патенты / 19441

777941-- = "/"; . , . . , . . , . , , . .



. :
:
УведомлениеЭтот перевод сделан компьютером. Невозможно гарантировать, что он является ясным, точным, полным, верным или отвечает конкретным целям. Важные решения, такие как относящиеся к коммерции или финансовые решения, не должны основываться на продукте машинного перевода.
РћРџРРЎРђРќРР• РЗОБРЕТЕНРРЇ GB777941A
[]
ПОЛНАЯ СПЕЦРР¤РРљРђР¦РРЇ Усовершенствования, касающиеся контрольного Рё взвешивающего оборудования. РњС‹, , компания, зарегистрированная РІ соответствии СЃ законодательством Великобритании, РёР· РџРѕСЂС‚-Санлайт, графство Честер, Англия, настоящим заявляем РѕР± изобретении, РІ отношении которого РјС‹ молимся, чтобы патент может быть выдан нам, Р° метод, СЃ помощью которого РѕРЅ должен быть реализован, должен быть РїРѕРґСЂРѕР±РЅРѕ описан РІ следующем заявлении: Настоящее изобретение относится Рє машинам того типа, РІ которых используется РѕРґРёРЅ или несколько деформируемых элементов для контрольного взвешивания или взвешивания. заранее заданный вес материала. , , , , , , , , , : . Деформируемый элемент или элементы РІ дальнейшем РёРЅРѕРіРґР° называются измерительным элементом или элементами. . Весовая машина этого типа раскрыта РІ нашем патенте в„– 701325, который относится Рє машине для наполнения контейнеров заданным весом материала. . 701,325, . Машина содержит измерительный элемент, способный деформироваться РїРѕРґ нагрузкой, средство для измерения деформации элемента Рё средство перемещения стандартного РіСЂСѓР·Р° для загрузки элемента стандартным весом Рё для снятия нагрузки, обусловленной стандартным весом. РџСЂРё использовании измерительный элемент загружается контейнером, который необходимо заполнить, Рё стандартным РіСЂСѓР·РѕРј, вызывающим деформацию, деформацию измеряют, затем стандартный РіСЂСѓР· удаляют Рё контейнер наполняют материалом РґРѕ тех РїРѕСЂ, РїРѕРєР° ранее измеренная деформация РЅРµ повторится. достиг. , , . , , , . Машины этого типа особенно чувствительны Рє вибрациям, исходящим как изнутри контрольно-взвешивающей или самой взвешивающей машины, так Рё РѕС‚ внешних причин. Деформация измерительного элемента измеряется как смещение точки измерительного элемента относительно неподвижной контрольной точки, которая обычно расположена РЅР° основании или раме машины или жестко прикреплена Рє ней. Таким образом, случайные вибрации РјРѕРіСѓС‚ вызвать относительное перемещение между деформируемым измерительным элементом Рё контрольной точкой РґРѕ такой степени, что РјРѕРіСѓС‚ быть получены ложные показания. Смещение точки измерительного элемента относительно контрольной точки РІ этом случае больше РЅРµ является истинным смещением РёР·-Р·Р° поддерживаемой нагрузки; истинное смещение маскируется, тем самым ограничивая точность машины. . . , , . ; , . Р’ настоящее время обнаружено, что путем прикрепления эталонного элемента Рє раме, Рє которой прикреплен измерительный элемент, Рё расположения эталонного элемента таким образом, что любая вибрация, передаваемая измерительному элементу рамкой, заставляет эталонный элемент вибрировать РІ СѓРЅРёСЃРѕРЅ СЃ измерительным элементом. Рё РїСЂРё размещении контрольной точки РЅР° эталонном элементе эталонная точка будет вибрировать РІ СѓРЅРёСЃРѕРЅ СЃ соответствующей точкой РЅР° измерительном элементе, Рё ложные показания Р±СѓРґСѓС‚ существенно уменьшены или устранены. , , . Таким образом, настоящее изобретение предлагает машину для контрольного взвешивания или взвешивания аналогичных масс, содержащую деформируемый измерительный элемент, прикрепленный Рє раме, РїСЂРё этом указанный измерительный элемент выполнен СЃ возможностью деформации РїРѕРґ действием нагрузки, включающей или состоящей РёР· массы, подлежащей контрольному взвешиванию или взвешиванию, деформируемый эталонный элемент, выполненный СЃ возможностью иметь те же характеристики вибрации РІ направлении деформации, что Рё измерительный элемент РїСЂРё нагрузке указанной нагрузкой, Рё средство, реагирующее РЅР° относительное смещение РІ направлении деформации между измерительным элементом Рё эталонным элементом. , , , . Рзмерительный элемент Рё эталонный элемент предпочтительно являются идентичными. Р’ этом случае РЅР° опорный элемент должна быть возложена нагрузка, равная нагрузке, действующей РЅР° измерительный элемент. . . Настоящее изобретение применимо РєРѕ всем типам деформируемых измерительных элементов, Р±СѓРґСЊ то консоли, СЃРІРѕР±РѕРґРЅРѕ опирающиеся балки или залитые балки. Например, деформируемый измерительный элемент может быть выполнен РІ РІРёРґРµ трех кантилеверов, свободные концы которых соединены суммирующей диафрагмой, смещение центра которой представляет СЃРѕР±РѕР№ среднее алгебраическое перемещений свободных концов трех кантилеверов. Опорный элемент тогда также должен быть РІ РІРёРґРµ трех кантилеверов, свободные концы которых аналогичным образом соединены суммирующей диафрагмой. Затем истинное смещение будет измерено между центрами РґРІСѓС… диафрагм. , , , . , , . , . . Вариант осуществления согласно настоящему изобретению теперь будет описан СЃРѕ ссылкой РЅР° чертеж, сопровождающий предварительное описание, РЅР° котором схематически показан РІРёРґ, частично РІ разрезе, устройства. - , , . Рзмерительная балка 1 Рё компенсирующая балка 2 жестко соединены между СЃРѕР±РѕР№ жесткими соединительными деталями 3 Рё 4, РІ которых РѕРЅРё залиты. Соединительные детали закреплены РЅР° РѕРїРѕСЂРЅРѕР№ плите 5. Соединительные детали 3 Рё 4 Рё опорная пластина 5 составляют раму. Балка 1 снабжена весовой платформой 6 Рё РѕРїРѕСЂРѕР№ платформы 7. Электрод 8 крепится СЃ помощью изолятора 9 Рє балке 1, Р° соответствующий электрод 10 крепится СЃ помощью изолятора 11 Рє балке 2. Таким образом. деформация балки вызывает смещение электрода 8 относительно электрода 10. Два электрода представляют СЃРѕР±РѕР№ конденсатор, так что деформация балки РїРѕРґ действием нагрузки, помещенной РЅР° платформу весов, вызывает соответствующее изменение емкости конденсатора. 1 2 3 4 . 5. 3 4 5 . 1 6 7. 8 9 1 10 11 2. . 8 10. , . Это изменение емкости можно измерить любыми обычными способами. Компенсирующая балка 2 снабжена компенсирующей массой 12 Рё РѕРїРѕСЂРѕР№ компенсирующей массы 13. . 2 12 13. РћР±Рµ балки максимально идентичны, чтобы гарантировать идентичность РёС… вибрационных характеристик, Р° вес компенсирующей массы 12, вес РѕРїРѕСЂС‹ 13 устроен так, чтобы равняться весу массы, помещаемой РЅР° весовую платформу 6 плюс вес платформы 6 Рё вес платформы-РѕРїРѕСЂС‹ 7. Любая вибрация РґРІСѓС… балок будет воздействовать РЅР° РЅРёС… одинаково, Рё смещение электрода 8 всегда будет синфазным Рё РїРѕ существу равным РїРѕ величине смещению электрода 10, особенно если предусмотрено средство для применения гидравлического демпфирования между РґРІСѓРјСЏ балками. Таким образом, вибрации Р±СѓРґСѓС‚ перемещать РґРІРµ электродные пластины СЃРёРЅС…СЂРѕРЅРЅРѕ Рё РЅРµ вызывать смещения между РЅРёРјРё. , 12 13 6 6 7. 8 10 . , . Хотя РІ описанном выше варианте весовая платформа воздействует непосредственно РЅР° балку , это, конечно, РЅРµ существенно. , , , . Чтобы уменьшить «ошибку смещения», возникающую РёР·-Р·Р° того, что взвешиваемая масса РЅРµ расположена РїРѕ центру платформы для взвешивания, можно использовать отдельную платформу для взвешивания, РїСЂРё этом результирующая сила, действующая РЅР° платформу, передается РЅР° балку 1 СЃ помощью системы рычаги Например, аппарат типа, описанного РІ «Промышленном взвешивании» Р”.Рњ. " " , - 1 , " " . . Консидайн, издание 1948 РіРѕРґР°, стр. 42, РїРѕРґС…РѕРґРёС‚ для этой цели, единственное необходимое изменение заключается РІ том, что выходное усилие рычажной системы вместо того, чтобы передаваться стальным стержнем, прикладывается Рє измерительной балке 1 через эквивалентный члена поддержки 7. , 1948 , 42, , , - , 1 7. Р’ описании РїРёСЃСЊРјР° Рє патенту в„–. . 732,744 Заявлено сварочное устройство, которое содержит раму, РґРІР° подвижных элемента, чашу весов, соединенную СЃ РѕРґРЅРёРј РёР· указанных элементов, РіРёР±РєРёРµ элементы, поддерживающие указанные элементы для перемещения РїРѕ указанным рамам, подвижные элементы Рё РіРёР±РєРёРµ элементы, образующие РґРІРµ параллелограммные конструкции, которые средства для значительного изменения взаимного положения подвижных элементов, средства для регулирования чувствительности, средства для доведения движения подвижных элементов (или взаимного перемещения подвижных элементов) РґРѕ заданной степени демпфирование. Рё средства измерения взаимного перемещения подвижных элементов. РњС‹ РЅРµ предъявляем никаких претензий Рє этому устройству. 732,744 welghirГ­g , , , , , , , ( ) . . . РњС‹ утверждаем следующее: - 1. Машина для контрольного взвешивания или взвешивания аналогичных масс, содержащая деформируемый измерительный элемент, прикрепленный Рє раме, причем указанный измерительный элемент выполнен СЃ возможностью деформации РїРѕРґ действием нагрузки, включающей или состоящей РёР· массы, подлежащей контрольному взвешиванию или взвешиванию, деформируемого эталона элемент, выполненный СЃ возможностью иметь те же характеристики вибрации РІ направлении деформации, что Рё измерительный элемент, РєРѕРіРґР° РѕРЅ нагружен упомянутой нагрузкой, Рё средство, реагирующее РЅР° относительное смещение РІ направлении деформации между измерительным элементом Рё опорным элементом. : - 1. , , , . 2.
Машина по п.1, в которой измерительный элемент и эталонный элемент по существу идентичны и в которой эталонный элемент деформируется под действием нагрузки, по существу равной нагрузке, действующей на измерительный элемент. 1 , . 3.
Машина по п.1 или 2, в которой элементы являются консольными. 2 . 4.
Машина для контрольного взвешивания или взвешивания аналогичных масс, РїРѕ существу, описанная здесь СЃРѕ ссылкой РЅР° чертеж, прилагаемый Рє предварительной спецификации. . ’ СПЕЦРР¤РРљРђР¦РРЇ Усовершенствования, касающиеся весов Рё фасовочных машин РњС‹, , компания, зарегистрированная РІ соответствии СЃ законодательством Великобритании; Порта ' , , ; **Р’РќРРњРђРќРР•** конец поля может перекрывать начало **. **** **.
, ."> . . .
: 506
: 2024-04-11 12:35:00
: GB777941A-">
: :

777942-- = "/"; . , . . , . . , . , , . .



. :
:
УведомлениеЭтот перевод сделан компьютером. Невозможно гарантировать, что он является ясным, точным, полным, верным или отвечает конкретным целям. Важные решения, такие как относящиеся к коммерции или финансовые решения, не должны основываться на продукте машинного перевода.
РћРџРРЎРђРќРР• РЗОБРЕТЕНРРЇ GB777942A
[]
ПАТЕНТНАЯ СПЕЦРР¤РРљРђР¦РРЇ Дата подачи заявки Рё подачи полной спецификации: 30 декабря 1953 Рі. : 30, 1953. 777,942 в„– 36241/53. 777,942 36241/53. В», заявка, поданная РІ Соединенных Штатах Америки 30 декабря 1952 РіРѕРґР°. ,' Dec30, 1952. / Полная спецификация опубликована: 3 июля 1957 Рі. / : 3, 1957. Рндекс РїСЂРё приемке: -Класс 37, Рљ( 1 Рђ 2:1 РЎРҐ,2 Р•:3:4 Рђ:6 Р”). :- 37, ( 1 2:1 ,2 :3:4 :6 ). Международная классификация:- 01. :- 01. ПОЛНАЯ СПЕЦРР¤РРљРђР¦РРЇ Усовершенствования, касающиеся полупроводниковых РїСЂРёР±РѕСЂРѕРІ. РњС‹, , корпорация штата РќСЊСЋ-Йорк, Соединенные Штаты Америки, офис которой находится РїРѕ адресу Скенектади 5, штат РќСЊСЋ-Йорк, Соединенные Штаты Америки, настоящим заявляем РѕР± изобретении: для чего РјС‹ молимся, чтобы нам был выдан патент, Р° метод, СЃ помощью которого РѕРЅ должен быть реализован, был РїРѕРґСЂРѕР±РЅРѕ описан РІ следующем заявлении: - , , , , 5, , , , , , :- Настоящее изобретение относится Рє полупроводниковым устройствам Рё, более конкретно, Рє выпрямителям Рё транзисторам, пригодным для применения РІ устройствах большой мощности. . Полупроводники, такие как германий Рё кремний, традиционно классифицируются как положительные (-тип) или отрицательные (-тип), РІ зависимости, прежде всего, РѕС‚ типа Рё знака РёС… преобладающих носителей проводимости. (-) (-) . Преобладающими носителями проводимости РІ полупроводниках -типа являются свободные электроны, Р° РІ полупроводниках -типа преобладающими носителями проводимости являются электронные вакансии, которые стали известны как «положительные дырки». Электрические характеристики полупроводника -типа противоположны характеристикам полупроводника -типа. конкретное полупроводниковое тело содержит избыточные электроны или избыточные электронные вакансии, РІ первую очередь зависит РѕС‚ количества Рё типа существенных примесей или «активаторов», присутствующих РІ полупроводнике. Некоторые активаторы, называемые «донорами», такие как СЃСѓСЂСЊРјР°, фосфор Рё мышьяк, выполняют функцию 36, обеспечивая дополнительную свободные электроны РІ полупроводник, чтобы создать избыток электронов РІ полупроводнике -типа. Другие активаторы, называемые «акцепторами», такие как алюминий, галлий Рё РёРЅРґРёР№, поглощают электроны для создания полупроводника -типа СЃ избытком «положительных дырок». «Только незначительные следы этих активаторов, менее 1 части РЅР° миллион, достаточны для создания заметных электрических характеристик того или РёРЅРѕРіРѕ типа. , " " - "" , "," , , 36 - , "," , , , - " " , 1 , . lЦена 3/6 Р». Р’ течение некоторого времени было известно, что если полупроводниковое тело изготавливается СЃ Р·РѕРЅРѕР№ -типа, примыкающей Рє Р·РѕРЅРµ -типа, СЃ образованием тонкого собственного слоя полупроводникового перехода или барьера пространственного заряда, то РІ результате получается 50-дюймовый --переход. «блок» обладает замечательными выпрямляющими, термоэлектрическими Рё фотоэлектрическими свойствами. Через такие блоки можно легко пропускать ток только РІ РѕРґРЅРѕРј направлении, Р° разность потенциалов может быть создана 55 между зонами -типа Рё -типа Р·Р° счет концентрации света или тепла РЅР° развязка. 3/6 - - , 50 "- " , , , 55 - - . Совсем недавно было обнаружено, что полупроводниковое тело, имеющее Р·РѕРЅСѓ РѕРґРЅРѕРіРѕ типа проводимости, примыкающую Рє РґРІСѓРј зонам СЃ противоположным типом проводимости СЃ образованием РґРІСѓС… --переходов, может использоваться РІ трехполюсном устройстве, известном как «транзистор», для обеспечения тока. напряжение Рё усиление мощности. , 60 - - "" , , . Эти усиливающие полупроводниковые элементы стали известны как переходные элементы -- или -- РІ соответствии СЃ распределением РёС… Р·РѕРЅ -типа Рё -типа. Трехполюсные полупроводниковые устройства, РІ которых используются такие блоки СЃ двойным переходом, стали известны как «большие РїРѕ площади» или «большие РїРѕ площади» или Транзисторы СЃ «типом --перехода», чтобы отличить РёС… РѕС‚ транзисторов, РІ которых для таких --переходов служат РґРІР° точечных контактирующих электрода. 65 -- -- - - - " 70 " " - " , - . Для предсказуемого формирования --перехода внутри полупроводникового тела было предложено множество различных методов. Электрические характеристики блоков --перехода, образованных этими различными методами, сильно различаются, РЅРѕ РёС… можно примерно 80 разделить РЅР° РґРІР° общих типа. 75 - - 80 . Р’ РѕРґРЅРѕРј типе блока - перехода, называемом РІ дальнейшем «высоковольтным типом», высокоомная Р·РѕРЅР° -типа, слегка пропитанная акцепторным активатором, примыкает Рє высокоомной Р·РѕРЅРµ -типа, слегка пропитанной донорным активатором, создать барьер -перехода СЃ относительно постепенным градиентом примесей поперек перехода. Это создает пространственный зарядовый барьер СЃ высоким импедансом 90 777,942, который может выдерживать чрезвычайно высокое напряжение, часто превышающее 1000 вольт, приложенное РІ направлении затрудненного потока через полученный элемент. Такие блоки --перехода высокого напряжения возникают, например, РєРѕРіРґР° переход образуется РІРѕ время роста кристаллов полупроводника РёР· подходящего расплава. РћРґРёРЅ РёР· таких блоков --перехода высокого напряжения вместе СЃРѕ СЃРїРѕСЃРѕР±РѕРј его изготовления СЃ изменением скорости роста кристаллов представляет СЃРѕР±РѕР№ раскрыто РІ описании заявки в„– 22139/53, серийный в„– 738,231. - , " ," - - 85 - - - 90 777,942 , 1,000 - - , , - , 22139/53 738,231. Р’Рѕ втором типе блока - перехода, называемом РІ дальнейшем «сильноточным типом», низкоомная Р·РѕРЅР° -типа, сильно пропитанная акцептором-активатором, Рё низкоомная Р·РѕРЅР° -типа, сильно пропитанная РґРѕРЅРѕСЂРѕРј-активатором, примыкают Рє противоположным сторонам блока - перехода. центральная Р·РѕРЅР° СЃ высоким удельным сопротивлением -типа, -типа или собственной Р·РѕРЅС‹. Этот тип блока -перехода редко выдерживает напряжение более 400 Р’ РІ обратном или труднопроходном направлении, РЅРѕ имеет гораздо большую токовую РїСЂРѕРїСѓСЃРєРЅСѓСЋ способность РІ РїСЂСЏРјРѕРј или легком направлении потока. направлении, чем Сѓ высоковольтного типа. РћРґРёРЅ такой сильноточный тип блока -перехода, Р° также метод его изготовления СЃ использованием диффузионного электрода-активатора раскрыт РІ спецификации - , " ," -, - , - - -, -, - 400 - , - - - , , Заявка в„– 22405/51, серийный в„–. 22405/51, . 727,900. 727,900. Р’ патентах в„– 700231 Рё 700236 было предложено создать электрическое устройство, содержащее РєРѕСЂРїСѓСЃ РёР· полупроводникового материала, РІ котором переход образован между РґРІСѓРјСЏ областями СЃ противоположным типом проводимости Рё обладающими РЅРёР·РєРѕР№ электропроводностью, РїСЂРё этом области, удаленные РѕС‚ перехода, соединены СЃ омические контактные электроды РёР· материала того же типа проводимости, РЅРѕ обладающего высокой электропроводностью. 700,231 700,236 , . Р’ соответствии СЃ изобретением предложено полупроводниковое выпрямительное устройство СЃ - переходом, содержащее полупроводник, состоящий РёР· монокристаллического тела, имеющего Р·РѕРЅСѓ -типа Рё Р·РѕРЅСѓ -типа, смежную СЃ Р·РѕРЅРѕР№ -типа Рё образующую СЃ ней - переход, - переход. -типичная Р·РѕРЅР°, имеющая граничащую СЃ переходом первую область РЅРёР·РєРѕР№ проводимости, слегка пропитанную акцепторным активатором Рё имеющая прилегающую Рє ее поверхности вторую область, сильно пропитанную акцепторным активатором СЃ образованием области высокой проводимости, Рё Р·РѕРЅСѓ -типа, имеющую граничащую СЃ переходом Р·РѕРЅСѓ первую область РЅРёР·РєРѕР№ проводимости, слегка пропитанную донорным активатором Рё имеющую прилегающую Рє ней поверхность, вторую область, сильно пропитанную донорным активатором СЃ образованием области высокой проводимости, РїСЂРё этом области высокой проводимости формируются путем сплавления электродов акцепторного Рё РґРѕРЅРѕСЂРЅРѕРіРѕ активаторов соответственно СЃ области РЅРёР·РєРѕР№ проводимости Рё -типа. - - - - - , - , - , - . Рзобретение также включает транзисторы, построенные РЅР° РѕСЃРЅРѕРІРµ выпрямительного устройства. . Р’ РѕРґРЅРѕРј РёР· методов изготовления полупроводникового устройства СЃ - переходом, обладающего этими характеристиками, параметры пропитки расплавом Рё роста кристаллов контролируются так, чтобы полученный выращенный кристалл содержал высокоомную Р·РѕРЅСѓ -типа, примыкающую Рє высокоомной Р·РѕРЅРµ -типа СЃ образованием промежуточный барьер --перехода СЃ высоким импедансом Рё постепенным градиентом примесей поперек барьера. Затем донорный активатор 75 сплавляется Рё диффундирует внутри прилегающей Рє поверхности области Р·РѕРЅС‹ -типа выращенного кристалла, Р° акцепторный активатор аналогичным образом сплавляется СЃ Рё диффундирует РІ прилегающую Рє поверхности область Р·РѕРЅС‹ -типа выращенного кристалла 80. Две пропитанные активатором поверхностные прилегающие области кристалла предпочтительно находятся РЅР° расстоянии менее 0,040 РґСЋР№РјРѕРІ РґСЂСѓРі РѕС‚ РґСЂСѓРіР°. Донорный активатор сильно пропитывает прилегающую Рє поверхности область Р·РѕРЅС‹ -типа. Акцепторный активатор 90 аналогичным образом сильно пропитывает прилегающую Рє поверхности область Р·РѕРЅС‹ -типа, создавая область СЃ РЅРёР·РєРёРј удельным сопротивлением Рё сильной степенью -типа, функционирующая как резервуар положительных носителей проводимости для дальнейшего улучшения характеристик РїСЂСЏРјРѕР№ проводимости полученного блока. Донорные Рё акцепторные активаторы предпочтительно также представляют СЃРѕР±РѕР№ электроды, Рє которым можно подключиться РїСЂРё использовании полученного блока -перехода. РІ качестве выпрямителя или транзистора 100Р’. - , 70 - - - 75 - , - 80 0 040 - 85 - 90 - - 95 - 100 . Чтобы обеспечить полное понимание изобретения, делается ссылка РЅР° следующее описание, взятое РІ СЃРІСЏР·Рё СЃ прилагаемым чертежом, РЅР° котором фиг. представляет СЃРѕР±РѕР№ РІРёРґ РІ перспективе РІ разрезе выпрямителя, воплощающего изобретение, фиг. 2 представляет СЃРѕР±РѕР№ РІРёРґ РІ перспективе РІ разрезе транзистора, воплощающего изобретение. изобретение, Р° фиг.3 представляет СЃРѕР±РѕР№ РіСЂСѓРїРїСѓ кривых напряжение-ток, иллюстрирующих улучшение электрических характеристик, обеспечиваемое выпрямителем, показанным РЅР° фиг.1, РїРѕ сравнению СЃ обычными выпрямителями. 105 , 2 , 3 110 . РќР° фиг.1 показано изобретение, воплощенное РІ выпрямителе 10, содержащем 115 полупроводниковый кристалл 11, электроды 12 Рё 13 Рё РїСЂРѕРІРѕРґРЅРёРєРё 14 Рё 15, соответственно соединенные СЃ электродами 12 Рё 13. Полупроводниковый кристалл 11, предпочтительно германий, имеет толщину менее 040. РґСЋР№РјРѕРІ Рё имеет 120 Р·РѕРЅСѓ 16 -типа Рё Р·РѕРЅСѓ 17 -типа, которые примыкают РґСЂСѓРі Рє РґСЂСѓРіСѓ, образуя слой или барьер 18 - перехода. Электрод 12 содержит акцепторный активатор, такой как РёРЅРґРёР№, алюминий или галлий, Рё сплавлен 125 СЃ Рё Таким образом, область 19 сильно пропитана акцепторным электродом-активатором 12, так что ее удельное сопротивление составляет менее 0,01 РћРј-сантиметров Рё 130 777,942, предпочтительно около 0,001 РћРј-сантиметров. Остаток Внутренняя область 21 Р·РѕРЅС‹ 16 -типа состоит РїРѕ существу РёР· чистого германия лишь СЃ небольшим количеством акцепторной примеси, чтобы иметь удельное сопротивление выше 0,1 РћРј-сантиметров Рё предпочтительно около 5 РћРј-сантиметров. 1, 10 115 11 12 13 14 15 12 13 11 , 040 120 - 16 - 17 - 18 12 , , 125 19 - 16 19 12 0 01 130 777,942 0 001 21 - 16 0 1 5 . Электрод 13 содержит донорный активатор, такой как СЃСѓСЂСЊРјР° или мышьяк, Рё расплавлен Рё диффундирует внутри прилегающей Рє поверхности области Р·РѕРЅС‹ 17 -типа. Таким образом, прилегающая Рє поверхности область 20 сильно пропитана донорным активаторным электродом 13, чтобы иметь большой избыток электронов Рё удельное сопротивление. ниже 0,01 РћРј-сантиметров; РІ то время как внутренняя область 22 Р·РѕРЅС‹ 17 -типа состоит РёР· практически чистого германия, имеющего лишь следы РґРѕРЅРѕСЂРЅРѕРіРѕ активатора, имеющего удельное сопротивление выше 0,1 РћРј СЃРј. - переход 18 представляет СЃРѕР±РѕР№ барьер СЃ высоким импедансом СЃ постепенным градиентом примесей РѕС‚ слегка пропитанного -типа. РѕС‚ германия РґРѕ слегка пропитанного германия -типа через барьер Рё СЃРїРѕСЃРѕР±РЅРѕРіРѕ выдерживать без РїСЂРѕР±РѕСЏ высокое падение потенциала, например, выше 500 Р’, РЅР° барьере. Детали формирования выращенного кристалла --перехода 18 Рё сильно активированных прилегающих Рє поверхности областей 19 Рё 20. будет описано далее. 13 - 17 20 13 0.01 ; 22 - 17 0 1 - 18 - - , , 500 , - 18 19 20 . Кристалл 11 предпочтительно имеет толщину несколько менее 0,040 РґСЋР№РјРѕРІ, чтобы обеспечить оптимальную характеристику РїСЂСЏРјРѕРіРѕ тока. 11 0 040 . Предпочтительную толщину кристалла 11 можно также описать как расстояние менее 0,030 РґСЋР№РјРѕРІ РѕС‚ каждой области 19 или 20 РґРѕ --перехода 18. Общая толщина 0,040 РґСЋР№РјРѕРІ соответствует примерно РѕРґРЅРѕР№ «диффузионной длине» РІ германиевом полупроводнике. пропуская большой ток, РїСЂРё этом длина диффузии определяется как среднее расстояние, которое неосновной носитель проводимости РїСЂРѕС…РѕРґРёС‚ через полупроводник перед рекомбинацией СЃ противоположно заряженным носителем. Более конкретно, длина диффузии равна квадратному РєРѕСЂРЅСЋ РёР· времени жизни неосновного носителя проводимости, умноженному РЅР° его время жизни. Константа диффузии. Для германия высокой чистоты среднее время жизни составляет примерно РѕС‚ 50 РґРѕ 100 микросекунд, Р° константа диффузии для положительных дырок составляет около 44 СЌРјСЃ 2 /сек, тогда как константа диффузии для электронов составляет около СЃРј 2 /сек. 11 0 030 19 20 - 18 0 040 " " , - , , 50 100 , 44 2/ 2/. РљРѕРіРґР° выпрямитель 10 подключен Рє цепи переменного тока 5, ток легко протекает через выпрямитель, РєРѕРіРґР° электрод 12 имеет положительный потенциал относительно электрода 13, Рё ток эффективно блокируется, РєРѕРіРґР° электрод 12 отрицателен РїРѕ отношению Рє электроду 13. РџСЂРё легком чередовании потока область 20, пропитанная РґРѕРЅРѕСЂРѕРј, действует как резервуар электронов, РёР· которого электроны легко вводятся РІ процесс проводимости Рё переносятся Рє положительному электроду 12. Область 19 поверхности, пропитанная акцептором, также одновременно служит резервуаром «положительных дырок». которые легко перемещаются РІ процесс проводимости Рё перемещаются Рє отрицательному электроду 13. Следовательно, 70 очень небольшая разность потенциалов между электродами 12 Рё 13 достаточна для создания значительного тока РІ РїСЂСЏРјРѕРј направлении через выпрямитель 10. Выпрямитель, такой как выпрямитель 10, имеющий Было обнаружено, что полупроводниковый 75 кристалл 11 толщиной 0,030 РґСЋР№РјРѕРІ Рё барьерной площадью 1 квадратный сантиметр пропускает ток силой 500 ампер РїРѕРґ действием разности потенциалов РІ 1 вольт, приложенной РІ РїСЂСЏРјРѕРј направлении между 80 электродами 12 Рё 13 РІРѕ время отрицательного напряжения. или труднопротекающий переменный ток блокируется барьером 18, Рё эффективность выпрямления зависит РѕС‚ качества этого барьера. Однако было обнаружено, что выращенные РЅР° кристалле барьеры, такие как 85, включенные РІ выпрямитель 10, выдерживают напряжения выше 500 вольт без заметной утечки. ток Рё без РїСЂРѕР±РѕСЏ. Типичная характеристическая кривая зависимости напряжения РѕС‚ тока выпрямителя 10 90 РІ соответствии СЃ изобретением показана РЅР° фиг. 3 РІ РІРёРґРµ РєСЂРёРІРѕР№ Рђ вместе СЃ типичной РєСЂРёРІРѕР№ Р’ обычного высоковольтного типа Рё типичной РєСЂРёРІРѕР№ РЎ обычного высоковольтного типа. тип тока Эти кривые относятся Рє блоку 95 СЃ площадью --перехода 1 квадратный миллиметр Рё иллюстрируют, что выпрямитель 10 имеет преимущества РѕР±РѕРёС… типов, РЅРѕ РЅРµ имеет недостатков РЅРё РѕРґРЅРѕРіРѕ РёР· РЅРёС…. Для применений СЃ высокой мощностью выпрямитель 10 может иметь воздушное или жидкостное охлаждение 100, чтобы предотвратить чрезмерное повышение температуры. 10 5, , 12 13 12 13 , 20 12 - 19 " " 13 70 , 12 13 10 10 75 11 0 030 1 500 1 80 12 13 - 18, 85 10, , 500 10 90 3 95 - 1 10 , 10 100 . Р’ РѕРґРЅРѕРј РёР· СЃРїРѕСЃРѕР±РѕРІ изготовления выпрямителя 10 готовят расплав, состоящий РёР· полупроводника, предпочтительно германия, следов РґРѕРЅРѕСЂРЅРѕР№ примеси 105 для полупроводника Рё следов акцепторной примеси для полупроводника. Слово «след» здесь используется для обозначения наличие указанных примесей РІ количествах менее 0,05 % РЅР° 110 массы используемого полупроводникового материала. Следы примесей или «активаторов» включаются РІ расплав РІ надлежащей пропорции, чтобы индуцировать носители проводимости противоположного типа, имеющие одинаковую концентрацию Рё, таким образом, 115 производить Полупроводник собственного типа РІ кристалле, выращенном РёР· расплава СЃ заданной скоростью роста. РљСЂРѕРјРµ того, выбранными донорными Рё акцепторными примесями являются примеси, имеющие разные скорости изменения константы сегрегации РІ диапазоне изменения роста кристалла, охватывающем вышеупомянутую заранее определенную скорость роста РїСЂРё какой собственный полупроводник образуется. Затем РёР· этого расплава выращивают монокристаллический слиток СЃРѕ скоростями роста, последовательно изменяющимися выше Рё ниже этой скорости роста, образующей собственный полупроводник. РџСЂРё скорости роста, превышающей скорость роста, образующую собственный полупроводник, РѕРґРёРЅ примесный элемент, такой как РґРѕРЅРѕСЂ, 130 РІ избытке ассимилируется растущим слитком СЃ образованием полупроводника проводимости -типа, тогда как РїСЂРё скорости роста ниже скорости роста собственного полупроводника, образующего собственный полупроводник, РґСЂСѓРіРѕР№ примесный элемент, такой как акцептор, ассимилируется РІ избытке СЃ образованием полупроводника проводимости -типа. . 10, , , 105 " " 0 05 % 110 " " 115 , 120 - 125 , , , 130 - , , , - . Градиент примесей, граничащий Рё пересекающий область 1018 полупроводникового --перехода, можно легко Рё точно контролировать, регулируя постепенное изменение скорости роста РїСЂРё прохождении через скорость роста, образующую переход. Количество носителей проводимости РІ каждой области типа проводимости можно легко Рё точно контролировать СЃ помощью абсолютные количества донорных Рё акцепторных следов активатора, добавляемых РІ расплав, Р° соотношение отрицательных Рё положительных носителей проводимости можно контролировать соотношением донорных Рё акцепторных примесей РІ расплаве, что, РІ СЃРІРѕСЋ очередь, определяет скорость роста, РїСЂРё которой --переходы формируются. - 1018 , , , - . Скорость роста кристаллов, конечно, зависит РѕС‚ градиента температуры РЅР° границе раздела жидкость-твердое тело, Рё ее СѓРґРѕР±РЅРѕ Рё предпочтительно контролировать простым повышением или понижением температуры расплава. Скорость роста кристаллов можно изменять таким образом РѕС‚ 0 РґРѕ примерно 20 РґСЋР№РјРѕРІ РІ час. Например, расплав, РёР· которого выращен кристалл 11, может состоять РёР· германия, СЃСѓСЂСЊРјС‹ Рё галлия, РІ котором весовое соотношение СЃСѓСЂСЊРјС‹ Рє галлию составляет РѕС‚ 20 РґРѕ 65 частей СЃСѓСЂСЊРјС‹ РЅР° 1 часть галлия, Р° общее количество СЃСѓСЂСЊРјС‹- содержание галлия РІ расплаве составляет РѕС‚ 1 РґРѕ 100 миллиграммов СЃСѓСЂСЊРјС‹-галлия РЅР° каждые 100 граммов германия. Затем РёР· расплава выращивают слиток монокристаллического германия путем извлечения затравочных кристаллов, Р° температуру расплава варьируют РїРѕ мере роста слитка, чтобы варьировать скорость роста РѕС‚ скорости выше РґСЋР№РјРѕРІ РІ час РґРѕ скорости менее 1 РґСЋР№РјР° РІ час СЃРѕ скоростью изменения скорости роста РїРѕСЂСЏРґРєР° 0,5 РґСЋР№РјРѕРІ РІ минуту РІ минуту. РџСЂРё скорости роста выше 5 РґСЋР№РјРѕРІ РІ час СЃСѓСЂСЊРјР° обычно РІ избытке ассимилируется растущим слитком СЃ образованием германия -типа, РІ то время как РїСЂРё скорости роста 5) ниже 1 РґСЋР№РјР° РІ час галлий ассимилируется РІ избытке СЃ образованием германия -типа. Где-то РІ С…РѕРґРµ изменения скорости роста ассимилированный РґРѕРЅРѕСЂ Рё активаторы-акцепторы Р±СѓРґСѓС‚ находиться РІ электрическом равновесии Рё создавать --переход 18. Дополнительные подробности этого СЃРїРѕСЃРѕР±Р° создания --переходов путем изменения скорости роста растущего полупроводникового кристалла раскрыты РІ описании заявки в„– 22139/53, серийный в„– 738,231. , , 0 20 , 11 , , 20 65 1 , - 1 100 - 100 , 1 0 5 5 , - 5) 1 - , - 18 - 22139/53, 738,231. Другой метод создания -перехода 18 заключается РІ выращивании кристалла 11 РёР· практически чистого полупроводникового расплава СЃ очень медленной постоянной скоростью роста, обычно менее 1 нДж РґСЋР№РјР° РІ час, Рё последовательное добавление Рє расплаву небольших следов донорных Рё акцепторных активаторов. , тем самым превращая растущий слиток РёР· полупроводника РѕРґРЅРѕРіРѕ типа РІ РґСЂСѓРіРѕР№. Например, монокристаллический слиток германия выращивают РёР· расплава РїСЂРѕРІРѕРґРЅРёРєР° полу70, состоящего РёР· 100 граммов практически чистого германия, первоначально имеющего удельное сопротивление выше 20 РћРј-сантиметров Рё Рє которому добавляют 10 микрограммов чистый галлий был добавлен для получения германия -типа 75 РІ растущем слитке. После того, как часть слитка была выращена, РІ расплав добавляется 1 миллиграмм чистой СЃСѓСЂСЊРјС‹ для преобразования растущего германия -типа РІ -тип. германий Количество 80 включенных следов РґРѕРЅРѕСЂРЅРѕРіРѕ Рё акцепторного активатора, конечно, настолько мало, что удельное сопротивление полученного слитка германия остается значительно выше 1 РћРј-сантиметр 85. Полупроводниковый кристалл 11 СЃ --переходом затем извлекается РёР· выращенного слитка таким образом, что Выращенный кристалл 18 делит извлеченный кристалл пополам Рё лежит РІ плоскости, параллельной его основным поверхностям 90. 11 обычно имеет толщину РІ районе 0,030 РґСЋР№РјРѕРІ, Р° длину Рё ширину РїРѕСЂСЏРґРєР° 0,5 РґСЋР№РјР°. Противоположные основные поверхности кристалла 11 очищены 95 Рё предпочтительно РЅР° РЅРёС… любым подходящим СЃРїРѕСЃРѕР±РѕРј наносятся вытравленные электроды 12 Рё 13, которые сплавляются Рё сплавляются или рассеиваются внутри прилегающих Рє поверхности областей 18 Рё 19 посредством подходящей термической обработки 100. Акцепторный электрод 12 может СѓРґРѕР±РЅРѕ состоять РёР· акцепторного активатора, такого как РёРЅРґРёР№, сплавленного Рё диффундирующего внутри поверхностной области 18 путем нагревания РІ течение нескольких РјРёРЅСѓС‚ РїСЂРё 400°С. Альтернативно электрод 12 может представлять СЃРѕР±РѕР№ 105 сплав, содержащий акцепторный активатор, такой как сплав; серебра Рё РёРЅРґРёСЏ: или сплав акцепторных активаторов, такой как сплав галлия Рё РёРЅРґРёСЏ. - 18 11 , 1 , , 70 100 20 10 - 75 , 1 - - 80 , 1 85 - 11 18 90 11 0 030 0 5 11 95 12 13 18 19 100 12 18 400 12 105 ; : . Донорный электрод 13 может состоять РёР· 110 РґРѕРЅРѕСЂРЅРѕРіРѕ активатора, такого как СЃСѓСЂСЊРјР°, сплавленного СЃ поверхностной областью 19 Рё внутри ее путем нагревания РІ течение нескольких РјРёРЅСѓС‚ РїСЂРё температуре около 650В°. Альтернативно, электрод 3 может представлять СЃРѕР±РѕР№ сплав, содержащий 115 донорный электрод. активатор такой как, например. 13 110 19 650 , 3 115 , . сплав олова, содержащий РѕС‚ 5 РґРѕ 20% СЃСѓСЂСЊРјС‹, или сплав олова, содержащий РѕС‚ 1 РґРѕ 10% мышьяка. Если используется сплав-активатор, являющийся РґРѕРЅРѕСЂРѕРј олова, температура, необходимая для плавления, должна быть только около 400°С. РџСЂРѕРІРѕРґРЅРёРєРё 14 Рё 15 затем припаиваются или иным образом токопроводящим образом прикрепляются Рє электродам 12 Рё 13. 5 20 %/ 1 10 ' - 120 400 14 15 12 13. Обратимся теперь Рє фиг.2, РіРґРµ показан 125 транзистор 30, воплощающий изобретение. 2 125 30 . Транзистор 30 изготавливается так же, как выпрямитель, Р·Р° исключением того, что после изготовления выпрямителя множество параллельных канавок 31 шлифуются или формируются иным образом 130 777,942 777,942 вдоль РѕРґРЅРѕРіРѕ главного размера выпрямителя Рё РїСЂРѕС…РѕРґСЏС‚ РїРѕ толщине РѕС‚ РґРѕ . Р—РѕРЅР° 16 -типа Рё Р·Р° пределами 18 - перехода РІ часть Р·РѕРЅС‹ 17 -типа, как показано. Таким образом, РІ кристаллическом элементе образуется множество отдельных Р·РѕРЅ -типа Рё множество - переходов 18a. 30 , 31 130 777,942 777,942 - 16 - 18 - 17 - - 18 . Акцепторный электрод 12 также разделен РЅР° СЂСЏРґ акцепторных электродов 12Р°. 12 12 . Альтернативные электроды 12a затем соединяются между СЃРѕР±РѕР№ подходящими проводниками 14a Рё 14b, которые составляют соответственно эмиттерный Рё коллекторный электроды полученного транзистора. РџСЂРѕРІРѕРґРЅРёРє 15, подключенный Рє РґРѕРЅРѕСЂРЅРѕРјСѓ электроду 13, образует базовый или обратный электрод для транзистора 30. Хотя РЅР° СЂРёСЃ. 2 показан -- переход. транзистора, будет очевидно, что транзистор -- может быть изготовлен таким же образом путем формирования параллельных канавок, которые РїСЂРѕС…РѕРґСЏС‚ через Р·РѕРЅСѓ 17 -типа РІ Р·РѕРЅСѓ 16 -типа, Р° РЅРµ через Р·РѕРЅСѓ -типа РІ Р·РѕРЅСѓ -типа, как показано. 12 14 14 15 13 30 2 -- , -- - 17 - 16 - - . Сильно активированные прилегающие Рє поверхности области 19Р° Рё 20 функционируют для увеличения способности выдерживать ток как эмиттерного, так Рё коллекторного электродов 14Р° Рё 14b, РєРѕРіРґР° РѕРЅРё смещены или приводятся Рє напряжению, создающему ток РІ направлении легкого течения относительно Рє базовому электроду 13. Барьеры 18a, выращенные РЅР° кристалле, увеличивают характеристику обратного напряжения результирующего транзистора 30, РєРѕРіРґР° эмиттерный или коллекторный электроды 14a или 14b смещаются или возбуждаются РґРѕ напряжения, создающего ток РІ направлении СЃ затрудненным течением относительно базы. электрод 15. Следовательно, максимальное номинальное обратное напряжение Рё максимальная токовая нагрузка силового транзистора 30 доводятся РґРѕ оптимальных значений, РІ результате чего транзистору 30 может быть присвоена гораздо более высокая номинальная мощность, чем Сѓ транзисторов обычного типа. - 19 20 14 14 - 13 18 30 14 14 - 15 , 30 30 .
, ."> . . .
: 506
: 2024-04-11 12:35:00
: GB777942A-">
: :

777943-- = "/"; . , . . , . . , . , , . .



. :
:
УведомлениеЭтот перевод сделан компьютером. Невозможно гарантировать, что он является ясным, точным, полным, верным или отвечает конкретным целям. Важные решения, такие как относящиеся к коммерции или финансовые решения, не должны основываться на продукте машинного перевода.
РћРџРРЎРђРќРР• РЗОБРЕТЕНРРЇ GB777943A
[]
ПАТЕНТНАЯ СПЕЦРР¤РРљРђР¦РРЇ Дата подачи заявки Рё подачи полной спецификации: 14 января 1954 Рі. : 14, 1954. 777,943 в„– 1160/54. 777,943 1160/54. СЂ 2/177 ? || Заявление подано РІ Рталии 25 февраля 1953 Рі. 2/177 ? || 25, 1953. Полная спецификация опубликована: 3 июля 1957 Рі. : 3, 1957. Рндекс РїСЂРё акцепте - Классы 1 ( 1), ; помощь 2 ( 5), Р  22 (Р› 1 Рђ:Рњ:Рџ). - 1 ( 1), ; 2 ( 5), 22 ( 1 ::). Международная классификация:- , 08 Рі. :- , 08 . ПОЛНАЯ СПЕЦРР¤РРљРђР¦РРЇ Усовершенствованный аппарат для синтеза полиамидов РњС‹, , итальянская корпорация, расположенная РїРѕ адресу 2, , Милан, Рталия, настоящим заявляем РѕР± изобретении, РЅР° которое РјС‹ молимся, чтобы нам был выдан патент, Рё метод, СЃ помощью которого это должно быть выполнено, должен быть РїРѕРґСЂРѕР±РЅРѕ описан РІ следующем заявлении: , , , 2, , , , , , : - Данное изобретение относится Рє аппарату для полимеризации или поликонденсации полиамидов высокой молекулярной массы, РїСЂРёРіРѕРґРЅРѕРјСѓ для формования РёР· расплава. , -. Полиамиды получают путем нагревания подходящих мономерных или низкополимерных исходных материалов СЃ добавлением или без добавления катализаторов. Среди указанных исходных материалов РјРѕРіСѓС‚ быть перечислены аминокислоты, дикарбоновые кислоты Рё диамины или РёС… соли, циклические амиды или, вообще, амидообразующие производные. РР· вышеупомянутых соединений обычно полимеризация (СѓРґРѕР±РЅРѕ говорить Рѕ «полимеризации», даже РєРѕРіРґР° реакцию следует точнее называть «поликонденсацией») РїСЂРѕРІРѕРґСЏС‚ РІ присутствии стабилизаторов, которые ограничивают молекулярную массу Рё, следовательно, вязкость соединения. полимера РґРѕ количества, необходимого для прядения РёС… РІ нити или для РґСЂСѓРіРёС… применений. Рзвестно, что полимеризация осуществляется РІ непрерывном режиме, например, РІ полимеризационной колонне, РІ верхнюю часть которой вводятся низкомолекулярные исходные материалы, РІ то время как полимеры отводятся РёР· РґРЅРѕ. - , -, , , - ( " " " ") , , , . Целью настоящего изобретения является создание СЃРїРѕСЃРѕР±Р° эффективного непрерывного производства полиамидов, вязкость которых должна стабилизироваться Р·Р° счет использования стабилизаторов, которые являются летучими РІ чистом состоянии Рё, следовательно, значительное количество которых будет теряются РёР·-Р·Р° своей летучести, если полимеризация проводилась обычным СЃРїРѕСЃРѕР±РѕРј. Примерами летучих веществ, которые используются РІ качестве стабилизаторов Рё одновременно для улучшения свойств полимера, являются высококипящие спирты, гликоли Рё лактоны. Если Рє мономерным материалам, например, аминокислотам или двухкислотам Рё диаминам добавляли соединения, которые затем непрерывно полимеризовали РІ колонне, сообщающейся СЃ атмосферой, значительные количества указанных 50 веществ отгоняли Р±С‹ как потому, что РѕРЅРё летучи, так Рё потому, что газы Рё пары выделяются относительно турбулентным образом, особенно РЅР° первой фазе полимеризации. РљСЂРѕРјРµ того, РІСЃРµ известные устройства непрерывной полимеризации сконструированы для СЃРІРѕР±РѕРґРЅРѕРіРѕ выпуска указанных газов или паров, особенно влаги исходных материалов или РІРѕРґС‹, если любые, добавленные или образовавшиеся РІ С…РѕРґРµ полимеризации 60. РЎРїРѕСЃРѕР± согласно изобретению включает стадии непрерывного осуществления частичной полимеризации, РїРѕ меньшей мере, РѕСЃРЅРѕРІРЅРѕР№ части исходных мономерных материалов РІ первом полимеризационном СЃРѕСЃСѓРґРµ, РїСЂРё этом 65 позволяя выделяющимся газам Рё парам. РїСЂРё частичной полимеризации для СЃРІРѕР±РѕРґРЅРѕРіРѕ выпуска РёР· указанного резервуара, непрерывного добавления стабилизатора Рє продукту, называемому РІ дальнейшем «частичным полимером», образующемуся РІ первом резервуаре для полимеризации, РєРѕРіРґР° РёР· него выделяется большая часть указанных газов или паров, Рё непрерывному завершению процесса частичной полимеризации. полимеризация РІРѕ втором резервуаре для полимеризации, открытом РІ атмосфере, РґРѕ тех РїРѕСЂ, РїРѕРєР° РЅРµ будет достигнута желаемая конечная вязкость 75. Р’Рѕ РјРЅРѕРіРёС… случаях конечный полимерный РїСЂРѕРґСѓРєС‚, выгруженный РёР· второго резервуара для полимеризации, выдерживают РІ течение некоторого времени РІ расплавленном состоянии РІ резервуаре для хранения. Стабилизатор может состоять РёР· РІ низкомолекулярном полимере СЃ массой 80, отдельно полученном путем конденсации РґРѕ относительно РЅРёР·РєРѕР№ молекулярной массы некоторого количества исходных мономерных материалов СЃ летучим стабилизатором РІ чистом состоянии 85. Рзобретение будет лучше понято посредством описания некоторых предпочтительных вариантов осуществления СЃРѕ ссылкой РЅР° Рє приложенным чертежам, РіРґРµ РЅР° фиг. 1, 2, 3 Рё 4 схематически показаны четыре устройства для переноски 90 04 6 . , - , , , - 3/6 , ., - , , 50 , 55 , , , 60 - , 65 , - " "- 70 , 75 80 , 85 , , 1, 2, 3 4 90 04 6 . 777,943 изложение изобретения СЃ опущением некоторых частей. 777,943 , . РџСЂРё описании различных вариантов осуществления будет сделано предположение, что исходным мономерным материалом является аминоундекановая кислота, РЅРѕ должно быть СЏСЃРЅРѕ, что никаких ограничений этим РЅРµ подразумевается, поскольку РІ описанном устройстве можно получить очень РјРЅРѕРіРѕ различных полиамидов. , - , . Обращаясь теперь Рє Фиг.1, цифра 10 обозначает первый СЃРѕСЃСѓРґ для полимеризации, схематически состоящий РёР· СЃРѕСЃСѓРґР°, снабженного средствами нагрева, такими как рубашка циркуляции жидкости 11, СЃ мешалкой 12, вентиляционным отверстием 13 Рё средством подачи мономера 14. Эти последние средства схематически показаны. Содержащий загрузочную РІРѕСЂРѕРЅРєСѓ 15 Рё винтовой конвейер 16. Р’ резервуар 10 непрерывно загружают, например, пасту, содержащую 5590 аминоундекановой кислоты Рё 45 РІРѕРґС‹, или РґСЂСѓРіРѕР№ мономерный материал. 1, 10 , 11, 12, 13 14 15 16 10 , , 5590 -- 45 , . Плавильное устройство 17, обычно снабженное нагревательной рубашкой 18, внутри которой расположены подходящие нагревательные поверхности, которые РјРѕРіСѓС‚ СѓРґРѕР±РЅРѕ иметь форму решетки 19, нагреваемой электричеством или нагревательной жидкостью, загружается низкополимерным полимером. Приготовленный отдельно, например, РІ СЃРѕСЃСѓРґРµ, РїРѕРґРѕР±РЅРѕРј первому СЃРѕСЃСѓРґСѓ для полимеризации 3010, Рё СѓРґРѕР±РЅРѕ измельченный, указанный низкополимер получают путем нагревания тех же мономерных материалов вместе СЃРѕ стабилизатором, например, бутиролактоном или гликолем. 17, 18, 19 , , , , 3010, , , , . Массовое соотношение между указанным низкополимером Рё частичным полимером, полученным РёР· первого полимеризационного резервуара, Р° также процентное содержание летучего стабилизатора, включенного РІ низкополимерный полимер, варьируются РѕС‚ случая Рє случаю Рё РЅРµ имеют значения для устройства, хотя конечно, РёС… необходимо учитывать РїСЂРё расчете размеров нескольких агрегатов. , , , . Резервуар для чистого летучего стабилизатора РІ жидком состоянии может быть заменен плавильным устройством 17, Рё РІ этом случае РІСЃРµ мономерные материалы РїСЂРѕС…РѕРґСЏС‚ через резервуар 10. 17, 10. Неполный полимер РёР· резервуара 10 Рё низкополимерный полимер РёР· плавильного устройства 17 отсасываются соответственно насосами 20 Рё 21 Рё доставляются СЃ желаемой скоростью РІ смеситель 22, снабженный нагревательной рубашкой 23 или РґСЂСѓРіРёРј средством нагрева. 10 17 20 21 , , 22 23 . Частичный полимер Рё низкополимерный полимер, теперь тщательно перемешанные, транспортируются оттуда насосами 24 РІРѕ второй резервуар для полимеризации. , , 24 . например, колонна полимеризации 25. Эта последняя (которая РЅР° СЂРёСЃ. 1 прервана РёР·-Р·Р° ее значительной длины) состоит РёР· вертикальной колонны, снабженной нагревательной рубашкой 26 Рё множеством наклонных перегородок 27, которые СѓРґРѕР±РЅРѕ непосредственно нагреванием или РґСЂСѓРіРёРјРё средствами, приспособленными для того, чтобы заставить расплавленный материал, подвергающийся полимеризации, следовать РїРѕ достаточно извилистому пути, сохраняя РїСЂРё этом конфигурацию тонкого слоя или жидких нитей, то есть конфигурацию СЃ максимальным соотношением поверхности Рє объему, тем самым облегчая постепенное выделение реакционной РІРѕРґС‹ сразу после ее образования. Колонна полимеризации 70 имеет вентиляционное отверстие 28 для РІРѕРґСЏРЅРѕРіРѕ пара Рё РґСЂСѓРіРёС… газов или паров, если таковые имеются. Поскольку вязкость продукта, подвергающегося полимеризации, увеличивается РїРѕ мере его СЃРїСѓСЃРєР° РїРѕ колонне, наклон перегородок 27 или 75 соответственно увеличивается, чтобы обеспечить равномерный поток расплавленного материала. ., 25 ( 1, ) 26 27, , , , 70 28 , , 27 75 . Предпочтительно материал, выгружаемый РёР· колонны полимеризации, собирают РІ СЃРѕСЃСѓРґ 29, РіРґРµ его выдерживают РІ инертной атмосфере 80 РІ расплавленном состоянии РІ течение СѓРґРѕР±РЅРѕРіРѕ периода времени, РІ течение которого вязкость РЅРµ увеличивается, поскольку присутствует стабилизатор, РЅРѕ свойства полимера, Рё особенно прядильные свойства, улучшаются, поскольку распределение длин молекулярных цепей становится более равномерным. , 29 80 , , , 85 . Р’ данном описании нет необходимости давать указания РїРѕ проектированию полимеризационной колонны, расчету ее термического баланса Рё размеров, так как РІСЃРµ эти данные зависят РѕС‚ конкретного получаемого полимера Рё РїСЂРё наличии указанного полимера РјРѕРіСѓС‚ быть определены известным СЃРїРѕСЃРѕР±РѕРј специалистами. РІ области полимеризации 95. РќР° фиг. 2 показано РґСЂСѓРіРѕРµ устройство для осуществления РґСЂСѓРіРѕРіРѕ варианта осуществления изобретения, РІ котором первый резервуар для полимеризации 40 снабжен рубашкой 41 или РґСЂСѓРіРёРј нагревательным средством, вентиляционным отверстием 43 Рё РІРѕСЂРѕРЅРєРѕР№ 45 Рё винтовым конвейером 100 46 или РґСЂСѓРіРёРј средством. для подачи твердого мономера, например, РІ РІРёРґРµ пасты, или порошка, или вообще РІ мелкоизмельченном состоянии, внутри снабжен множеством решеток 42, состоящих РёР· нагретых элементов 105. Мономер падает РЅР° решетки Рё РїСЂРѕС…РѕРґРёС‚ СЃРєРІРѕР·СЊ РЅРёС…, постепенно плавясь; вращающийся скребок 44 способствует этому движению, так сказать, выдавливая мономер через сетки. Вместо решеток можно использовать РґСЂСѓРіРёРµ нагревательные элементы 110 РїСЂРё условии, что РѕРЅРё приспособлены для плавления мономера Рё инициирования его конденсации, одновременно позволяя ему перемещение через РЅРёС… или между РЅРёРјРё. Р’ любом случае частичный полимер 115 собирается РЅР° РґРЅРµ СЃРѕСЃСѓРґР° 40 Рё заполняет его самую нижнюю часть 47, которую можно назвать отстойником. Р’ этом варианте предполагается, что летучий стабилизатор используется РІ чистом состоянии. 120, вместо того, чтобы быть включенным РІ низкополимерную смесь. Указанную добавку загружают РІ питатель 45, РёР· которого РѕРЅР° доставляется СЃ помощью насоса 49 РІ отстойник 47 аппарата 40, РіРґРµ РѕРЅР° смешивается СЃ частичным полимером, образовавшимся РІ 125 указанном резервуаре 40. Частичный полимер Рё летучие вещества. Стабилизатор, теперь смешанный, подается насосом РІ полимеризационную колонну, РёР· которой показана только самая верхняя часть, поскольку СЃ этого момента вариант реализации, показанный РЅР° СЂРёСЃ. 130 777,943 2, РЅРµ отличается РѕС‚ варианта, показанного РЅР° СЂРёСЃ. 1. Если Р±С‹ было предпочтительно использовать вместо чистой летучей добавки резервуар 48 можно исключить Рё использовать плавильное устройство, РїРѕРґРѕР±РЅРѕРµ устройству 77 РЅР° фиг.1. , , 95 2 , 40, 41 , 43 45 100 46 , , , 42 105 ; 44 , , 110 , 115 40 47 " 120 45 49 47 40 125 40 , , , 130 777,943 2 1 , 48 77 1 . РќР° фиг.3 показано устройство для осуществления еще РѕРґРЅРѕРіРѕ варианта осуществления, РІ котором, однако, РІ первый полимеризационный СЃРѕСЃСѓРґ подается РЅРµ твердый мономер или паста, Р° раствор или суспензия, предпочтительно РІ РІРѕРґРµ, самого мономера. Указанный раствор или суспензия поставляются питающая труба 60 подается насосом 61 РЅР° РґРЅРѕ первого полимеризационного резервуара 62, снабженного, как обычно, рубашкой 63 Рё вентиляционным отверстием 64. Вспомогательные нагревательные элементы, такие как, например, трубчатый змеевик 65, предпочтительно расположены внутри резервуара. 62. 3 , , , 60 61 62, 63 64 , , 65, 62. Р’РѕРґР°, РІ которой растворен или суспендирован мономер, испаряется РІ первом полимеризационном СЃРѕСЃСѓРґРµ 62 Рё выводится через вентиляционное отверстие 64 вместе СЃ некоторым количеством реакционной РІРѕРґС‹. РџРѕ мере того как мономер поднимается Рє верху указанного СЃРѕСЃСѓРґР° 62, РѕРЅ постепенно отделяется РѕС‚ РІРѕРґС‹ Рё конденсируется. 62 64 62, . Таким образом, частичный полимер, практически свободный РѕС‚ РІРѕРґС‹, выливается через перелив 66 РІ верхней части резервуара 62. Частичный полимер течет РІ смеситель 67, снабженный рубашкой 68 или РґСЂСѓРіРёРјРё средствами нагрева. РќРёР·РєРёР№ полимер, содержащий стабилизатор, который был приготовлен отдельно, как обычно, Рё расплавлен. РІ плавильном устройстве 71, которое РїРѕ существу РЅРµ отличается РѕС‚ устройства 17 РЅР° фиг. 1, или чистая летучая добавка, подаваемая РёР· резервуара, РїРѕРґРѕР±РЅРѕРіРѕ резервуару 48 РЅР° фиг. 2, также подается РІ смеситель 67 насосом 70. Смесь частичного полимера Рё низкомолекулярного полимера полимер (или чистая добавка) подается насосом 72 РёР· смесителя 4067 РІ колонну полимеризации 73, РёР· которой показана только верхняя часть, поскольку СЃ этого момента вариант реализации РЅР° фиг. 3 РЅРµ отличается РѕС‚ предыдущих. 66 62 67 68 71 17 1, 48 2, 67 70 ( ) 72 4067 73 3 . РќР° фиг. 4 показан еще РѕРґРёРЅ вариант реализации, РІ котором РІ первый полимеризационный СЃРѕСЃСѓРґ 80 также подают раствор или суспензию мономера. Указанный СЃРѕСЃСѓРґ 80 снабжен множеством решеток 81 или РґСЂСѓРіРёС… нагревательных элементов, приспособленных для работы, как изложено ниже. 4 80 80 81 . Емкость 80, как обычно, дополнительно снабжена рубашкой 82 Рё вентиляционным отверстием 83. 80 82 83. Раствор или суспензия мономера, подаваемая РїРѕ питающей трубе 84, подается насосом 85 РІ трубу 86, концевая часть которой, доходящая РґРѕ центральной части решеток или нагревательных элементов 81, СѓРґРѕР±РЅРѕ перфорирована для получения струи. жидкости. Насос 85 создает давление, достаточное для того, чтобы раствор или суспензия мономера распылялись РёР· трубы 86 РЅР° решетки 81. Таким образом, внутри СЃРѕСЃСѓРґР° 80 образуется своего СЂРѕРґР° туман, Рё тепло заставляет этот туман разделяться РЅР° пар. который поднимается Рё выходит через вентиляционное отверстие 83, Рё мономер, который начинает конденсироваться Рё собирается РІ РІРёРґРµ частичного полимера РІ отстойнике 87. 84 85 86, , 81, 85 86 81 80 , 83, 87. Низкополимер, включающий летучий стабилизатор, приготавливается отдельно, как обычно, плавится РІ плавильном устройстве 88, которое существенно РЅРµ отличается РѕС‚ соответствующих 70 устройств РЅР° фиг.1 Рё 3, Рё затем насосом 89 подается РІ отстойник 87 первой полимеризации. РІ СЃРѕСЃСѓРґРµ 80, РіРґРµ РѕРЅ тщательно смешивается СЃ частичным полимером, образовавшимся РІ указанном СЃРѕСЃСѓРґРµ. Чистые летучие добавки 75 РјРѕРіСѓС‚ использоваться вместо низкополимерного полимера, как указано РїСЂРё описании СЂРёСЃ. 2. Смесь частичного полимера СЃ низкополимерным или летучей добавкой представляет СЃРѕР±РѕР№ затем транспортируется насосом 90 РІ колонну полимеризации 91, 80, РёР· которой показана только верхняя часть, поскольку СЃ этого момента вариант осуществления фиг. 4 РЅРµ отличается РѕС‚ предыдущих. , 88 70 1 3 89 87 80 75 2 90 91 80 4 . Следует отметить, что средства для соединения СЃ частичным полимером, образовавшимся РІ первом СЃРѕСЃСѓРґРµ для полимеризации, низкополимером, включающим летучие стабилизаторы, или чистыми стабилизаторами, РјРѕРіСѓС‚ включать или РЅРµ включать отдельный СЃРѕСЃСѓРґ для смешивания. Фактически, РєРѕРіРґР° первый СЃРѕСЃСѓРґ для полимеризации 90 представляет СЃРѕР±РѕР№ отстойник, РІ котором собирается частичный полимер, уже освобожденный РѕС‚ большей части паров или газов, содержащихся РІ исходных мономерных материалах или образовавшихся РІ результате частичной полимеризации. Указанный отстойник выполняет ту же 95 функцию, что Рё отдельный СЃРѕСЃСѓРґ для смешивания, Рё такой резервуар может может быть опущено (так как это опущено РЅР° чертежах) или, тем РЅРµ менее, может быть предусмотрено. Расплавленный полимер СЃ РЅРёР·РєРёРј содержанием летучих веществ или летучие добавки РјРѕРіСѓС‚ даже подаваться непосредственно РІ колонну полимеризации. Существенно только, чтобы РІ какой-то точке аппарата существовала пространство, РІ котором больше РЅРµ РїСЂРѕРёСЃС…РѕРґРёС‚ выраженной дистилляции газов или паров, Рё РІ которое можно подавать низкополимер, включающий летучие добавки или последние, РЅРµ вызывая выраженной дистилляции указанных добавок, РїСЂРё этом РЅРµ имеет значения, включено ли указанное пространство РІ РІ первом 110 или РІРѕ втором СЃРѕСЃСѓРґРµ для полимеризации, или предоставляется РІ отдельном СЃРѕСЃСѓРґРµ. Следует отметить, что было обнаружено, что СѓРґРѕР±РЅРѕ отличать РїСЂРѕРґСѓРєС‚, полученный РёР· первого СЃРѕСЃСѓРґР° для полимеризации, РѕС‚ продукта РІ 115, включающего летучие добавки (РІСЃСЏРєРёР№ раз, РєРѕРіРґР° такой РїСЂРѕРґСѓРєС‚ получают), систематически называя первый «частичным полимером», Р° второй «низкополимерным»: РЅР° самом деле эти РґРІР° выражения можно было Р±С‹ поменять местами или использР