Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ЕПИФАНОВ_КУРС_7ВАР.docx
Скачиваний:
0
Добавлен:
22.04.2024
Размер:
657.12 Кб
Скачать

Министерство цифрового развития, связи и массовых коммуникаций Российской Федерации

Ордена Трудового Красного Знамени федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования

МОСКОВСКИЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ СВЯЗИ И ИНФОРМАТИКИ

Факультет "Радио и телевидение"

Кафедра "Общая теория связи"

Курсовая работа

по дисциплине

Теоретическе основы радиотехники

Выполнил

Студент гр. БРА2101

Епифанов Г.Ю

Проверила

Ст. преп.

Е. А. Потапова

Москва 2023

Оглавление

Задача 1 5

Задание 5

Исходные данные 7

1.1 Аппроксимация и ВАХ 8

1.2 Расчет и график СМХ 9

1.3 Коэффициент нелинейных искажений и глубина модуляции 10

1.4 Расчет и график спектра модулирующего сообщения 13

1.5 Амплитудный спектр и временная диаграмма выходного напряжения 15

Задание 2 17

Задание 17

2.1 Расчет и графики ВФХ и СМХ 18

Исходные данные 18

Решение 18

2.2 Коррекция СМХ 19

2.3 Временные диаграммы ЧМ сигнала 20

2.4 Расчет и графики спектра ЧМ сигнала 21

2.5 Принципиальная схема частотного модулятора 21

Задание 3 23

Задание 23

3.1 Расчет интервала корреляции, СПМ и энергетической ширины спектра 23

3.2 Графики корреляционной функции и СПМ 24

3.3 Расчет мощности ошибки, обусловленной усечением спектра, интервала и частоты дискретизации. 25

3.4 Расчет и график СПМ дискретного сообщения 25

Задание 4 26

4.1 Расчет условных вероятностей ошибок 26

4.2 Расчет оптимального порога обнаружения приемника 27

Задача 1 Задание

Рассчитать указанные ниже характеристики амплитудного базового модулятора на нелинейном элементе (в качестве нелинейного элемента предполагается некий биполярный транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером), статическая вольтамперная характеристика (ВАХ) прямой передачи которого задана в таблице 1.

  1. Аппроксимация статической характеристики прямой передачи транзистора в интервале входных напряжений от 0 В до 2.8 В включительно полиномом четвертой степени, расчёт и построение ВАХ с шагом по напряжению 0.1 В.

  1. Для заданного в таблице 1 значения амплитуды Um несущего высокочастотного напряжения на базе транзистора рассчитать и построить Статическую модуляционную характеристику (СМХ) – зависимость амплитуды первой гармоники выходного тока от напряжения смещения на базе транзистора с шагом по напряжению 0.1 В.

  1. Выбрать рабочую точку в середине прямолинейного участка СМХ. Рассчитать и построить зависимости коэффициента нелинейных искажений Kни огибающей тока первой гармоники и глубины модуляции M1 первой гармоники выходного тока от амплитуды гармонического модулирующего сообщения Uнч для 5÷8 значений Uнч, выходящих за пределы линейного участка СМХ: при расчетах использовать полученное выше (п.1.2) аналитическое выражение для СМХ. Объединить построенные графики и зависимость Kни(M1); максимальное значение M1 должно быть менее 99 %.

  1. Рассчитать и построить спектр модулирующего периодического сообщения x(t), форма которого и параметры T и τ заданы в таблице 2. При построении спектра нормировать его относительно параметра A (т.е. полагать

параметр A = 1). Cообщение на интервале задаётся уравнением:(- τ/2, τ/2)

задается уравнением x(t)=A(8t^2/ τ^2-1)

  1. Определить эффективную ширину спектра по энергетическому

критерию E = 0,9E , где E – энергия сообщения x(t) на интервале :(- τ/2, τ/2)

EFэфф – энергия, сосредоточенная в эффективной полосе частот (без учета энергии постоянной составляющей). Рассчитать добротность колебательного контура модулятора, исходя из условия, что глубина модуляции выходного напряжения Mu составляет на крайних боковых частотах спектра АМ сигнала

0,707M1.

  1. Рассчитать и построить амплитудный спектр и временную диаграмму напряжения на выходе модулятора, если модуляция производится периодическим сообщением x(t) . При расчетах амплитуду сообщения А выбрать по первому графику из условия, что KНИ = 5%; в дальнейшем СМХ в полученном интервале считать линейной: эквивалентное сопротивление колебательного контура при резонансе R = 1000 Ом. Рассчитать значения индуктивности LК и емкости CК колебательного контура, используя заданное в таблице 2 значение частоты несущего сигнала fН.

  2. Начертить принципиальную электрическую схему модулятора.