Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Kon_Pr_pids_sign_27-05-14

.pdf
Скачиваний:
25
Добавлен:
23.02.2016
Размер:
1.14 Mб
Скачать

Рис.3.3 Схема електрична принципова двотактного трансформаторного підсилювача потужності.

У даній схемі резистори R1, R2 задають режим роботи, емітерний резистор Rе забезпечує стабілізацію

положення робочої точки. Вихідний трансформатор виконаний із симетричною первинною обмоткою. Вхідний трансформатор забезпечує наявність двох протифазних сигналів (фазоінверсний трансформатор) В перший на півперіод на базу VT2 подається закриваюча напруга, на VT1 – відкриваюча (рис. 3.3).

Рис 3.4. Виникнення спотворень типу сходинка.

Синусоїдальна зміна базової напруги приводить до зміни колекторного струму, який у перший на півперіод протікає від кінця до початку першої половини первинної обмотки трансформатора (рис. 3.3). Виникаючий при цьому магнітний потік індукує у вторинній обмотці одну півхвилю синусоїдальної ЕРС. У наступний півперіод VT1 закритий, a VT2 формує другу на півхвилю ЕРС, наведеної у вторинній обмотці. Полярність індукованої при цьому напруги буде протилежна попередньому випадку, оскільки колекторний струм VT2 протікає від початку до кінця другої половини первинної обмотки трансформатора. Якщо схема симетрична, то вихідний сигнал практично не містить другої гармоніки. Симетрія схеми робить її нечутливою до пульсацій напруги живлення, до перешкод синфазного типу. Проте не лінійність характеристик підсилювальних елементів спричинює виникнення непарної - третьої гармоніки, амплітуда якої суттєво менша, ніж амплітуда другої гармоніки на виході однотактного посилюваного каскаду, що працює в режимі В.

Нелінійність характеристик підсилювальних елементів, при малих значеннях колекторного струму, зумовлює виникнення спотворень типу "сходинка" (рис. 3.4). У зв'язку з цим частіше використовують режим АВ. Слід зазначити, що в режимі В коефіцієнт корисної дії ~ 80% , в режимі АВ – ~ 70% , але

зникають спотворення за рахунок компенсації спотворень при малих значеннях синусоїдальних струмів верхнього та нижнього плечей каскаду.

Двотактні трансформаторні каскади (рис. 3.3) забезпечують понижений рівень нелінійних спотворень, обумовлений компенсацією кривизни наскрізних характеристик плечей підсилювача, при протифазності їх роботи. З точки зору спектральних складових, це зумовлюється в першу чергу компенсацією парних

13

гармонік у спектрі вихідного сигналу. Приймемо, що колекторні струми транзисторів обох плечей підсилювача в режимі А містять гармонійні складові. В загальному випадку, наприклад, для першого транзистора колекторний струм можна зобразити аналітично наступним чином:

iк 1 I к 0 І т1 cos t I m 2 cos 2 t І т 3 cos 3 t .

Коливання на вхід другого транзистора подаються у проти фазі за знаком, а для гармонійного сигналу це еквівалентно зсуву за часом на півперіода. Тому перші гармоніки колекторних струмів мають протилежні знаки. Зсув на півперіод першої гармоніки буде зсувом на цілий період другої гармоніки, отже, друга гармоніка колекторних струмів транзисторів обох плечей матиме однаковий знак.

Продовжуючи міркування стосовно більш високих гармонік, отримаємо

iк 2 I к 0 І т1 cos t I m 2 cos 2 t І т 3 cos3 t ...

Колекторні струми транзисторів протікають через половини обмоток вихідного трансформатора в протилежних напрямах. Тому зміна величини магнітного потоку в його осерді пропорційна різниці струмів iк 1 iк 2 2(І т1 cos t І т 3 cos 3 t ...) . Отже, напруга на навантаженні, що пропорційна різниці

струмів, не містить парних гармонік. Компенсація не може бути повною, якщо частотні властивості транзисторів плечей підсилювача різні.

До переваг двотактного підсилювача слід віднести його малу чутливість до пульсацій напруги живлення, оскільки вони компенсуються при відніманні струмів колекторів. Це ж стосується всіх перешкод синфазного типу, як наприклад зміни температури навколишнього середовища.

Для отримання протифазного сигналу використовується фазоінверсний каскад. Транзисторні фазо інверсні каскади не забезпечують гальванічної розв'язки, проте дозволяють суттєво зменшити масогабаритні параметри підсилювача. Прикладом фазоінвертуючого каскаду може бути каскад з розділеним навантаженням (рис. 3.5 а).

Рис.3.5. Схеми електричні принципові фазо інвертуючих каскадів: а) каскад з розділеним навантаженням; б) з фазо інверсним каскадом.

Номінали резисторів R1 , R2 цієї схеми, як правило, вибираються рівними між собою. Недоліком

схеми є те, що вихідний опір різний на різних виходах. Цей недолік вдається усунути, використовуючи схему з інвертуючим каскадом (рис. 3.5 б). У цьому випадку обидва сигнали знімаються з емітерів транзистора, і забезпечується найменша величина вихідного опору. Найбільш високу температурну стабільність параметрів протифазних сигналів забезпечує схема рис. 3.6, яка є базовою для диференційних підсилювачів.

14

Рис.3.6. Схема електрична принципова фазоінвертуючого каскаду на основі диференційного підсилювача.

Один із входів схеми за змінним струмом шунтується конденсатором Сб. Обернений зв'язок здійснюється з допомогою емітерного резистора Re .

Суттєвим недоліком трансформаторних вихідних каскадів є значні масо габаритні параметри підсилювача. Це робить неможливим виконання підсилювачів в інтегральному виді. В тому випадку, коли навантаження підсилювачів є низькоомним, питання узгодження вихідного опору підсилювача з опором навантаження розв‟язується шляхом використання схем зі спільним колектором (емітерний повторювач), які забезпечують найбільш низький вихідний опір.

Без трансформаторні вихідні каскади прийнято поділяти на каскади, що живляться від одного або двох джерел живлення. Прикладом схеми першого типу може бути схема (рис. 3.7).

Рис.3.7. Схема електрична принципова без трансформаторного підсилювача потужності з ввімкненням навантаження в діагональ моста.

У даній схемі VT2 та VT3 утворюють так звану комплементарну пару, тобто це є два транзистори з абсолютно однаковими параметрами, але різними типами провідності. Обидва транзистори працюють у режимі В або АВ. Режим їх роботи задається спадом напруги на прямо зміщеному діоді VD1. Кількість діодів може бути і більшою в залежності від того, який режим роботи необхідно задати. Використання діодів обмежує можливість плавного задання режиму роботи, проте при цьому виконується функція температурної стабілізації положення робочої точки. З цієї точки зору недоцільно замінювати діод резистором. Слід зауважити, що напівпровідник, з якого виготовлений діод такий же, як у транзисторів. Транзистор VT1 здійснює попереднє підсилення вхідного сигналу за напругою. Режим роботи цього транзистора відповідає режиму А, і підібрано таким чином, що величина протікаючого через VT1 струму більша (у крайньому випадку дорівнює), ніж величина амплітудного значення струму підсилюваного сигналу. Виконання цієї умови необхідне для того, щоб запобігти спотворенню форми підсиленого сигналу діодом VD1. При відсутності вхідного сигналу лівий та правий електроди резистора навантаження знаходяться під одним і тим же потенціалом. Напруга в точці з'єднання емітерів транзисторів VT2, VT3 та

конденсаторів C1 , C2 дорівнює половині напруги живлення. При додатній півхвилі підсилюваного

сигналу на колекторі VT1, відкривається транзистор VT2, а VT3 – закривається. Струм емітера VT2 обумовлений процесом зарядки конденсатора С2 і розрядки С1. У випадку від'ємної півхвилі, відкритий VT3 і струм обумовлений процесами зарядки конденсатора С1 і розрядки С2. Величина ємності конденсаторів

C

1

,

C

2

повинна бути такою, щоб їх реактивний опір X C

X C

, на нижній частоті діапазону

 

 

 

1

 

2

підсилювальних частот повинен бути менший, ніж опір навантаження

15

X C1 X C2

f fН

Rн

Якщо Rн – це акустична система з опором 4-8 Ом, а fн=20 Гц, то ємність конденсаторів повинна бути ~ ІОООмкФ. Як правило, це електролітичний конденсатор значних габаритів. У зв'язку з цим у деяких випадках використовують схеми з одним роздільним конденсатором (рис. 3.8).

Рис.3.8. Схема електрична принципова безтрансформаторного підсилювача потужності із заземленим навантаженням.

Прикладом схеми, що живиться від двох джерел живлення, може бути схема, наведена на рис. 3.9.

Рис.3.9. Схема електрична принципова без трансформаторного підсилювача потужності, що живиться від двох джерел живлення.

З технологічної точки зору, виготовлення транзисторів р-п-р – типу в кремнієвій пластині з високими електричними характеристиками пов‟язане із значними технологічними труднощами. Особливо сильно цей недолік проявляється у вихідних каскадах, тому безпосередньо на виході (транзистори VT5, VT6) використовують транзистори одинакового п-р-п – типу, параметри яких можуть бути забезпечені достатньо рівними. Комплементарна пара утворюється транзисторами VT3, VT4 , VT3 з VT5 та VT4 з VT6 утворюють складові транзистори. З формальної точки зору, складовий транзистор також має тільки три електроди, проте забезпечує коефіцієнт підсилення за струмом, що дорівнює добутку статичних коефіцієнтів підсилення транзисторів, що входять до схеми.

Навіть, якщо не розглядати VT3 та VT4, то струми I1

та

I 2 при ідентичних параметрах VT5 та VT6

повинні бути різними, оскільки I å5 - емітерний струм, а

I ê 6

- колекторний. Для забезпечення рівності

струмів I å5 та I ê 6 схеми складових транзисторів вводяться резистор R6* та діод VD5, які і симетризують

плечі схеми.

Вхідний сигнал подається на базу VT1 (рис. 3.9), колекторним навантаженням якого служить динамічний опір (транзистор VT2 ввімкнений за схемою із спільною базою). Величина напруги зміщення складових транзисторів формується за рахунок спаду напруги на прямо зміщених діодах VD1, VD4.

При без трансформаторному виході у двотактному каскаді можна отримати вдвічі більшу мінімальну

16

амплітуду вихідного сигналу, тобто вчетверо більшу вихідну потужність, якщо використовувати мостову схему (рис. 3.10), яка містить чотири вихідні транзистори. В один із півперіодів працюють транзистори VT1, VT4, а в наступний – VT3, VT2.

Рис. 3.10. Схема електрична принципова мостового підсилювача потужності.

Максимальна амплітуда півхвиль напруги на навантаженні RH в будь-який на півперіод близька Ек, і менша Еа на суму величин спадів напруг двох послідовно ввімкнених транзисторів. У даній схемі транзистори ввімкнені як емітерні повторювачі, тому для збудження необхідно забезпечити амплітуду вхідного сигналу дещо навіть більшу від Ек. В принципі, це можна здійснити, подаючи сигнал через додатковий підсилюючий транзистор.

До недоліків мостової схеми слід віднести:

1)велику кількість транзисторів;

2)відсутність спільної точки під‟єднання навантаження.

Останній недолік усувається при використанні двотактних каскадів, виконаних за квазімостовою схемою.

3.2. Підсилювачі класу D

Суттєвим недоліком підсилювачів класу А, АВ, В є залежність величини коефіцієнта корисної дії від амплітуди підсилюваного сигналу, причому меншій амплітуді сигналу відповідає менша величина коефіцієнта корисної дії. У випадку підсилювачів класу D активний підсилювальний елемент працює у ключовому режимі, тобто більшу частину часу знаходиться в стані відсічки або насичення. В першому випадку спад напруги на підсилювальному елементі великий, проте протікаючий струм дуже малий. У другому – протікаючий струм великий, але спад напруги малий.

В обох випадках розсіювана на підсилювальному елементі потужність мала. Отже, використання транзисторів із високими ключовими характеристиками дозволяє підвищити коефіцієнт корисної дії практично до 90 – 95%.

Характерно, що в цьому випадку, незалежно від амплітуди підсилюваного сигналу, величина коефіцієнту корисної дії залишається незмінною.

Використання підсилювачів класу D розв‟язує питання підвищення коефіцієнта корисної дії, проте виникає ряд труднощів, а саме :

1)забезпечення роботи підсилювального елемента у ключовому режимі вимагає введення до структури підсилювача блоку широтної або частотної модуляції підсилювального сигналу;

2)прямокутні імпульси, сформовані модулятором, займають досить широкий спектр, отже, діапазон підсилюваних частот підсилювачів імпульсів повинен бути достатньо широким;

3)робота підсилювального елемента у ключовому режимі приводить до збільшення величини нелінійних спотворень;

4)комутація потужних сигналів ключовим елементом зумовлює виникнення значного рівня перешкод, що погіршує роботу самого підсилювача й погіршує умови електромагнітної сумісності з іншими приладами. На структурному рівні підсилювач класу D має наступний вигляд :

Рис.3.11. Структурна схема підсилювача потужності класу D.

ДПС – джерело підсилюваного сигналу; ШІМ – широтно-імпульсний модулятор; ПІ – підсилювач

17

імпульсів; КП – ключовий підсилювач; ФНЧ – фільтр низької частоти; Rн - навантаження. Широтноімпульсний модулятор перетворює вхідний сигнал у послідовність прямокутних

імпульсів однакової амплітуди, але різної тривалості. Підсилюваний сигнал, відразу після широтнімпульсної модуляції (ШІМ), подається на підсилювач імпульсів який підсилює амплітуду прямокутних імпульсів до необхідного значення. Для ефективного керування потужним транзистором використовують підсилювач імпульсів. Крім збільшення амплітуди імпульсної послідовності за допомогою ПІ можна покращити фронт та зріз імпульсу, що сприяє зростанню ККД оскільки транзистори ключового підсилювача меншу частину часу будуть знаходитись в активній області тобто області в якій розсіювана на транзисторах КП потужність суттєво зростає.

ФНЧ виконує функцію своєрідного демодулятора, тобто функцію виділення корисного сигналу з послідовності прямокутних імпульсів.

У випадку підсилювачів класу D розрізняють два основних різновиди ШІМ – інвертуючий та не інвертуючий. У першому випадку структурна схема модулятора має вигляд, наведений на рис. 3.12.

Рис.3.12. Інвертуючий широтно імпульсний модулятор: а) структурна схема; б) осцилограми сигналів ШІМ модулятора. де ДПС – джерело підсилювального сигналу; Г – генератор сигналів трикутної форми; ПП – пороговий пристрій.

Середнє значення амплітуди широтноімпульних коливань є інверсним відносно вхідного модульованого сигналу.

Принцип роботи схеми інвертуючого ШІМ є наступний.

З допомогою порогового пристрою здійснюється порівняння амплітуд сигналів генератора трикутної форми та амплітуди перетворюваного сигналу. Якщо UГ < UС , то на виході ПП формується низький рівень сигналу. При UГ UС на виході ПП формується високий рівень сигналу. Частота слідування імпульсів визначається частотою слідування сформованих генератором імпульсів трикутної форми. Напруга генератора має трикутну форму з лінійним зростанням і спаданням, причому тривалість прямокутних

імпульсів на виході порогового пристрою дорівнює інтервалу часу, протягом якого U Г U e . Структурна схема й основні осцилограми не інвертуючого ШІМ наведено на рис.3.13

18

Рис.3.13. Не інвертуючий широтно імпульсний модулятор: а) структурна схема; б) осцилограми сигналів ШІМ модулятора.

З допомогою суматора сигнал генератора модулюється перетворюваним сигналом. Пороговий пристрій у даній схемі порівнює цей просумований сигнал з деяким фіксованим рівнем U0ПП. Принцип роботи ПП залишається тим же,як і в попередній схемі, а саме:

U Г UС U ПП – формується високий рівень вхідного сигналу.U Г U С U ПП – формується низький рівень вихідного сигналу.

3.3. Схемотехнічна реалізація підсилювачів класу D.

Схема найпростішого однотактного підсилювача класу AD матиме вигляд зображений на рис. 3.14.

19

Рис.3.14. Схема однотактного підсилювача класу AD.

При двохелементному LC-фільтрі, з допомогою якого виділяється корисний сигнал, параметри елементів фільтра розраховуються за формулами

LФ

 

1,4

RН

 

; Ом сек ;

 

 

 

 

 

 

2 fm ax

 

 

 

 

 

 

 

0,7

 

 

 

сек

CФ

 

 

 

 

 

;

 

;

 

2 fm ax

RН

 

 

 

 

 

Ом

де fmax - максимальна частота корисного підсилюваного сигналу.

Величина коефіцієнта корисної дії даної схеми в першому наближенні може розраховуватись за формулою

1 rнас. , 2RН

де rнас. – опір транзистора в режимі насичення, RН – опір навантаження.

При виведенні цієї формули не враховувались втрати, обумовлені скінченністю величини тривалості фронту та зрізу, тобто не враховувались втрати енергії на транзисторі при його переході через активну область від стану насичення до відсічки і навпаки. Оскільки транзистор володіє власною внутрішньою паразитною електричною ємністю, то в режимі відсічки вона заряджається, а при переході транзистора в режим насичення відбувається її розряд. Це також вносить додаткові паразитні втрати енергії. До недоліків схеми (рис. 3.14) слід віднести те, що навантаження не заземлене, що створює певні технічні труднощі.

Рис. 3.15. Схема двох тактного підсилювача класу АD.

Вищі технічні характеристики забезпечуються двотактним підсилювачем класу AD. Двотактна схема, за своєю суттю, поєднує дві однотактні схеми підсилювача AD, що працюють на одне навантаження. Підсилювач живиться від двох джерел живлення різної полярності Е1 та Е2. Робота підсилювача ілюструється часовими діаграмами (рис.3.16). Підсилюваний сигнал подається на вхід ШІМ, де

перетворюється в дві послідовності прямокутних імпульсів U бе1 , U бе2 , зміщених один відносно одного за фазою на 180º. Сигнали U бе1 , U бе2 підсилюються ідентичними підсилювачами імпульсів ПІ, і подаються на

входи транзисторів VT1 та VT2 двотактного каскаду, при цьому в колекторних колах транзисторів формуються послідовності прямокутних імпульсів струму (третя осцилограма рис. 3.16). Після демодуляції ФНЧ струм, що протікає в аноді навантаження, не буде містити вищих гармонійних складових. Фаза

20

коливань напруги на опорі навантаження протилежна фазі коливань вхідного сигналу.

Рис. 3.16. Осцилограми роботи двох тактного підсилювача класу АD.

Двотактна схема підсилювача класу AD відрізняється від однотактної тим, що при шпаруватості прямокутних імпульсів рівній двом, напруга на виході двотактного каскаду відсутня, оскільки струми плечей у навантаженні мають протилежний напрям і компенсують один одного. Цю властивість зручно використовувати для підсилення сигналу, що містить постійну складову. Для того, щоб на Rн не виділялась постійна складова, обумовлена асиметрією плечей двотактного каскаду, використовують два джерела живлення, або ємнісний подільник, і отже, джерело. В цьому випадку навантаження під‟єднується до середньої точки ємнісного подільника чи спільної точки під'єднання двох джерел. Водночас, при малих рівнях вихідного сигналу, до елементів фільтра подається значна за величиною напруга (рис. 3.16), що підвищує вимоги до електричних параметрів цих елементів. Слід зауважити, що у двотактних підсилювачах класу AD при відкриванні одного з транзисторів вихідного каскаду напруга на ньому зменшується, а на транзисторі протилежного плеча – різко збільшується на ту ж величину. Внаслідок інерційних властивостей потужних транзисторів VT1 та VT2 вихідного каскаду можливе виникнення "наскрізного" струму. Цей струм виникає внаслідок того, що закривання, наприклад VT1, відбувається пізніше, ніж відкривання VT2 або навпаки. У результаті затримки в стані відсічки, можливий деякий відрізок часу, коли обидва транзистори VT1, VT2 знаходяться у відкритому стані й проводять електричний струм. Виникнення наскрізного струму не тільки знижує величину ККД, а й може привести до виходу з ладу транзисторів. Зазначені недоліки можна усунути, використавши підсилювачі класу BD. Принцип роботи цих підсилювачів такий же, як і класичних двотактних підсилювачів класу В, тобто кожна півхвиля підсилюється своїм плечем підсилювача.

У структурі підсилювача класу BD присутній блок селектора полярності, який здійснює розділення додатної півхвилі від від'ємної (селекція за полярністю) (рис. 3.17) .

21

Рис. 3.17. Двох тактний підсилювач класу ВD: а) схема двох тактного підсилювача; б) осцилограми роботи підсилювача .

Кожна з півхвиль поступає на свій каскад підсилення, при цьому підсилення додатної півхвилі здійснюється нижнім каналом, реалізована на транзисторі VT2. Транзистор VT3 відкритий протягом інтервалу часу, що дорівнює тривалості додатної півхвилі. Підсилення від'ємної півхвилі здійснюється транзистором VT1, при цьому VT3 - закритий, a VT4 - відкритий. Зміна стану транзисторів VT3, VT4 здійснюється з частотою підсилюваного сигналу. Напруга керування на входи вказаних транзисторів подається через допоміжний трансформатор гальванічної розв„язки від джерела підсилюваного сигналу. Зміна стану транзисторів VT1, VT2 здійснюється з частотою модуляції. Отже, ми маємо ситуацію, коли різні за своїм типом провідності транзистори працюють в однакові півперіоди. Оскільки параметри VT1, VT2 (комплементарна пара) не можуть бути ідентичними, то це вносить асиметрію в роботу схеми, отже при сумуванні додатної та від'ємної півхвиль підсилюваного сигналу виникають додаткові нелінійні спотворення. В той же час у підсилювачах класу BD обійтися без комплементарних транзисторів у межах даного схемо технічного рішення неможливо. У зв'язку з цим більш широкого розповсюдження набула наведена нижче схема (рис.3.18).

Рис. 3.18. Схема двох тактного підсилювача класу ВD на ключових транзисторах одного типу провідності.

У даній схемі транзистори VT1, VT2 - однакового типу провідності й працюють на частоті модуляції. Однакові VT3, VT4 працюють на частоті підсилюваного сигналу. Порушення симетрії в даній схемі може бути обумовлено відмінністю в параметрах однотипних транзисторів. Відмінність може бути найменшою і прогнозовано меншою, ніж у випадку різнотипних транзисторів. В усіх наведених схемах з метою запобігання виникнення екстраструмів комутації реактивні елементи фільтрів зашпунтовані оберненозміщеними діодами.

Підсилювачі класу D характеризуються рядом недоліків. Вони менш точно відтворюють форму підсилювальних коливань і мають на виході залишкові пульсації, що знижує їх динамічний діапазон. Крім того, реалізація крутих фронтів імпульсів вимагає дуже високих граничних частот транзисторів і створює значні радіоперешкоди в широкому спектрі частот.

22

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]