- •Введение
- •1. Подготовка образцов к измерению
- •1.1. Методы создания образцов заданной геометрии
- •1.2. Контакты к образцам и требования к ним
- •1.3. Методы изготовления контактов
- •1.4. Проверка омических свойств контактов
- •2.2. Четырехзондовый метод измерения удельного сопротивления
- •2.2.1. Электрическая схема и методика измерения удельного сопротивления четырехзондовым методом
- •2.2.2. Поправочные коэффициенты четырехзондового метода измерения удельного сопротивления
- •2.2.3. Применение четырхзондового метода при измерении удельного сопротивления тонких слоев и тонких пластин
- •2.3. Двухзондовый метод измерения удельного сопротивления
- •2.4. Однозондовый метод измерения удельного сопротивления
- •2.5. Измерение удельного сопротивления пластин произвольной формы (метод Ван дер Пау)
- •2.6. Измерение удельного сопротивления эпитаксиальных пленок
- •2.7. Метод контроля удельного сопротивления измерением сопротивления растекания в точечном контакте
- •2.8. Бесконтактные методы измерения удельного сопротивления
- •2.8.1. Бесконтактные емкостные методы измерения удельного сопротивления
- •2.8.2. Бесконтактные индуктивные методы измерения удельного сопротивления
- •3. Гальваномагнитные методы измерения параметров полупроводников
- •3.1. Эффект Холла. Возможности исследования параметров полупроводников с помощью эффекта Холла
- •3.2. Побочные поперечные эффекты, сопутствующие эффекту Холла
- •3.3. Методы измерения эффекта Холла
- •3.3.1. Метод постоянного тока и постоянного магнитного поля
- •3.3.2. Одночастотные методы
- •3.3.3. Двухчастотные методы
- •6 ‑ Образец; 7 – амперметр
- •3.4. Образцы для измерения эффекта Холла
- •3.5. Измерение эффекта Холла методом Ван дер Пау
- •4. Оптические методы измерения параметров полупроводников
- •4.1. Типы оптического поглощения
- •4.2. Аппаратура для исследования оптических свойств полупроводников
- •4.2.1. Характеристики оптических приборов
- •4.2.2. Источники излучения
- •4.2.3. Приемники излучения
- •4.2.4. Особенности основных типов спектральных приборов
- •4.3. Общие сведения о молекулярных спектрах
- •4.4. Оптический метод определения концентрации примеси из спектров поглощения
- •4.5. Образцы для измерений и определение их коэффициента поглощения
- •5. Методы исследования электрофизических параметров эпитаксиальных пленок
- •5.1. Метод окрашивания шлифов
- •5.2. Интерференционный метод измерения толщины пленок
- •На сильнолегированной подложке
- •5.3. Эллипсометрия. Эллипсометрический метод измерения толщины пленок
- •Света от чистой поверхности полупроводника (а) и от полупроводника с эпитаксиальным слоем (б)
- •5.4. Определение толщины пленки по дефектам упаковки
- •6. Измерение параметров неравновесных носителей заряда
- •6.1. Параметры неравновесных носителей заряда
- •6.2. Методы измерения дрейфовой подвижности
- •6.3. Методы измерения времени жизни
- •6.3.1. Измерение времени жизни по фотоэлектромагнитному эффекту
- •6.3.2. Измерения времени жизни методом модуляции проводимости в точечном контакте
- •5 ‑ Осциллограф
- •7. Методы контроля структуры материалов твердотельной электроники
- •7.1. Методы электронной микроскопии
- •7.1.1. Растровая электронная микроскопия
- •В кремний от их энергии
- •7.1.2. Просвечивающая электронная микроскопия
- •7.2. Методы рентгеновской спектроскопии
- •7.2.1. Методы рентгеновской топографии
- •7.2.2. Рентгеновский микроанализ
- •7.3. Методы электронной и ионной спектроскопии
- •7.3.1. Электронная спектроскопия для химического анализа (эсха)
- •Электрона в веществе от его энергии
- •7.3.2. Электронная оже-спектроскопия
- •7.3.3. Вторичная ионная масс-спектроскопия (вимс)
- •Заключение
- •Библиографический список
- •Оглавление
- •394026 Воронеж, Московский просп., 14
5.4. Определение толщины пленки по дефектам упаковки
Дефекты упаковки - наиболее часто встречающиеся дефекты в эпитаксиальных пленках. Причина возникновения дефекта упаковки – нарушение последовательности чередования отдельных атомных слоев. Как правило, дефекты упаковки возникают на границе между подложкой и растущей пленкой. Центрами зарождения дефектов упаковки могут служить микроцарапины, микрооксидные пятна на поверхности подложки, места сосредоточения примеси. Зародыши дефектов упаковки на подложке это небольшие области, в пределах которых происходит неправильное осаждение первых атомных слоев. Например, на плоскости (111) вместо последовательности АВСАВС… наблюдается последовательность АВС↓ВС – дефект упаковки вычитания (↓ - пропуск), а дефекты упаковки внедрения АВСААВС. Самыми типичными дефектами на плоскости (111) являются дефекты, состоящие из трех наклонных дефектов упаковки, образующих обычно тетраэдр с треугольным основанием. Возникает дефект упаковки на подложке и проходит вдоль трех соседних плоскостей семейства (111), каждая из которых образует угол в 70032/ с поверхностью подложки. Эти три плоскости и поверхность роста образуют правильный тетраэдр с вершиной на границе раздела. Таким образом, если подложки имеют ориентацию (111), то дефекты упаковки при травлении проявляются либо в виде равносторонних треугольников, либо в виде отдельных линий, либо в виде замкнутых многогранников (рис. 5.15).
При ориентации подложки (100) большинство дефектов упаковки проявляются в виде квадратов или отдельных линий на плоскости (110), а также в виде прямоугольников и равнобедренных треугольников. Системы плоскостей, образующих грани дефектов с поверхностью эпитаксиальных пленок, пересекаются в направлениях [110] для плоскости (111); [110] для плоскости (100); [110] и [211] – для плоскости (110).
Толщину пленок d определяют по формулам:
- для плоскости (111), (5.32)
- для плоскости (110), (5.33)
для плоскости (100), (5.34)
где а – длина стороны дефекта упаковки, измеренная на поверхности пленки.
Рис. 5.15. Дефект упаковки кремниевого эпитаксиального слоя: 1 - эпитаксиальный слой; 2 - (111) кремниевая пластина; 3 - точка зарождения дефекта на поверхности пластины;
4 - дефектная область; 5 - выход дефекта на поверхность
эпитаксиального слоя
При измерениях необходимо учитывать лишь максимальные размеры сторон дефектов, так как в ряде случаев дефекты могут зарождаться в самой пленке в процессе роста.
Для выявления дефектов упаковки используют следующие травители: травитель Сиртла, травитель Секко и травитель Райта, а также можно пользоваться травителем Деша. Химический состав травителей и области их применения приведены в таблице. Травление ведется 5 – 20 с.
Травители для выявления дефектов упаковки
Травитель
|
Химический состав |
Применение |
1. Сиртла |
HF:CrO3 (1:1) |
Поверхность с ориентацией {111} |
2. Деша |
HF:HNO3:CH3COOH (1:3:10) |
Подложки n,p-типа с ориентациями {111} и {100} |
3. Секко |
HF:K2Cr2O7 (2:1) или HF:Cr2O3 (2:1) |
Универсальный; подходит для поверхностей с ориентацией {100} |
4. Райта |
HF:HNO3: Cr2O3:Cu(NO3)2·3H2O: CH3COOH: H2O = 2:1:1:(2 ч):2:2 |
Универсальный |