патенты / 22410

842875-- = "/"; . , . . , . . , . , , . .



. :
:
УведомлениеЭтот перевод сделан компьютером. Невозможно гарантировать, что он является ясным, точным, полным, верным или отвечает конкретным целям. Важные решения, такие как относящиеся к коммерции или финансовые решения, не должны основываться на продукте машинного перевода.
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ GB842875A
[]
ПАТЕНТНАЯ СПЕЦИФИКАЦИЯ ПРИЛОЖЕННЫЕ ЧЕРТЕЖИ Дата подачи заявки и подачи Завершено Уточнение: сентябрь. 17, 1956 : . 17, 1956 842,875 № 28330156 ц В, 1 Заявка подана в Соединенных Штатах Америки 9 сентября. 19, 1955 Полная спецификация опубликована: 27 июля. 1960 842,875 . 28330156 , 1 . 19, 1955 : 27, 1960 Индекс при приеме: -37 классы, КиС1, К2С (И 2:10:20), 40(5), Л15С; и 40 (6), Т ( : 1H: 1P4: 1U: 2T4 4A1). :- 37, KiC1, K2S ( 2: 10: 20), 40 (5), L15C; 40 (6), ( : 1H: 1P4: 1U: 2T4 4A1). Международная классификация:-., H03c, . :-., H03c, . ПОЛНАЯ СПЕЦИФИКАЦИЯ Улучшения в полупроводниках и аппаратуре или в отношении них. Мы, , корпорация, учрежденная в соответствии с законодательством штата Пенсильвания, Соединенные Штаты Америки, на улицах Тайога и Си, Филадельфия, Пенсильвания, Соединенные Штаты Америки, настоящим заявляем: изобретение, на которое мы молимся, чтобы нам был выдан патент, и метод, с помощью которого оно должно быть реализовано, должны быть подробно описаны в следующем заявлении: , , , , , , , , , , :- Настоящее изобретение относится к полупроводниковым устройствам преобразования сигналов и к устройствам, использующим такие устройства. Более конкретно, оно относится к усовершенствованным полупроводниковым устройствам преобразования сигналов, имеющим как высокий входной импеданс, так и высокий коэффициент усиления. - - . , - - . Хотя полупроводниковые устройства преобразования сигналов, которые до сих пор были доступны в предшествующем уровне техники, были высокоэффективны для многих целей, их применение было ограничено одной или несколькими часто нежелательными характеристиками, такими как низкий входной импеданс или относительно низкий коэффициент усиления по напряжению. , - . Любая из этих характеристик, очевидно, снижает их ценность для использования в качестве усилителей напряжения, поскольку устройства, имеющие низкий входной импеданс, будут иметь тенденцию чрезмерно нагружать источник напряжения, снабжающий их входным сигналом, в то время как устройства, имеющие низкий коэффициент усиления, обеспечивают недостаточное усиление входного сигнала. сигнал. , . Для минимизации вредного воздействия низкого входного сопротивления, характерного для полупроводниковых приборов, таких как биполярные транзисторы, до сих пор приходилось использовать во входных цепях этих транзисторов устройства преобразования импеданса, такие как, например, понижающие трансформаторы связи. источник сигнала со входом транзистора. Такие трансформаторы являются относительно дорогими компонентами по сравнению с резистивно-емкостными цепями, которые обычно используются, например, для подключения источника сигнала к входной сетке лампового усилителя, и могут иметь нежелательные частотно-зависимые характеристики, имеющие тенденцию к ограничить полосу пропускания усилителя, в который включен трансформатор. , , - , , - . , - , , - , - . Соответственно, целью изобретения 50 является создание усовершенствованного полупроводникового устройства преобразования сигнала, имеющего как высокий входной импеданс, так и высокий коэффициент усиления. 50 - . В соответствии с изобретением предложено устройство преобразования сигнала, содержащее корпус из полупроводникового материала, имеющий пару противоположных параллельных поверхностей, базовый электрод, обеспечивающий существенный омический контакт с телом, эмиттерный электрод на одной из упомянутых поверхностей, коллекторный электрод 60. на другой из указанных поверхностей, расположенных напротив указанного эмиттерного электрода, причем расстояние между указанными эмиттерным и коллекторным электродами таково, что если неосновные носители вводятся в указанное тело с помощью указанного эмиттерного электрода 65, значительная их часть может перемещаться к указанному коллекторному электроду исключительно за счет диффузии. через указанный корпус выпрямляющий электрод контактирует с указанным корпусом между указанными эмиттером и базовыми электродами 70 и отделяет часть указанного тела, на поверхностях которого расположены указанные эмиттерный и коллекторный электроды, от части корпуса, на поверхности которой находится указанный основной электрод , электрическое сопротивление тела 75 в области указанного выпрямляющего электрода является переменным в ответ на изменения величины напряжения, приложенного к указанному выпрямляющему электроду, и средство, посредством которого осуществляется перенос неосновных носителей, инжектированных 80 указанным эмиттерным электродом в указанное тело переход от указанного эмиттерного электрода к указанному выпрямляющему электроду может быть запрещен. , , , 60 , 65 , 70 , 75 , 80 . В одном варианте осуществления изобретения эмиттерный и коллекторный электроды могут 85 соответственно иметь форму поверхностно-барьерных эмиттерного и коллекторного электродов, расположенных напротив друг друга в углублениях, расположенных на противоположных поверхностях полупроводникового тела. Средства для изменения электрического сопротивления могут содержать систему выпрямляющих электродов, расположенную по периметру эмиттерного и коллекторного электродов, тогда как базовый электрод может представлять собой выступ, омически прикрепленный к полупроводящему телу в положении, лежащем за пределами области, ограниченной системой выпрямляющих электродов. . , 85 . 90 842,875 , . Во втором варианте осуществления изобретения, особенно подходящем для использования в транзисторах, имеющих относительно высокую пропускную способность, базовый электрод расположен так, что он вместо электродов эмиттера и коллектора ограничен системой выпрямляющих электродов. Электроды эмиттера и коллектора, в свою очередь, лежат в области полупроводникового тела, которая находится за пределами области, ограниченной системой выпрямляющих электродов. В одной конструкции эти -электроды могут содержать кольца из соответствующего металла, нанесенные на противоположные поверхности полупроводникового тела. - , , , . . , - , . В каждом из вышеописанных вариантов осуществления изобретения предусмотрены специальные меры для предотвращения попадания инжектированных неосновных носителей в средства регулирования сопротивления, чтобы тем самым избежать регенеративной обратной связи внутри полупроводниковой структуры, а также снижения входного импеданса. Этот результат достигается за счет использования одного или нескольких из следующих методов: (1) расстояние между средством ввода неосновных носителей и средством регулирования сопротивления существенно превышает длину пути диффузии неосновных носителей; (2) придание средству сбора носителей такой формы, чтобы оно имело тенденцию улавливать неосновные несущие, дрейфующие к средству управления сопротивлением; или (3) размещение выпрямляющих защитных электродов между средством введения носителя и средством изменения сопротивления. , - - , . : (1) - - - ; (2) - - - ; (3) - . При работе вышеописанных устройств средство введения неосновных носителей смещено по отношению к базовому электроду в полярности легкой проводимости, тем самым инжектируя неосновные носители в полупроводниковое тело. Средство сбора неосновных несущих смещено в той полярности по отношению к средству излучения, которое имеет тенденцию притягивать инжектированные неосновные несущие. Средство изменения сопротивления смещено по отношению к базовому контакту в полярности сложной проводимости, вследствие чего это средство имеет тенденцию обеднять носителями тока прилегающую к нему область полупроводникового тела и, следовательно, повышать электрическое сопротивление путь тока между базовым контактом и средством введения неосновных носителей. Таким образом, сигнал изменения напряжения, подаваемый на средство изменения сопротивления, вызывает соответствующие изменения в сопротивлении пути тока между базовым контактом и средством инжекции и, следовательно, в величине тока базы, протекающего в область средства инжекции носителей. , - , , , - . - , , . - , , , - - . , , - . Эти изменения тока базы, в свою очередь, изменяют потенциал полупроводникового тела вблизи средства инжекции и, следовательно, изменяют количество инжектированных таким образом неосновных носителей. В результате количество неосновных носителей, собираемых средством сбора, также изменяется в соответствии с изменяющимся по напряжению сигналом. Эти 75 последних вариантов можно использовать для создания изменений напряжения путем включения подходящего нагрузочного устройства в цепь со средствами ввода и сбора. , , 70 - . , - - . 75 - . Следует понимать, что структура 80, как она работает выше, демонстрирует очень высокий входной импеданс из-за того, что изменяющийся по напряжению входной сигнал подается на обратносмещенный выпрямляющий электрод. Кроме того, коэффициент усиления по напряжению устройства 85 относительно Это очень важно, поскольку входной сигнал фактически подвергается усилению двух типов: первый, который создается частью структуры, содержащей базовый контакт, средства изменения сопротивления и средства ввода неосновных носителей, и второй, который создается средство введения неосновных носителей, средство сбора неосновных носителей и прилегающую базовую область. Более того, эти желаемые результаты достигаются в единой полупроводниковой структуре, которая, поскольку для нее требуется не более одного омического контакта, относительно проста в изготовлении и пригодна для массового производства. 100 Другие преимущества и особенности изобретения станут очевидными из рассмотрения следующего подробного описания, взятого в связи с прилагаемыми чертежами, на которых: Фигуры 1 и 2 представляют собой виды сверху, показывающие две противоположные электродонесущие поверхности устройства, сконструированного в согласно изобретению; Фигура 3 представляет собой вид в разрезе конструкции 110, показанной на Фигурах 1 и 2; Фигура 4 представляет собой принципиальную схему устройства преобразования сигналов, использующего полупроводниковую структуру, показанную на фигурах с 1 по 3; Фигуры 5 и 6 представляют собой виды сверху, показывающие 115 две несущие электроды поверхности второго варианта нашей улучшенной полупроводниковой структуры; Фигура 7 представляет собой вид в разрезе полупроводниковой структуры, показанной на Фигурах 120 и 6; и Фигура 8 иллюстрирует третий вариант нашей улучшенной полупроводниковой структуры, размещенной в устройстве преобразования сигнала. , 80 , - - 85 , , , - - , , , . , 95 , , - . 100 , , : 1 2 - ; 3 - 110 1 2; 4 1 3; 5 6 115 - ; 7 - 120 6; 8 , . Обратимся теперь к рисункам 1, 2 и 3, 125, где схематически показана одна из предпочтительных форм нашей улучшенной полупроводниковой структуры, которую мы в дальнейшем будем называть составным транзистором. 1, 2 3, 125 , . Вариант реализации составного транзистора. Соединения с различными электродами выполняются путем прикрепления к ним проводов по существу омическим способом. Таким образом, в показанном варианте осуществления выводы 34, 36, 38 и 40 омически прикреплены к электродам 12, 14, 22 и 24 соответственно составного транзистора. . , , 34, 36, 38 40 12, 14, 22 24, , . В типичной конструкции полупроводниковое тело 10 состоит из монокристаллического германия -типа, имеющего объемное удельное сопротивление 75 от 2 до 5 Ом-сантиметров и время жизни объемных дырок около микросекунд. Как упоминалось выше, корпус может иметь форму по существу прямоугольной пластины, причем пластина 80 обычно может иметь длину около 0-100 дюймов, ширину 0,050 дюйма и толщину 0-003 дюйма. Каждая из впадин 26 и 28 может иметь диаметр поверхности около 0,021 дюйма и глубину около 0,0014 дюйма, т.е. такую глубину, что около 850,0002 дюйма германия разделяет впадины 26 и 28 в точке их сближения. подход. Каждое из впадин 30 и 32 может иметь средний диаметр 0,025 дюйма и ширину около 0,010 дюйма; глубина их прохода может составлять около 0,0013 дюйма каждая, т.е. глубина а такая, что 0,0004 дюйма германия разделяют углубления 30 и 32 в точке их наибольшего сближения. , 10 - 75 2 5 - . , , 80 0-100 , 0 050 , 0 -003 . 26 28 0 -021 0 -0014 , .. 85 0 -0002 26 28 . 30 32 0 -025 0 010 ; 0-0013 , .. 0 -0004 30 32 . Эмиттерный электрод 12 может иметь диаметр от 0,004 до 0,006 дюйма, тогда как коллекторный электрод 14, который предпочтительно имеет диаметр, существенно больший, чем диаметр эмиттера 12, может иметь диаметр от 0,006 до 0,008 дюйма. Наконец, каждый из 100 выпрямляющих электродов 22 и 24 может иметь средний диаметр 0-025 дюйма и ширину 0-005 дюйма. 12 95 0 004 0 -006 , 14, 12, 0 -006 0 -008 . , 100 22 24 0 -025 0-005 . Каждый из поверхностных барьерных электродов 12, 14, 22 и 24 образован путем осаждения подходящего металла 105, такого как индий или цинк, внутри соответствующего углубления с помощью процесса, упомянутого ниже. Основание 20 и подводящие провода 34, 36, 38 и 40 могут состоять из никеля и могут быть соответственно прикреплены 1o к корпусу 10 и к соответствующим электродам посредством оловянного припоя. 12, 14, 22 24 105 , , , . 20, 34,36, 38 40 , 1o 10, , . На фиг.4 показан простой усилительный каскад, использующий транзистор, такой как описанный выше, при этом элемент 115 обеспечения усиления содержит составной транзистор, показанный на фиг.1-3, и соответствующие части обозначены соответствующими цифрами. 4 , - 115 1 3, . В этой схеме предполагается, что полупроводниковый корпус 10 составного транзистора изготовлен из германия -типа. Соответственно, чтобы произвести инжекцию неосновных носителей с помощью эмиттерного электрода 12, этот электрод устанавливается с положительным потенциалом по отношению к базовому контакту 20, в то время как для осуществления сбора неосновных носителей коллектор 14 устанавливается с отрицательным потенциалом. относительно эмиттера 12 и предпочтительно отрицательно по отношению к опорному выступу 20. , 10 - . - 12, 20, , 125 - , 14 12 20. В конкретном устройстве, показанном на фигурах 1-3, тор 130 обычно содержит корпус из полупроводникового материала в форме тонкой прямоугольной пластины 10 из германия -типа; средства инжекции и сбора неосновных носителей, которые в этом варианте осуществления содержат, соответственно, эмиттерные и коллекторные контакты 12 и 14 с поверхностным барьером, расположенные коаксиально на противоположных поверхностях 16 и 18 соответственно корпуса 10; средство контакта с телом, которое в данном варианте осуществления содержит опорную лапку 20, прикрепленную к поверхности 16 на одном конце корпуса 10 по существу омическим образом; и чувствительные к напряжению средства изменения сопротивления, вставленные между контактирующими и инжекционными средствами, при этом средства изменения сопротивления содержат в этом варианте осуществления пару кольцевых поверхностно-барьерных электродов 22 и 24 соответственно, которые расположены напротив друг друга на поверхностях 16. и 18 соответственно, и которые являются соосными и ограничивают эмиттерный и коллекторный электроды 12 и 14 соответственно. 130 1 3 10 - ; - , , - 12 14, 16 18 10; , , 20 16, 10 ; - - , - , , - 22 24, , 16 18, , 12 14, . Чтобы способствовать эффективному сбору коллектором 14 неосновных носителей, инжектированных эмиттером 12, обеспечивается близкое расположение этих электродов путем размещения их в по существу коаксиальных углублениях 26 и 28 соответственно, которые предусмотрены на противоположных поверхностях 16 и 18 соответственно корпуса 10. 14 - 12, 26 28, , 16 18 10. С той же целью эффективного сбора неосновных носителей коллектор 14 предпочтительно имеет диаметр, существенно больший, чем диаметр эмиттера 12, например, примерно в два раза больше. , 14 12, , . Кроме того, чтобы избежать нежелательной регенеративной обратной связи и снижения входного импеданса, которые могут быть вызваны передачей на изменяющиеся по сопротивлению электроды 22 и 24 неосновных носителей, инжектированных эмиттером 12, электроды 22 и 24 отстоят от эмиттера 12 на расстоянии друг от друга. радиальное расстояние существенно превышает диффузионную длину неосновных носителей, которая характерна для полупроводникового материала, из которого состоит корпус 10. , - , - 22 24 - 12, 22 24 12 - - 10 . Кроме того, чтобы обеспечить существенный контроль над сопротивлением пути тока между базовым выводом 20 и эмиттером 12, электроды 22 и 24 с изменяющимся сопротивлением предпочтительно расположены друг от друга на расстоянии, меньшем, чем удвоенная толщина носителя тока. зона обеднения, которая образуется, когда потенциал обратного смещения, приложенный к любому из электродов 22 или 24, имеет значение, равное тому критическому напряжению обратного смещения , при котором начинается лавинный пробой внутри полупроводникового тела 10. Для достижения такого относительно близкого расстояния между электродами 22 и 24 на поверхностях тела 16 и 18 соответственно предусмотрены кольцевые, коаксиальные и равнодиаметровые углубления 30 и 32, внутри которых расположены выпрямляющие электроды 22 и 24 соответственно. , 20 12, - 22 24 - 22 24 - 10. 22 24, , , 30 32 16 18 , 22 24 . 842,875 На рисунке 4 эти потенциалы устанавливаются путем подключения базового вывода 20 составного транзистора к отрицательному полюсу источника постоянного напряжения 42, положительный полюс которого соединен с точкой с потенциалом земли, при этом эмиттер 12 подключается непосредственно к точке с потенциалом земли. . Кроме того, на коллектор 14 подается потенциал, отрицательный по отношению к потенциалам как эмиттера 12, так и базового вывода 20, посредством источника постоянного напряжения 44, положительный полюс которого соединен с базовым выводом 20, а отрицательный - полюс соединен с коллектором 14 через выходное нагрузочное устройство, представленное резистором 46. 842,875 4, 20 42 , 12 . , 14 12 20 44 20, 14 46. Выпрямительные электроды 22 и 24 смещены в обратном направлении по отношению к базе составного транзистора посредством отрицательного потенциала по отношению к потенциалу вывода 20 базы. Этот отрицательный потенциал подается источником постоянного напряжения 48, положительный полюс которого напрямую соединен с выводом 20 основания, а отрицательный полюс напрямую соединен с выпрямляющим электродом 24. Электрод 22 также подключен к отрицательному полюсу источника 48 через входное сопротивление, представленное резистором 50. 22 24 - 20. 48 20 24. 22 48, 50. Чтобы обеспечить критическую регулировку разности потенциалов между базовым выводом 20 s0 и электродами 22 и 24 соответственно, предпочтительно использовать источник 48, выходное напряжение которого можно регулировать. 20 s0 22 24, , 48 . Поскольку каждый из выпрямляющих электродов 22 и 24 смещен в обратном направлении по отношению к базовому контакту 20, каждый из них создает зону обеднения носителей тока внутри суженной области тела 10, лежащей между ними, протяженность которой напрямую зависит от величины обратного смещения. -смещающая разность потенциалов между базовой вкладкой 20 и электродами 22 и 24. Соответственно, когда значение этой разности потенциалов обратного смещения увеличивается от нуля, электрическое сопротивление между базовым выводом 20 и областью корпуса 10, прилегающей к эмиттерному электроду 12 и коллекторному электроду 14, увеличивается, по существу, в прямой зависимости от этого. 22 24 - 20, , 10 , - 20 22 24. , - , 20 10 12 14 , . При критическом значении этой разности потенциалов, которая обратно зависит от объемного удельного сопротивления полупроводникового материала, из которого изготовлено тело 10, и напрямую зависит от толщины тела 10, практически все носители тока присутствуют между электродами 22. и 24 извлечены. В результате удельное сопротивление тела 10 становится чрезвычайно высоким в этой области, и сопротивление тела 10 между основанием 20 и областью тела 10 между электродами 20 и 22 становится соответственно высоким. , 10 , 10, 22 24 . , 10 , 10 20 10 20 22 . Чтобы получить наибольшее изменение сопротивления между основанием 20 и вышеупомянутой областью корпуса 10 в ответ на изменение значения приложенного сигнала, необходимо, чтобы расстояние между зонами истощения, создаваемыми потенциалами, приложенными к электроды 22 и 24 соответственно. Однако если толщина корпуса 10 между этими электродами слишком велика, желаемое малое расстояние между 70 зонами обеднения не может быть достигнуто при напряжениях, меньших, чем то, при котором происходит вредный лавинный пробой внутри полупроводникового тела. Соответственно, весьма желательно, чтобы эта толщина 75 корпуса была как можно меньшей, соответствующей требованиям механической прочности, и в любом случае была меньше, чем в два раза, толщины зоны обеднения, при которой начинается лавинный пробой. 80 В конкретной компоновке, показанной на фиг. 4, выпрямляющий электрод 24 поддерживается при фиксированном потенциале обратного смещения, определяемом выходным напряжением источника 48, в то время как значение потенциала обратного смещения 85, приложенного к выпрямляющему электроду 22, изменяется в соответствии с изменениями изменяющегося во времени напряжения входного сигнала, подаваемого источником 52, который соединен с электродом 22 через блокирующий конденсатор 54. 20 10 , 22 24 . , 10 , 70 . , 75 , , , , . 80 4, 24 - 48, - 85 22 - 52 22 54. Значение 90 потенциала обратного смещения, подаваемого источником 48 , регулируется так, чтобы оно было равным одному промежуточному нулю и вышеупомянутому критическому потенциалу, который отсекает ток через кольцевое сужение в корпусе 10. Кроме того, максимальное изменение амплитуды входного сигнала, подаваемого источником 52, может быть выбрано таким образом, чтобы электрод 22 никогда не приводился к нулевому или положительному потенциалу по отношению к базовому контакту 20, а также к низковольтному потенциалу, настолько отрицательному. этот ток через вышеупомянутое кольцевое сужение корпуса 10 отсекается. 90 - 48 10. , 95 52 22 20, 10 . В этих условиях электрическое сопротивление этого кольцевого сужения 1i5 изменяется в прямой зависимости от изменений амплитуды входного сигнала, подаваемого источником 52. Когда сигнал на электроде 22 становится более положительным, электрическое сопротивление на сужении 110 падает. В результате между выводом базы 20 и эмиттером 12 протекает увеличенный ток базы, а потенциал корпуса 10, соседнего эмиттера 12, становится более отрицательным в ответ на отрицательный потенциал, подаваемый на вывод 20. Поскольку эмиттер 12 поддерживается под потенциалом земли, это отрицательное колебание потенциала тела 10, соседнего эмиттера 12, заставляет эмиттер 12 вводить в тело 10 увеличенное количество - 120 неосновных носителей. Это увеличенное количество неосновных носителей, инжектируемых эмиттером 12, в свою очередь, приводит к прямо пропорциональному увеличению количества неосновных носителей, собираемых коллектором 14, т.е. прямо пропорциональному увеличению тока неосновных носителей, протекающего через нагрузочный резистор 46. , 1i5 52. 22 , 110 . , 20 12, 10 12 20. 12 , 10 12 12 10 120 -. - 12 - 14, .. 125 46. Короче говоря, видно, что положительное изменение напряжения сигнала, приложенного к электроду 22, приводит к положительному увеличению потенциала на коллекторе 14. , 22 - 130 842,875 842,875 14. Это изменение напряжения коллектора затем может быть подано на выходную клемму 56, которая соединена с коллектором 14 через блокирующий конденсатор 58. - 56, 14 58. Что касается только что описанного режима работы нашей полупроводниковой структуры, используемой в усилительном устройстве, показанном на рисунке 4, сначала следует отметить, что входное сопротивление, наблюдаемое источником 52, смотрящим на электрод 22, очень велико, т.е. порядка 50 000–100 000 Ом, поскольку выпрямляющие электроды 22 и 24 работают в условиях обратного смещения. Кроме того, следует понимать, что усилитель имеет высокий коэффициент усиления по напряжению, который может составлять порядка 40-60 децибел. Такой высокий коэффициент усиления достигается по двум причинам: во-первых, в суженной кольцевой области корпуса 10, между электродами 22 и 24, присутствует лишь относительно небольшое количество носителей тока. - 4, 52 22 , .. 50,000 100,000 , 22 24 - . , , 40 60 . : , - 10, 22 24. В результате относительно небольшое изменение напряжения на электроде 22 приводит к относительно большому изменению количества носителей тока в кольцевом сужении и соответственно большому изменению тока эмиттер-база, и все это должно течь через сужение. . Это большое изменение тока эмиттер-база, в свою очередь, вызывает большое изменение потенциала тела 10, соседнего эмиттера 12. Следовательно, происходит большое изменение в количестве неосновных несущих, излучаемых излучателем 12. , 22 , - , . -- , , 10 12. , - 12. По существу все неосновные носители, излучаемые эмиттером 12, собираются коллектором 14 из-за чрезвычайной близости этих двух электродов и того факта, что диаметр коллектора 14 больше, чем диаметр эмиттера 12. Соответственно, это большое изменение эмиссии неосновных носителей по существу полностью отражается в соответствующем изменении тока коллектора, протекающего через выходную нагрузку 46. - 12 14, 14 12. , - 46. Поскольку импеданс этой нагрузки может быть относительно высоким, возникающее на ней изменение напряжения в ответ на изменение напряжения, приложенного к электроду 22, является сильно усиленной копией последнего изменения. , , 22, . В схеме, показанной на рисунке 4, компоненты схемы o50 обычно могут иметь следующие значения: источник 42, источник постоянного тока, 3 В, 44, резистор постоянного тока, 3 В, 46, источник 10 000 Ом, 48, резистор постоянного тока от 5 до 15 В, 50, конденсатор 50 000 Ом, 54, конденсатор 0–5 микрофарад. 58 0 1 микрофарад. Следует понимать, что эти значения являются только примерными и что мы не предполагаем, что объем нашего изобретения будет ограничен ими. 4, o50 : 42 3 - 44 3 - 46 10,000 48 5 15 - 50 50,000 54 0 -5 58 0 1 . Более того, конечно, следует понимать, что схема, показанная на рисунке 4, представляет собой лишь одну из многих схемных схем, в которых могут быть с пользой использованы наши составные транзисторы. Например, схему, показанную на рисунке 4, можно легко преобразовать в суммирующую схему, просто вставив входной импеданс (не показан) 70 последовательно с соединением между выпрямляющим электродом 24 и отрицательным полюсом источника 48 и подключив его к электроду 24. источник (не показан) сигнала, добавляемого к источнику 58. 75 Тогда значение сигнала, создаваемого на выходной клемме 56, по существу пропорционально сумме значений входных сигналов, подаваемых на электроды 22 и 24. , , , 4 . , 4 ( ) 70 24 48, 24 ( ) 58. 75 56 22 24. Кроме того, составной транзистор 80 легко адаптируется для использования в качестве модулирующего элемента, подавая одну из входных волн (либо несущую, либо интеллектуальную волну) на выпрямляющий электрод 22, одновременно подавая другую волну на эмиттер 85, электрод 12. Тогда на выходном терминале 56 будет создана волна, амплитуда которой пропорциональна амплитуде несущей волны, модулированной по амплитуде в соответствии с сигнальной волной. 90 Учитывая вышеизложенное, специалистам в данной области техники будет ясно, что наш составной транзистор может использоваться во многих других схемах. Например, путем соответствующей регулировки смещения, приложенного источником 48 к электродам 22 и 24, и максимального отклонения амплитуды синусоидального сигнала, подаваемого источником 52, на выходной клемме 56 может быть сгенерирован импульсный сигнал. 100 В этом отношении следует отметить, что в составном транзисторе, имеющем примерные размеры, приведенные выше, транзистор имеет существенную выходную мощность на коллекторе 14 в ответ на входные сигналы на электроде 22, имеющие 105 частот до (и выше) 30 мкц./ сек. , 80 ( ) 22 85 12. , 56, -, - . 90 , . , 48 22 24, 52, - 56. 100 , , , 14 22 105 ( , 30 ./. Более того, в тех случаях, когда желательна работа фазоинвертора, необходимо только включить соответствующее сопротивление нагрузки последовательно с соединением 110 между эмиттером 12 и точкой потенциала земли, чтобы создать на эмиттере 12 выходной сигнал. сигнал находится в фазе, противоположной сигналу, вырабатываемому на коллекторе 14. , - , 110 12 , , 12, 14. Изготовление варианта нашего 115-компонентного транзистора, показанного на рисунках с 1 по 3, может быть выполнено относительно легко с использованием струйного электролитического процесса, описанного в нашей одновременно рассматриваемой заявке № 32034/55, серийный номер 824484. В этом случае углубления 26 и 28 выкапываются из тела 10 путем направления на тело 10 тонкой струи электролита соответствующего диаметра, электрический потенциал которого отрицателен по отношению к телу 10. Этот электролит 125 содержит ионы металла, которые в конечном итоге осаждаются в выкопанной впадине в качестве поверхностного барьерного электрода. После того, как углубление выкопано на желаемую глубину, в него наносят площадной электрод 130 типа с поверхностным барьером путем изменения полярности потенциала, при котором поддерживается электролит. 115 1 3 . 32034/55 . 824484. 120 , 26 and28areexcavated 10 10 10. 125 . , 130 - . Кольцевые углубления 30 и 32 также можно выкопать и нанести кольцевые выпрямляющие электроды 22 и 24 с помощью струйного электролитического процесса, описанного в вышеупомянутой заявке № 32034/55 (серийный № 824484). Как указано в этой заявке, раскопки затем выполняются путем вращения тела вокруг оси, проходящей через средние точки впадин 26 и 28, при одновременном воздействии на тело 10 травильной струей, центр удара которой смещен от вышеупомянутой оси на расстояние. равен среднему радиусу кольцевой выемки. 30 32 22 24 . 32034/55 ( . 824484). , 26 28, 10 . Нанесение электродов 22 и 24 затем осуществляется путем использования электролита, содержащего ионы покрываемого металла, и приложения к электролиту потенциала, поляризованного положительно по отношению к телу. 22 24 , . В каждой из вышеизложенных операций глубину, на которую проводились земляные работы в любой момент времени, определяют и контролируют с помощью любого из множества методов, включая метод пробивки, описанный в вышеупомянутой заявке № 32034/55 (серийный № 824484) метод травления с контролем смещения, описанный в нашей одновременно рассматриваемой заявке на патент № 8582/55, серийный № , , - . 32034/55 ( . 824484) - . 8582/55, . 810946, метод измерения инфракрасного спектра описан в нашей одновременно рассматриваемой заявке на патент № 23300/45, серийный номер 817953, и колориметрический метод, описанный в нашей одновременно рассматриваемой заявке № 11590/55, серийный номер 810862). 810946, - . 23300/45, . 817953, . 11590/55, . 810862). Второй предпочтительный вариант осуществления нашего усовершенствованного составного транзистора, который особенно полезен в приложениях силовых транзисторов, показан на рисунках 5, 6 и 7. Последняя конструкция содержит электроды, имеющие те же функции, что и электроды, воплощенные в структуре, показанной на фиг. Рисунки 1–3 отличаются от этой конструкции тем, что электроды расположены в порядке, обратном порядку, показанному на рисунках 1–3. Таким образом, в конструкции, показанной на фиг. 5-7, базовый электрод 120, соответствующий базовому выступу предыдущего варианта осуществления, расположен в центре полупроводникового тела 110 из монокристаллического германия -типа, которое может иметь по существу квадратные основные поверхности 116 и 118 соответственно. Базовый электрод образует по существу омический контакт с корпусом 110 и может быть изготовлен различными хорошо известными способами, например путем пескоструйной обработки на поверхности 116 участка, форма которого определяется отверстием маски, нанесенной на эту поверхность, и путем напыления на этот обработанный пескоструйной обработкой участок слоя чистого олова или другого металла, который имеет свойство по существу омически связываться с германием. 5, 6 7 , , 1 3, 1 3. , 5 7, 120, , - 110 - , 116 118 . 110 - , .. , 116, , . Кольцевая выемка 130, соосная с электродом 120, формируется на поверхности 116 корпуса 110, а на противоположной поверхности 118 выемка 132 формируется соосно и содиаметрально с выемкой 130. Эти выемки 70 соответствуют выемкам 30 и 32 соответственно предыдущего варианта реализации. Внутри углублений лог и 132 расположены выпрямляющие электроды 122 и 124 соответственно. Эти электроды 7.5, которые являются электродами с поверхностным барьером и могут быть нанесены с помощью вышеупомянутого струйного электролитического процесса, описанного в нашей одновременно рассматриваемой заявке № 32034/55 (серийный номер 824484), соответствуют электродам 22 S0 и 24, соответственно, предыдущего воплощение. Как и в предыдущем варианте осуществления, толщина электродов 122 и 124, разделяющих германий, устанавливается на значении, меньшем, чем удвоенная глубина 8,5 области обеднения носителей тока, которая образуется, когда потенциал обратного смещения прикладывается к любому из электродов 122 или 124. , имеет значение, равное критическому напряжению обратного смещения , при котором внутри тела 110 начинается лавинный пробой. 130, 120, 116 110 , surface118 132 - 130. 7o 30 32, . 132 122 124, . , 7.5 - , . 32034/55 ( . 824484) 22 S0 24, , . , 122 124 8.5 - - , 122 124, 110. Составной транзистор этого второго предпочтительного варианта осуществления дополнительно содержит кольцевой эмиттерный электрод 112 и кольцевой коллекторный электрод 114, причем 95 электродов расположены с кольцевыми выемками 126 и 128 соответственно, по существу коаксиально с другими электродами транзистора. Выемка 126 образована на поверхности 116, тогда как выемка 128 образована на поверхности 118. Эмиттерный электрод 112 и коллекторный электрод 114 могут быть электродами с поверхностным барьером, сформированными с использованием вышеупомянутого струйного электролитического процесса (находящаяся на рассмотрении заявка le15 № 32034/55) (серийный № 824484). 112 114, 95 , 126 128 , . 126 116 128 118. 112 114 - ( le15 . 32034/55) ( . 824484). Средние диаметры кольцевых выемок 126 и 128 таковы, что расстояния между эмиттерным и коллекторным электродами 112 и 114 от выпрямляющих электродов 110, 122 и 124 соответственно значительно превышают длину диффузии неосновных носителей внутри корпуса 110. Причина этого заключается в том, чтобы избежать значительного потока неосновных носителей от эмиттера к входному электроду, например либо электрод 122, либо электрод 124 транзистора. Как обсуждалось здесь ранее, такой поток неосновных несущих приводит к пониженному входному сопротивлению, а также к нежелательной регенеративной обратной связи 120, имеющей тенденцию вызывать нестабильную работу транзистора. 126 128 112 114 110 122 124, , 110. 1electrode, .. 122 124 . , , 120 . Однако следует отметить, что средний диаметр углубления 128, содержащего коллекторный электрод 114, немного меньше 125, чем средний диаметр углубления 126, содержащего эмиттерный электрод 112. Более того, ширина эмиттерного электрода 112 существенно меньше ширины коллекторного электрода 114. В результате способ 130 842',875 состоит в том, чтобы еще больше снизить вероятность того, что неосновные несущие от эмиттера могут достичь входных электродов, в частности входного электрода 22, и тем самым вызвать вышеупомянутый нежелательный эффект обратной связи, а также снизить входной сигнал. импеданс. С этой целью составной транзистор 200 может быть подключен по схеме, показанной на фиг. 8, которая аналогична схеме, показанной на фиг. 4, но в которой на электроды 75, 202 и 204 подается небольшой потенциал обратного смещения. Этого потенциала достаточно, чтобы заставить электроды 202 и 204 собирать те неосновные носители, которые диффундируют в их окрестности, но недостаточно 80, чтобы существенно увеличить сопротивление тела 10 внутри его кольцевого сужения, лежащего между электродами 202 и 204. , , 128, 114, 125 126, 112. , 112 114. , 130 842',875 - , 22, 70 . , 200 8, 4, 75 202 204 - . 202 204 - , 80 10 202 204. Этот потенциал обратного смещения может быть получен, например, от отвода 210 на источнике 42 85, который подает напряжение, значение которого меньше напряжения, подаваемого на коллектор 14, с тем чтобы электроды 202 и 204 не конкурировали с коллектором. 14 для перевозчиков меньшинства. Поскольку схема запуска, показанная на фиг. 8, имеет по существу тот же режим работы, что и схема, показанная на фиг. 4, считается ненужным обсуждать эту схему более подробно. 95 Две основные формы составного транзистора, подробно описанные выше, представляют собой лишь некоторые предпочтительные структуры, выбранные из множества схем, попадающих в объем нашего изобретения. Таким образом, хотя в каждом из вышеописанных вариантов реализации нашего составного транзистора предусмотрены два выпрямляющих входных электрода (т.е. электроды 22 и 24 в вариантах реализации на фиг. 1-4 и 8, 105 и электроды 122 и 124 в варианте реализации фиг. 5-7), фактически необходим только один выпрямляющий электрод, на который подается входной сигнал. - , , 210 85 42, 14, 202 204 14 -. 8 4, . 95 . , , , (.. 22 24 1 4, 8, 105 122 124 5 7), . Однако, когда второй выпрямляющий электрод 110 отсутствует, обычно желательно тщательно очистить участок поверхности, к которому обычно прикреплен этот электрод, и покрыть этот участок инертным материалом, например пластиком на основе эпоксидной смолы. Это покрытие 115 защищает поверхность от загрязнений, которые могут образовывать на ней каналы с высокой проводимостью. Более того, максимальная толщина корпуса, лежащего под одиночным выпрямляющим электродом, обычно составляет лишь половину максимальной толщины, которая допустима при использовании двух выпрямляющих электродов, тем самым обеспечивая эффективный контроль над сопротивлением база-эмиттер. , 110 , , . 115 - . , 120 , -- . Кроме того, различные выпрямляющие контакты 125, указанные в нескольких вариантах осуществления, не обязательно должны быть контактами поверхностно-барьерной зоны, но, в зависимости от их функций, могут принимать любую из множества форм. Более конкретно, такие контакты альтернативно могут 130: внутренняя граница кольцевого коллекторного электрода 114 находится существенно ближе к оси электрода, чем внутренняя граница кольцевого эмиттерного контакта 112. , 125 - , , , . , 130 114 112. Эта конструкция коллектора служит для более эффективного улавливания тех неосновных носителей, излучаемых эмиттером 112, которые диффундируют в сторону выпрямляющих контактов 122 и 124. - 112 122 124. Таким образом, эта геометрия эмиттер-коллектор препятствует регенеративной обратной связи неосновных носителей к электродам 122, 124, а также увеличивает процент неосновных носителей, передаваемых от эмиттера 112 к коллектору 114 составного транзистора. , - 122, 124, - 112 114 . Принцип работы этого варианта нашего составного транзистора по существу такой же, как и в первом варианте, показанном на рисунках 1–3. Соответственно, полупроводниковая структура, показанная на фиг.5-7, может быть смещена и работать так, как описано в связи с фиг.4, при этом должное внимание уделяется взаимозаменяемым положениям контактов эмиттер-коллектор и базового контакта. Однако составной транзистор, показанный на рисунках 5-7, способен обеспечивать усиление при значительно более высоких уровнях мощности, чем транзистор, показанный на рисунках 1-3, из-за существенно больших площадей кольцевых эмиттерных и коллекторных электродов 112 и 114 соответственно. Вариант осуществления, показанный на фиг.5-7, находит конкретное применение в усилителях мощности, таких как усилители мощности звука. 1 3. , 5 7 4, - . , 5 7 1 3, 112 114, , , 5 7 . S5 Еще один усилительный каскад показан на рисунке 8. Эта схема представляет собой составной транзистор, имеющий в целом структуру транзистора, показанного на рисунках с 1 по 3, но содержащий дополнительную пару выпрямляющих электродов 202 и 204. Эти электроды расположены на корпусе 10 между узлом электродов эмиттера и коллектора 12, 14 и узлом выпрямляющих электродов 22, 24 на расстоянии от эмиттера и коллектора, которое предпочтительно существенно превышает вышеупомянутую диффузионную длину неосновных носителей. В показанной конструкции электроды 202 и 204 могут быть размещены внутри кольцевых углублений 206 и 208 соответственно, которые могут быть расположены на противоположных поверхностях корпуса 10, по существу, коаксиально с углублениями 26, 28, 30 и 32. Эти углубления 206 и 208 могут быть выкопаны с использованием вышеупомянутого струйного электролитического процесса (находящаяся на рассмотрении заявка № S5 8. 1 3, 202 204. 10 12, 14 22, 24 - . , 202 204 206 208, , 10 26, 28, 30 32. 206 208 , ( . 32034155) Серийный №824484) при выпрямлении электродов 202 и 204 наносятся по одному и тому же процессу. 32034155) . 824484) 202 204, . Выпрямляющие электроды 202 и 204 используются для сбора любых паразитных неосновных носителей, инжектированных в корпус 10 эмиттером 12, которые могли диффундировать в окрестности электродов 202 и 204. Целью сбора этих неосновных носителей в этом 842 875 являются контакты -перехода. 202 204 10 12 202 204. - 842,875 - . Более того, составные транзисторы согласно нашему изобретению могут иметь расположение электродов, геометрия которых существенно отличается от описанных выше. , . Таким образом, в устройствах, в которых взаимное расположение электродов показано на рисунках с 1 по 3, нет необходимости, чтобы выпрямляющие электроды 22 и 24 имели кольцевую геометрию, при условии, что эти электроды расположены так, чтобы иметь возможность осуществлять существенное управление. превышает ток база-эмиттер. Электроды, например, альтернативно могут иметь геометрию линейных стержней, расположенных напротив друг друга на противоположных поверхностях корпуса и проходящих через корпус 10 в такой ориентации, чтобы разделить корпус 10 на две части, одна из которых содержит опорный выступ 20, а другая - электроды эмиттера и коллектора 12 и 14 соответственно. , 1 3, 22 24 , -- . , , 10 10 , 20 12 14 . Более того, хотя полупроводниковое тело 10 было специально обозначено здесь выше как состоящее из германия -типа, следует понимать, что это тело альтернативно может состоять из других полупроводниковых материалов, например Германий -типа, -типа, кремний или любое из различных интерметаллических соединений, таких как атимонид индия. В каждом из этих случаев природа выпрямляющих элементов может быть изменена способами, хорошо известными специалистам в данной области техники, для обеспечения необходимых свойств, как описано выше. , 10 - , .. - , -, . , , .
, ."> . . .
: 506
: 2024-04-13 00:00:38
: GB842875A-">
: :

842876-- = "/"; . , . . , . . , . , , . .



. :
:
УведомлениеЭтот перевод сделан компьютером. Невозможно гарантировать, что он является ясным, точным, полным, верным или отвечает конкретным целям. Важные решения, такие как относящиеся к коммерции или финансовые решения, не должны основываться на продукте машинного перевода.
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ GB842876A
[]
ПАТЕНТНАЯ СПЕЦИФИКАЦИЯ ПРИЛОЖЕННЫЕ ЧЕРТЕЖИ 4; Дата подачи Полной спецификации Сентябрь. 18, 1957. 4,; . 18, 1957. Дата подачи заявления: сентябрь. 20,1956. № 28 а /'';;"Полная спецификация опубликована 27 июля 1960 г. . 20,1956. . 28 /' ';;" 27, 1960. Индекс : -Класс 144(1), B3. :- 144(1), B3. Международная классификация: -B62f. : -B62f. ПОЛНАЯ СПЕЦИФИКАЦИЯ Устройство для раскалывания бортов для снятия шин с колес транспортных средств. Я, ЧАРЛЬЗ УИЛЬЯМ МФОРЛ, британский подданный, из Нейпир Хаус, 24–27, Хай Холборн, Лондон, ..1, настоящим заявляю об изобретении, о котором сообщила Компания по производству автомобильного оборудования, компания, организованная в соответствии с законами штата Калифорния, Соединенные Штаты Америки, по адресу 11 000, Саут-Аламеда-стрит, Линвуд, Калифорния, Соединенные Штаты Америки, в отношении которой я молюсь, чтобы мне был выдан патент, и метод, то, что оно должно быть выполнено, будет конкретно описано в следующем утверждении: , , , , 24-27, , , ..1, , , , , 11,000, , , , , , , :- Настоящее изобретение относится к устройству для снятия бортов, предназначенному для снятия пневматических шин с колес автомобилей. . Основной задачей изобретения является создание устройства, с помощью которого борта пневматической шины можно было бы «расколоть» или отделить от закраины обода колеса автомобиля просто и за минимальное время без необходимости предварительной обработки. снимите колесо с автомобиля. "" . В соответствии с изобретением мы предлагаем устройство для раскалывания борта для использования при снятии пневматических шин с колес, содержащее первый прижимной элемент для взаимодействия с боковой стенкой шины, второй прижимной элемент для взаимодействия с противоположной стороной колеса, на котором находится шина. установлено средство для сближения указанных элементов, причем указанные средства включают в себя цилиндр, содержащий два поршня, причем соответствующие поршневые штоки выступают из противоположных концов цилиндра и каждый из них поворачивается к рычагу, противоположный конец которого поворачивается к нажимному элементу или средству, поддерживающему нажимной элемент, и каждый рычаг выполнен с возможностью поворота вокруг неподвижного шарнира, расположенного между его концом. , , , . Один вариант осуществления теперь будет описан более подробно со ссылкой на прилагаемые чертежи, на которых: фиг. 1 представляет собой вид сверху, частично в разрезе устройства, причем полная длина ручки не показана; На рисунке 2 представлен вид устройства сбоку. : 1 , , ; 2 . Устройство для снятия шин содержит пневматический цилиндр 3, закрытый с обоих концов и имеющий два поршня 4, установленных в нем с возможностью скольжения. Каждый из указанных поршней снабжен поршневым штоком 5, и указанные стержни выступают по одному через центральное отверстие 6 в каждом из закрытых концов указанного цилиндра. Пружинные средства 7 предусмотрены внутри указанного цилиндра, и указанные пружинные средства расположены так, чтобы воздействовать на указанные поршни таким образом, чтобы обычно отодвигать их от концов цилиндра и удерживать их близко друг к другу в центре указанного цилиндра или вблизи него. . В точке, промежуточной между его концами, в цилиндре имеется впускное отверстие 8 для воздуха под давлением, причем указанное впускное отверстие устроено так, чтобы впускать сжатый воздух между двумя поршнями в цилиндре и отталкивать их друг от друга по направлению к концам указанного цилиндра. и, таким образом, сдвинуть упомянутые поршневые штоки наружу. Внешние концы указанных поршневых штоков 5 соединены посредством механизмов параллельного соединения с двумя нажимными башмаками 9, входящим в зацепление с шиной, при этом расположение поршневых штоков таково, что перемещение поршневых штоков наружу вызывает перемещение указанных нажимных башмаков внутрь, при этом указанные башмаки приспособлены для перемещения внутрь по направлению к каждому из них. друг друга, оставаясь при этом параллельными друг другу. 3 4 . 5 6 . 7 . 8 , , . 5 9, , . Каждый ботинок имеет по существу плоскую прижимную поверхность 29, имеющую в плане почкообразную форму (см. фиг. 2). Внутренняя сторона почкообразной нажимной поверхности 29, которая при работе расположена ближе всего к оси колеса, снабжена фланцем 30, который при работе устройства упирается во внешнюю периферию обода колеса и таким образом направляет нажимные поверхности 29 в стороны. шины. Каждый из упомянутых поршневых штоков шарнирно закреплен с помощью пальца 10 на конце рычага 11 с прорезью, образованного расположенными на расстоянии друг от друга параллельными рычагами, которые шарнирно поворачиваются между своими концами 12 и неподвижным опорным элементом 13, жестко установленным на внешней части цилиндра. , и поворачивается на противоположном конце с помощью 842,876 764/s56. 29, ( 2). 29 30 , 29 . 10 11 12 13, , 842.876 764/s56. штифт 14 к внешнему концу рычага 15, несущего башмак, причем башмак 9 установлен на внутреннем конце указанного рычага. На штифте 16 между концами упомянутого рычага для переноски обуви установлено звено 17, которое на своем другом конце 18 поворачивается к неподвижному опорному элементу 13 так, чтобы быть параллельным вышеупомянутому двуплечему рычагу 11. Благодаря этому устройству сжатый воздух, подаваемый в цилиндр, заставит поршни в указанном цилиндре двигаться наружу друг от друга, противодействуя действию пружинных средств, и, в свою очередь, перемещать поршневые штоки наружу, в результате чего упомянутые нажимные башмаки будут перемещаться. друг к другу через механизмы параллельных связей. На каждом из упомянутых параллельно рычажных механизмов также установлен упор 19, регулируемый в нерабочее положение, как показано на правой стороне фигуры 1, или в любое из двух рабочих положений, как на левой стороне фигуры 1, в котором он приспособлен. ограничить перемещение нажимных колодок внутрь относительно друг друга и, таким образом, предотвратить раздавливание шины шиной. 14 15, 9 . 16 17 18 13 - 11. , , . 19 , 1, , 1, . Этот стопорный элемент 19 состоит из пластины, имеющей прорезь 20, через которую проходит поворотный штифт 14, с помощью которого рычаг поворачивается к рычагу, несущему обувь. Таким образом, указанная пластина может скользить, а также поворачиваться на указанном шарнирном штифте. Пластина также снабжена двумя крючковыми элементами 21, 22, приспособленными для зацепления за шарнирный штифт 16 звена, соединяющего рычаг для переноски обуви с неподвижным опорным элементом. Конструкция такова, что, когда указанный стопорный элемент зацеплен в положении, как показано на левой стороне фиг. 1, он ограничивает перемещение соответствующего нажимного башмака по направлению к другому, зацепляясь своим концом 23 со стороной колеса. Таким образом, если один борт шины освобождается от фланца обода колеса раньше другого, движение колодки внутрь, действующей на этот борт, ограничивается ее упором в зацепление с колесом, а другой борт затем освобождается под действием давления между колодкой, воздействующей на этот борт. на этом и указанная остановка. Величина ограничения движения зависит от того, какой из крючков стопора используется, что позволяет регулировать устройство в соответствии с размером шины. 19 20 14 . . 21, 22 16 . 1 , 23 . , , . . Устройство для снятия борта установлено на паре колес 24, чтобы обеспечить возможность более легкого и быстрого перемещения устройства в положение для операции снятия шины. Колеса установлены так, что их ось 25 параллельна цилиндру 3, что обеспечивает движение башмаков по существу параллельно земле. Колеса установлены на нижнем конце трубчатой ручки 26, которая также образует канал для подачи сжатого воздуха в цилиндр, причем указанная ручка снабжена на своем внешнем конце воздушным клапаном 27, к которому может быть подсоединен гибкий трубопровод 28 ( Рисунок 2), ведущий от подходящего источника сжатого воздуха. 24 . 25 3 . 26 , 27 28 ( 2) . Во время работы устройство перемещается к шине спереди автомобиля (если передняя шина должна быть снята) до тех пор, пока шина не окажется между двумя нажимными башмаками. ( ) . Колесо предварительно было поддомкрачено. . Затем срабатывает воздушный клапан для подачи воздуха в цилиндр, в результате чего пневматические поршни работают, как описано выше, перемещая нажимные башмаки навстречу друг другу. Указанные башмаки затем захватывают боковые стенки шины и прижимают их друг к другу до тех пор, пока бортовой край шины не освободится и не отойдет от обода колеса. Как уже объяснялось, элементы зацепления или стопора колеса обеспечивают освобождение обоих бортов. Путем соответствующих манипуляций шину можно затем снять с колеса, не снимая колесо с автомобиля. , , . . . .
, ."> . . .
: 506
: 2024-04-13 00:00:40
: GB842876A-">
: :

842877-- = "/"; . , . . , . . , . , , . .



. :