса, этот расчет является весьма грубым и позволяет получить только относительную мощность, необходимую для свар­ ки разных материалов, его основной вывод о порядке располо­ жения металлов по степени убывания мощности, необходимой для их сварки, в общем не противоречит результатам практических наблюдений [196].

За основу оценки критической мощности ql перехода к кин­ жальному проплавлению можно брать характерное время энерго­ накопления т, приводящее к взрывному вскипанию некоторого объема металла [56 ].

В общем случае время т зависит от q2 и физических свойств материала. Его определение сложно, поскольку требует рассмо­

трения динамики всего процесса с учетом процесса

испарения

(в простейшем случае — это пространственная задача

Стефана).

Однако, как показывают расчеты, ошибка будет не слишком ве­ лика, если определить это время с помощью простейшей тепло­

физической оценки по формуле

 

т = х2/4а,

(33)

где х — характерный размер зоны, охваченной

вскипанием.

Определение размера зоны вскипания также затруднительно, поэтому его выбирают равным диаметру электронного луча или некоторой его доле.

С учетом массы материала, охваченного вскипанием, время

энергонакопления (в

с)

 

 

_

(Л4)2/3 (4р)~~2/3

_

М2/3

Т

8/2"ар2/3'

где М — масса, в которой тормозятся электроны.

54

Масса вещества (в г), охваченная энерговыделением, связана с характерными параметрами электронного луча следующим соот­ ношением (использована формула Шонланда):

М = l,65-10“lad2[/2,

где d — диаметр луча, см.

Тогда мощность электронного луча (Вт), обеспечивающего

кинжальное проплавление при данных

d и {/,

Я==: ^исп^/’Пг’Пи’^»

(34)

где LHcn — удельная энергия взрывного вскипания данного ма­

териала, численно равная удельной теплоте испарения; величина

т)г ^

1, значения т]и для ряда металлов

следующие [194]:

А1

Ti

V

 

Fe

Ni

Си

Zn

Nb

Mo

Та

W

89,5

84,2

83,9

80,4

78,0

77,6

73,4

73,1

72,7

70,3

70,0

Удельная

объемная мощность

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Я

Т 'И С п Р

 

 

 

(35)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Удельная

поверхностная мощность

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Я2:

Тиспр§

 

 

 

(36)

 

 

 

 

 

 

ЛиТ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где б — глубина пробега электронов в материале при данном уско­ ряющем напряжении, см.

При М = 3,7 -КГ6 г (ускоряющем напряжении U = 150 кВ, диаметре луча d — 0,1 мм) время энергонакопления для раз­ личных металлов в зависимости от их теплофизических свойств может быть от единиц до сотен микросекунд. Для нержавеющей стали и титана, коэффициенты температуропроводности которых соответственно равны 0,044 и 0,07 см3/с, это время примерно равно КГ4 с; для меди, золота, серебра, у которых коэффициент температуропроводности порядка единицы, время энергонакопле­ ния сокращается до нескольких микросекунд.

Оценку времени энергонакопления можно провести и другим путем. Время энергонакопления, определяемое как время, тре­ буемое для развития зоны взрывного вскипания внутри объема материала, складывается из времени т х, требуемого для нагрева до температуры кипения, и времени т2, необходимого для разви­ тия взрывного процесса. Иначе говоря, в первом приближении

Т Т { Я2 у

Су ^исп, ^ плу

(^7)

Так как для большинства

металлов Ьпл <С £ исп, то

необхо­

димую формулу для т можно получить и пользуясь теорией по­

добия с учетом условия т 2 >

тх:

 

q;

-^ИСПрб

(38)

55

Существенно, что в формулу (38) входит как т х, так и т2, но необходимо иметь в виду, что при относительно малых q2время тх становится одного порядка с т 2, поэтому при использовании фор­ мулы (38) q2 должно быть большим некоторого критического зна­ чения qh Величина <72 может быть оценена с помощью соотно­

шения [3 ]

 

q%^ рЬжп V аЦу

(39)

справедливого для чисто поверхностного источника тепла. Оценки показывают, что это соотношение в пределах порядка дает пра­ вильный результат и для объемного источника. Оценки времени энергонакопления для ряда металлов при воздействии электрон­ ного луча по соотношениям (33), (34), (38) и (39) дают практически одинаковые результаты.

Изменение удельной объемной мощности, соответствующей началу вскипания вещества, в соответствии с формулой (35) коррелируется с данными Баса. Согласно табл. 10 такие мате­ риалы, как вольфрам, медь, золото, требуют в 10— 20 раз большей мощности для получения кинжального проплавления, чем не­ ржавеющая сталь или титан. По величине удельной объемной мощ­

ности,

требуемой для кинжального проплавления, приведенные

в табл.

10 данные можно разбить на четыре группы, каждая из

которых характеризуется удельной мощностью примерно одного порядка. К первой группе можно отнести вольфрам, золото, медь, серебро, ко второй — молибден, тантал, платину, к третьей — железо, алюминий, никель, кобальт, уран, бериллий, четвертая группа материалов, требующая для проплавления наименьшую удельную мощность, включает цинк, цирконий, магний, нержа­ веющую сталь, титан.

В пределах каждой группы вследствие некоторой разницы значений теплофизических характеристик металлов в справочной литературе возможны перестановки при сохранении общей тен­ денции в расположении элементов по степени убывания критиче­ ской плотности, требуемой для проплавления.

Отклонение расположения некоторых металлов от ряда Баса связано с большим значением теплоты испарения для таких ме­ таллов, как бериллий, магний, алюминий, в связи с тем, что в по­ следовательности Баса теплота испарения не учитывается. В прин­ ципе, введение второго параметра LHCJcT njr позволяет проследить отклонение функции q2 = q2 (АТПЛ) от ряда Баса.

Приведенные оценки показывают, что критическая удельная объемная мощность q3 для данного материала есть величина постоянная, не зависящая от ускоряющего напряжения, и опреде­ ляется в основном теплофизическими и механическими свойствами материала.

Увеличение объемной плотности мощности, или что то же, поверхностной плотности мощности, сверх критической, приводит к уменьшению времени энергонакопления. Например, электронно-

56

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблица 10

Критическая

мощ ность электронно-лучевой

сварки с

кинжальным

проплавлением

некоторых металлов

 

 

^ и с п К

т,

 

 

 

 

 

 

q \ B T/ C M 2r п р и U , к В

 

 

 

 

 

Вт

q8,

B T/ CM 3

 

 

 

 

 

« П Л -

М е т а л л

X

1 0 -* ,

М К С

Q,

30

70

100

150

B T / CM

 

к ал /г

 

 

 

 

 

 

 

Вольфрам

 

1,18

5

3,5*

ю 3

1,5- lO1»

1,5- 10е

4,0-10°

1,6* 107

3,6- 107

4940

Золото

 

0,44

3

2,6*

103

1,3* 101»

1,3 - 10°

3,7.10®

1,5* 107

3,3*

107

3250

Медь

 

1,29

5

4,2*

103

8,9-

109

1,9- 10®

5,3-10®

2,1* 107

5,2*

107

4000

Серебро

 

0,55

3

2,9*

10s

8,4- ]09

1,5- 10®

4,2-10°

1,7- 107

3,8- 107

3890

Молибден

 

1,34

10

2,1*

10s

5,9* Ю9

1,1 - 10®

3,0-10°

1,2- 107

2,7*

107

3730

Тантал

 

1,00

15

1,0* 103

4,6- Ю9

5,2- 10®

1,5-10°

5,8* I09

1,3*

107

20£6

Платина

 

0,57

12

7,2*

ю 2

4,2* Ю 9

3,7* 1C5

1,0-10°

4,1* i o 6

9,2* 10°

1556

Железо

 

1,60

28

8,8-

102

1,9- Ю9

4,5* 10®

1,2-10°

5,0* 106

1,1- 107

1280

Алюминий

 

2,23

14

2,5*

10s

1,8- 109

КЗ10®

3,6-10°

1,4- 107

3,2- 107

2790

Никель

 

1,40

31

7,0*

102

1,7- 109

3,6* 105

9 ,9 -105

4,0* 106

9,9*

10°

600

Кобальт

 

1,24

31

6,2*

102

1,5- Ю9

3,1- 10®

8,7-105

3,5* 106

7,8*

10°

1065

Уран

0,45

30

2,3*

102

1,2- 109

1,2- 105

3,2-10®

1,3* 106

2,9*

10°

378

Бериллий

 

4,52

31

2,3*

I03

M* 109

1,1 - 10°

3,2-10°

КЗ* 107

2,9*

107

2745

Цинк

 

0,42

16

4,0*

102

7,9- 10s

2,Ь 10®

5,8-10®

2,3* 106

5,2*

10°

440

Цирконий

 

1,60

62

4,0*

102

7,0-■ID8

2,0- 10®

5,6-10®

2,2* 10°

5,1*

10°

296

Магний

 

2,57

33

1,2* 10s

5,6- 108

6,1* 105

1,7-10®

6,8* io *

1,5-

107

1090

Нержавеющая

 

1,50

136

1,7* 102

3,6- 108

8,7* 104

2,4-10®

9,7- 105

2,2*

10°

520

сталь

 

1,75

124

2,2*

103

3,5- 108

1,5- 10s

4,1-10®

1,6. 106

3,7-■10®

315

Титан

 

П р и м е ч а н и я :

 

1. Время энергонакопления

т и мощность сварки q получены для случая

М — 3,7- 10~в

г.

 

 

2.Значения мощности и удельной мощности даны без учета эффективного КПД.

3.Расчеты сделаны для неподвижной системы луч—образец.

сл

У

Рис. 33. Зависимость радиуса

зоны кипе­

ния от времени 1137} в безразмерных

единицах у = [ у (г), г = yf3x:

 

/ — 72

i/ 2; 2 — V2 — 1/15; 3

— квазиста-

ционарный случай у « 0; 4 — решение по вы­

ражению

(40)

 

лучевое воздействие на нержавеющую сталь при U =

30 кВ

и

Cf2 = ЫО6 Вт/см2 (критическая плотность мощности

= 8,7

х

X Ю4 Вт/см2) приводит к тому, что время т энергонакопления со­

кращается от 136 до 12 мкс.

В реальных случаях, когда воздействие осуществляется при q2 = 105-И О6 Вт/см2, время энергонакопления для всех материа­ лов — 10“в—10“ 5 с.

Выражения (34), (35), (36), как уже было показано выше, полу­ чены без учета теплопроводности (33). Поэтому точность оценок по ним тем выше, чем больше <72 (при 92 > ql)• Влияние тепло­ проводности в условиях, когда q<i^ qt* рассмотрим с учетом

основных выводов, сделанных в работе [137].

Если в качестве модели процесса принять пространственную задачу Стефана, то баланс энергии на фронте кипения можно пред­ ставить в виде

 

 

Я

__ ^ 7*исл — ?о

X 7кип

da

(40)

 

4яа3

 

а

 

V

р/-исп

! Г ’

 

или в безразмерном виде

 

 

 

 

 

 

 

 

1 - У - У

 

du

 

(41)

 

 

 

 

Vx

"dx }

 

где у =

ala, х =

tlx — безразмерные радиус и время; a=q/4nX х

X (Т’исп — Т 0) — максимально возможный для данной мощности

радиус

зоны

кипения;

%=

4npLULUa 3/q — характерное

время

развития

зоны

кипения; y — V o ( T acn— Т 0)/яЕисп— безраз­

мерный комплекс; %— коэффициент температуропроводности.

Если пренебречь теплопроводностью, то уравнение (40) будет

иметь вид 1 =

y2dyldx, и его решение х — уъ!3 при у =

hla, где

h — глубина

залегания

источника тепловыделения

под поверх­

ностью, дает результат, аналогичный выражению (34).

 

Относительная ошибка вследствие пренебрежения теплопро­

водностью

р = у + у КЗ

р1''2.

 

 

 

 

На рис. 33 представлена зависимость радиуса зоны кипения от времени в безразмерном виде как результат решения уравнения (41). Прямая 4 на этом рисунке соответствует решению уравнения

58

(34), прямые 1— 3 показывают, как замедляется развитие кипения вследствие влияния теплопроводности.

Аналогичные условия взрывного вскипания могут возникнуть при прохождении тока через проводник, при этом имеют место два конкурирующих процесса; нарастание температуры, связан­ ное с омическим нагревом, и охлаждений в результате теплоот­

вода.

При малых токах (меньших некоторого критического)

I <

< /*

устанавливается тепловое равновесие. С увеличением тока

(при I

> /*) процесс выделения тепла преобладает, и температура

растет, приводя к взрывному вскипанию вещества [56, 109,

137]

с радиусом зоны вскипания

 

где а — температурный коэффициент сопротивления проводника; а —■проводимость.

Следовательно, переход от условий нагрева, в которых кон-

описывается процессами.

теплопроводности, к условиям, когда возникает взрывное вски­ пание вещества и зона проплавления становится кинжальной (глубинной), зависит в основном только от скорости нагрева (концентрации энергии в источнике).

ПРОЦЕССЫ ПЛАВЛЕНИЯ, ИСПАРЕНИЯ И ВЫБРОСА ПРОДУКТОВ РАЗРУШЕНИЯ

Процесс вскипания представляет собой фазовый переход жидкость—газ ги сопровождается "расширением вещества от на­ чальной плотности I— 10 г/см3 до значений 10"8—10"5 г/см3 (газ).

По существу в момент вскипания от зоны нагрева распростра­ няется волна сжатия, максимальное давление в которой [46]

 

 

Piпах = 1>2/с0,

 

 

где

Г — коэффициент

Грюнайзена

(для

металлов

Г *==* 1 -*-2);

с0— скорость звука,

см/с.

 

 

 

Например, для алюминия при q2 — 3,3*10® Вт/см2, с0 = 3 х

X Ю5 см/с максимальное давление

ртт^

ПО кгс/см2, что под­

тверждается и экспериментальными

данными [128].

толщиной 8

В

процессе энергонакопления

слой

вещества

в зоне воздействия плавится и испаряется, поэтому продукты выброса представляют собой смесь мелких капель жидкой фазы и пара. Максимальная скорость разлета частиц пара vn

jo® см/с, скорость частиц жидкой фазы’ и конден­ сата 108—104 см/с. Таким образом, после вскипания вещества на пути электронного луча возникает слой пара, концентрация ча­ стиц в котором быстро падает от 1-10*° Д° Ю1®—1018 см"8. Так как начальная плотность пара высока, то следует ожидать экра-

59

нировки (рассеяния, дефокусировки) электронного луча вслед­ ствие взаимодействия с частицами пара.

Многочисленными экспериментами установлено [177], что ос­ лабление интенсивности проходящего через слой вещества элект­ ронного луча, связанное с рассеянием и поглощением энергии электронов вследствие упругих и неупругих столкновений, под­ чиняется экспоненциальному закону. В частности, для случая поглощения в газовой среде изменение плотности тока

/ =

/о ехр (— пах)

(42)

или

/о ехр,(— арх),

(43)

/ =

где п — концентрация атомов пара, см"3; а — сечение взаимо­

действия, см2; а — коэффициент поглощения, см2/г.

Расчетным путем установлено, что взаимодействие электрон­ ного луча с паром в канале осуществляется в основном за счет многократных упругих столкновений. Доля неупругих столкно­ вений составляет менее 10% [101]*

Таким образом, можно полагать, что ослабление интенсивности электронного луча при прохождении _через слойГпара связано главным образом с рассеянием электронов за пределы зоны об­ работки либо с рассеянием на стенки отверстия, если вскипание произошло на дне канала (рис. 34) [59].

На основании формулы (43) для рассеяния энергии электрон­

ного луча можно записать

 

qi. = <72 ехр (— арх),

(44)

где <72 — поток энергии, прошедший через слой пара толщиной х

см, Вт/см2; q%— падающий

поток; р — плотность пара,

г/см8.

Зависимость коэффициента поглощения а от величины уско­

ряющего напряжения U

кВ) определяется формулой

[177]

а =

2,4- 10е//-2.

 

Из зависимости (44) для плотности слоя пара получим

 

О

=

ln fa/ga) '

(45)

"

'

ах

 

Будем считать критической такую плотность пара р, при ко­ торой ослабление падающего потока происходит до величины qt-

Тогда

Р*:= JnJ^ML

(46)

r

ах

v '

где х & Н — глубина канала.

При р ^ р* электронный луч достигает поверхности и обеспе­ чивает взрывное вскипание, при р > р* 'падающий поток размы­ вается («размазывается») по стенкам канала.

60