Календарный план

№ Пор.

Название этапов курсового проекта (работы)

Срок выполнения этапов проекту (работы)

Примечание

1

Получение задания

2

Выбор темы работы

3

Изучение литературных

источников

4

Проведение расчетов и

разработка топологии

5

Разработка технологии

6

Оформление пояснительной

записки

7

Оформление графической части

8

Защита курсовой работы

N1

Тема проекта

Техническое задание

Примечание

ФИО студента

Дата и роспись

1

Проектирование элемента «2И – НЕ» ТТЛ

Резисторы: R1= R2=3 ±0,3 kОм

VT2: 70; U_кб  8,5 В; U_бэ 5,5 В

VT1:   15; _i < 2;U_бэ  6,5 В

стандартная технология

2

Проектирование элемента «3И – НЕ» ТТЛ

Резисторы: R1= 5 ±0,3 kОм R2=1.5 ±0,2 kОм

VT2: >50; U_кб  8,5 В; U_бэ 3,5 В

VT1:   25; _i < 3;U_бэ  6,0 В

КИД технология.

3

Проектирование элемента «2И – НЕ» ТТЛ ДШ.

Резисторы: R1= 7.5 ±0,5 kОм R2=2.2 ± 0,2 kОм

VT2: 80; U_кб  6,5 В; U_бэ 2,5 В

VT1:   55;U_бэ  6,0 В

технология «изопланар»

4

Проектирование элемента «3И – НЕ» ДТЛ

Резисторы: R1= 5.5 ±0,5 kОм R2=1.2 ± 0,2 kОм

VT:   40; U_бэ  6,0 В

ЭПИК технология

5

Проектирование составного интегрального транзистора

  500

U_кб  150 В

I_K0 <10 мкА

технология «ЭПИК»

6

Проектирование комплиментарной пары биполярных транзисторов.

VT1:   50; U_кб  25 В

VT2:   50; U_кб  25 В

технология КНС.

7

Проектирование элемента «2 ИЛИ» ЭСЛ

Резисторы: R1=R2= 2.2 ± 0,2 kОм R3=1.0±0,2 kОм; R4=10±0,2 kОм

VT: 50; U_кб  8,5 В

технология «эпипланар»

8

Проектирование элемента «3ИЛИ - НЕ» РТЛ.

Резисторы: R1=R2=R3=3±0,2 kОм R4=1.0±0,2 kОм;

VT: 45; U_кб  10,5 В

технология «ЭПИК»

9

Проектирование элемента «2ИЛИ - НЕ» РТЛ.

Резисторы: R1=R2=5±0,2 kОм R3=1.7±0,2 kОм;

VT: 25; U_кб  15,5 В

стандартная технология

10

Проектирование элемента «3 ИЛИ -НЕ» ЭСЛ

Резисторы: R1=R2=3.0 ± 0,3 kОм R3=1.5±0,2 kОм; R4=8±0,2 kОм

VT: 40; U_кб  7,5 В

КИД технология

11

Проектирование интегрального RS триггера на биполярных транзисторах

Резисторы: R1=R2=3±0,2 kОм

R3= R4=1.5±0,2 kОм;

VT: 35; U_кб  10,5 В

стандартная технология

12

Проектирование интегрального дифференциального усилительного каскада на биполярных транзисторах.

Резисторы: R1=R2=7±0,2 kОм

R3= 0.5±0,05 kОм;

VT: 45; U_кб  40 В

технология «ЭПИК»

Проектирование комплиментарной пары биполярных интегральных транзисторов.

VT1:   50; U_кб  25 В

VT2:   50; U_кб  25 В

технология «ЭПИК»

Проектирование интегрального сегнетоэлектрического полевого транзистора

Проектирование интегрального МОП элемента «2ИЛИ - НЕ»

U₀₁=2.5±0,5 В

S₀₁ 4 10^-4 А/В²

U₀₂=3.5±0,5 В

S₀₂ 3 10^-4 А/В²

вертикальный канал.

Проектирование интегрального n -канального МОП инвертор с поликремневым затвором.

U₀₁=2.0±0,5 В

S₀₁ 4,5 10^-4 А/В²

U₀₂=3.5±0,5 В

S₀₁ 2,5 10^-4 А/В²

Проектирование интегрального КМОП инвертора.

U₀₁=2.0±0,5 В

S₀₁ 4,5 10^-4 А/В²

U₀₂=3.5±0,5 В

S₀₁ 2,5 10^-4 А/В²

Проектирование интегрального параметрического стабилизатор напряжения.

U_ст =9 В; I_ст=50 мА

К_ст=300

Резистор: R1=1±0,1 kОм

VT: 350; U_кб  20 В

Стандартная технология

Интегральный параметрический стабилизатор напряжения.

U_ст =5 В; I_ст=30 мА

К_ст=100

Резистор: R1=1±0,1 kОм

VT: 50; U_кб  20 В

(Стандартная технология

Интегральный RS триггер на МОП структурах.

Разработка и технология интегрального биполярного транзистора с изолированным затвором.