патенты / 22228

838770-- = "/"; . , . . , . . , . , , . .



. :
:
УведомлениеЭтот перевод сделан компьютером. Невозможно гарантировать, что он является ясным, точным, полным, верным или отвечает конкретным целям. Важные решения, такие как относящиеся к коммерции или финансовые решения, не должны основываться на продукте машинного перевода.
РћРџРРЎРђРќРР• РЗОБРЕТЕНРРЇ GB838770A
[]
ПАТЕНТНАЯ СПЕЦРР¤РРљРђР¦РРЇ РџР РЛОЖЕННЫЕ ЧЕРТЕЖР8 738970 Дата подачи заявки Рё подачи Полная спецификация: 8 738970 : 23 декабря 1958 РіРѕРґР°. 23, 1958. в„– 4 С„ 472/58. 4 472/58. Заявление подано РІ Соединенных Штатах Америки 27 декабря 1957 РіРѕРґР°. 27, 1957. Полная спецификация опубликована 22 РёСЋРЅСЏ 1960 Рі. 22, 1960. Рндекс РїСЂРё приемке: класс 32, . : 32, . Международная классификация: 10 . : 10 . Совершенствование метода выращивания полупроводниковых кристаллов. . ПОЛНАЯ СПЕЦРР¤РРљРђР¦РРЇ РњС‹, , корпорация, организованная Рё действующая РІ соответствии СЃ законодательством штата РќСЊСЋ-Йорк, расположенная РїРѕ адресу: 1 , 5, , , настоящим заявляем РѕР± изобретении, РІ отношении которого РјС‹ молимся, чтобы патент может быть выдан нам, Р° метод, СЃ помощью которого РѕРЅ должен быть реализован, должен быть РїРѕРґСЂРѕР±РЅРѕ описан РІ следующем заявлении: , , , 1 , 5, , , , , , :- Настоящее изобретение относится Рє выращиванию полупроводниковых кристаллов высокой степени совершенства. Более конкретно, изобретение относится Рє СЃРїРѕСЃРѕР±Сѓ выращивания высокочистых, бескислородных, бездислокационных монокристаллов кремния. , , - - . Методы получения монокристаллов полупроводников, таких как германий Рё кремний, давно известны специалистам РІ данной области техники. Однако РІСЃРµ эти методы требуют выращивания монокристалла путем извлечения затравочных кристаллов РёР· расплава, содержащегося РІ достаточно нереакционноспособной среде. тигель Рспользуемые тигли обычно изготавливаются РёР· кварца Рё РґРёРѕРєСЃРёРґР° кремния. , , , . Хотя кварц практически РЅРµ реагирует СЃ полупроводниковыми материалами РІ жидком состоянии, было обнаружено, что РїСЂРё высокой температуре полупроводниковый материал подвергается некоторому загрязнению кислородом РёР· кварцевого тигля. Это особенно верно РІ случае кремния, который необходимо нагреть РґРѕ температура плавления должна быть РЅРµ менее 1420°С. Хотя некоторое загрязнение кислородом можно допустить, РІ некоторых случаях это загрязнение весьма нежелательно. Так, например, РІ кремниевых телах присутствие кислорода РІ качестве примеси ответственно Р·Р° явление " термообработка» Это явление, например, может привести Рє повышению удельного сопротивления . - , 1420 ' , , , , " " , , . Кристалл кремния типа , выращенный СЃ вращением затравки, превращающийся РІ кремний -типа РїСЂРё нагревании РґРѕ температуры 450°С. - 450 '. Были разработаны методы выращивания (Цена 3 СЃ 6 Рі) монокристаллов полупроводникового материала без кварцевого тигля Рё, следовательно, избегания загрязнения кислородом. Однако эти методы РїСЂРёРІРѕРґСЏС‚ Рє высокой плотности дислокаций внутри кристалла. Как здесь используется 50, дислокация РІ Монокристалл можно определить как сильно напряженную внутреннюю область внутри кристалла, возникающую РІ результате смещения РѕРґРЅРѕР№ большой части структуры кристаллической решетки относительно РґСЂСѓРіРѕР№ такой же порции. РљРѕРіРґР° полупроводниковый монокристалл обладает высокой плотностью дислокаций, время жизни неосновные носители проводимости РІ нем значительно уменьшаются, Рё полезность кристалла для изготовления полупроводниковых устройств, таких как транзисторы, значительно снижается. ( 3 6 ) , , 50 55 , 60 , , . Соответственно, целью настоящего изобретения является создание СЃРїРѕСЃРѕР±РѕРІ выращивания монокристаллов практически безкислородных Рё бездислокационных полупроводниковых материалов. , -, 65 - . Кратко РіРѕРІРѕСЂСЏ, РІ соответствии СЃ РѕРґРЅРѕР№ особенностью настоящего изобретения первое тело РёР· полупроводникового материала, СЃРїРѕСЃРѕР±РЅРѕРµ нагреваться вихревыми токами, физически поддерживается вторым телом РёР· того же материала, имеющим физическую форму, которая предотвращает образование вихревых токов СЃ радиочастотное электромагнитное поле. РћР±Р° тела подвергаются такому электромагнитному полю, что РїСЂРёРІРѕРґРёС‚ Рє образованию закрепленной ванны полупроводникового материала. Затем РёР· ванны выращивают монокристаллический слиток полупроводникового материала СЃ использованием затравочного кристалла, имеющего физические размеры. которые очень малы РїРѕ отношению Рє количеству расплавленного полупроводника. 70 75 , 80 . Рзобретение вместе СЃ его дополнительными преимуществами Рё целями лучше всего можно понять СЃРѕ ссылкой РЅР° следующее описание, взятое РІ СЃРІСЏР·Рё СЃ прилагаемыми чертежами, РЅР° которых: , 85 : Фиг.1 представляет СЃРѕР±РѕР№ схематическое изображение РѕРґРЅРѕРіРѕ устройства, СЃ помощью которого изобретение может быть реализовано РЅР° практике, Р° Фиг.2 представляет СЃРѕР±РѕР№ перспективный РІРёРґ части устройства, показанного РЅР° Фиг.1. 1 838,770 , 2 1. Было обнаружено, что бездислокационные Рё бескислородные слитки полупроводникового материала, такого как, например, германий или кремний, РјРѕРіСѓС‚ быть выращены путем извлечения затравочных кристаллов РёР· расплавленной массы полупроводника, подвешенной Р·Р° счет левитации Рё поверхностного натяжения поверх твердой массы полупроводника. тот же полупроводник. Раньше это было невозможно РёР·-Р·Р° сложности ограничения количества твердого полупроводника, который связан СЃ электромагнитным полем Рё нагрет РґРѕ точки плавления. , - , , , , , . Это препятствие, согласно изобретению, преодолевается путем формирования первой части полупроводника, первоначально расплавленной РёР· твердой массы, которая восприимчива Рє индукционному нагреву или, РґСЂСѓРіРёРјРё словами, будет выдерживать вихревые токи. Несущий элемент, который может быть позже расплавлен Рё рекристаллизован. растущий слиток обладает физической геометрией, которая делает его неспособным РІ значительной степени выдерживать вихревые токи. Р’ предпочтительном варианте второе тело разрезается продольно РЅР° сектора, которые электрически разъединены РїРѕ окружности. Таким образом, вихревые токи РЅРµ РјРѕРіСѓС‚ течь РІРѕРєСЂСѓРі РѕРїРѕСЂРЅРѕРіРѕ элемента, который, следовательно, РЅРµ расплавляется индукционный нагрев, РЅРѕ только Р·Р° счет теплового контакта СЃ уже расплавленным полупроводником. , , , , , . Отсутствие дислокаций РІ кристаллах, выращенных РІ соответствии СЃ настоящим изобретением, обеспечивается использованием затравочного кристалла, площадь поперечного сечения которого очень мала РїРѕ сравнению СЃ количеством расплавленного полупроводника, РІ который РѕРЅ введен. Это СЃРІРѕРґРёС‚ Рє РјРёРЅРёРјСѓРјСѓ тепловые деформация, вносимая разницей температур между затравкой Рё расплавленным полупроводником. РљСЂРѕРјРµ того, РїСЂРё правильном выборе кристаллографической ориентации затравки такие дислокации, которые РјРѕРіСѓС‚ присутствовать, легко удаляются РЅР° ранних стадиях роста. , - ,, , . РќР° фиг. 1 устройство, СЃ помощью которого можно реализовать изобретение, включает РІ себя РєРѕСЂРїСѓСЃ кристаллической печи 1, имеющий вытяжную трубку 2 для соединения СЃ вакуумной системой (РЅРµ показана), катушку индукционного нагрева 4, РЅР° которую подается подходящий переменный высокочастотный электрический ток РѕС‚ источник переменного тока 6, регулируемый для вертикального перемещения РІРѕРєСЂСѓРі РєРѕСЂРїСѓСЃР° печи 1 посредством зубчатой передачи 7, установленной РЅР° вертикальном стержне СЃ резьбой 8, РїСЂРёРІРѕРґРёРјРѕРј РІ движение подходящими средствами (РЅРµ показаны). 1, 1, 2 ( ), 4 6 1 7 8, ( ). РљРѕСЂРїСѓСЃ печи 1 опирается РЅР° нижнюю поверхность столешницы или плиты 9 Рё крепится Рє ней СЃ вакуумной герметичностью СЃ помощью узла фланца Рё прокладки 10. Р’ плите 9 имеется отверстие РІ центре РєРѕСЂРїСѓСЃР° печи для приема оправки 11 для вытягивания кристалла. который РїСЂРѕС…РѕРґРёС‚ РІ осевом направлении внутри печи. Оправка 11 удерживается РІ вакуумплотном контакте СЃ пластиной 9 СЃ помощью прокладок или уплотнительных колец 12, вставленных РІ приемник 13. Нижний конец оправки заканчивается патроном 14, предпочтительно РёР· кварца, для удержание РІ нем затравочного кристалла 70 15. РџСЂРё реализации изобретения бездислокационный, бескислородный кристалл 16 полупроводникового материала выращивается путем извлечения затравочного кристалла РёР· расплавленной массы 17 полупроводникового материала, физически 73 поддерживаемой РІ генерируемом радиочастотном переменном электромагнитном поле. СЃ помощью катушки 4 расплавленная масса полупроводникового материала 17 поддерживается РЅР° цилиндрическом элементе 18 СЃ прорезями РёР· того же полупроводникового 80 проводящего материала, что Рё расплавленная масса 17. Полупроводниковый элемент 18 СЃ прорезями удерживается РІ центре РєРѕСЂРїСѓСЃР° печи 1 СЃ помощью подходящего приспособления 19, которое расположено концентрически внутри РЅРёР· печи 85, РєРѕСЂРїСѓСЃ 1. 1 9 10 9 11 11 9 "'" 12 13 14, , 70 15 -, - 16 17 73 4 17 18 80 17 18 1 19 85 1. Увеличенный РІРёРґ РІ перспективе РѕРїРѕСЂРЅРѕРіРѕ элемента 18 показан РЅР° фиг. 2 чертежа. РќР° фиг. 2 опорный элемент 18 имеет прорези, которые РїСЂРѕС…РѕРґСЏС‚ РЅР° 90 градусов, полностью разделяя его наибольшую часть РЅР° 600 секторов, РЅРµ имеющих Р±РѕРєРѕРІРѕРіРѕ сообщения РґСЂСѓРі СЃ РґСЂСѓРіРѕРј. 600 секторов выбраны РІ качестве иллюстрации. Очевидно, что любые 95 эквивалентные средства прорези поддерживают элемент 18, чтобы вихревые токи РЅРµ могли течь РїРѕ окружности РІРѕРєСЂСѓРі него, тем самым предотвращая значительную СЃРІСЏР·СЊ тела СЃ электромагнитным полем, вызывающую его существенный индукционный нагрев. , было Р±С‹ подходящим Рё достаточным. РќР° СЂРёСЃ. 2 чертежа также показан РІ перспективе РґРёСЃРє РёР· полупроводникового материала, РёР· которого формируется расплавленная масса полупроводникового материала 105 17 РЅР° СЂРёСЃ. 1 чертежа. Диск СѓРґРѕР±РЅРѕ вырезать РґРѕ того же диаметра, что Рё опорный элемент 18 Рё, конечно, изготовлен РёР· того же полупроводникового материала. Толщина РґРёСЃРєР° 20 определяется следующим образом. Верхний предел толщины таков, что расплавленная масса 17 полупроводникового материала образуется РІ результате его плавления РІ поле индукционного нагревателя. 4, недостаточно для того, чтобы расплавленный полупроводниковый материал 115 РјРѕРі вытекать или переливаться РёР· массы 17 поверх РѕРїРѕСЂРЅРѕРіРѕ элемента 18. Нижний предел толщины таков, что расплавленная масса 17, образованная РёР· РґРёСЃРєР° 20, должна покрывать РІСЃСЋ верхнюю часть РѕРїРѕСЂРЅРѕРіРѕ элемента 18. Другими словами, , 120 РІСЃСЏ масса расплавленного полупроводникового материала 17 удерживается РЅР° месте Р·Р° счет поверхностного натяжения Рё электромагнитной левитации, Р° толщина РґРёСЃРєР° 20 выбирается так, чтобы обеспечить существование этого условия. Очевидно, количество 125 полупроводникового материала 20 будет зависеть РѕС‚ выбранного полупроводникового материала. Рё диаметр РѕРїРѕСЂРЅРѕРіРѕ элемента 18, который определяет количество полупроводникового материала, которое может удерживаться РЅР° РѕРїРѕСЂРЅРѕРј элементе 18 Р·Р° счет поверхностного натяжения. 18 2 2 18 90 600 600 95 18 100 , 2 105 17 1 18 , 20 110 17 4 115 17 18 17 20 18 , 120 17 20 , 125 20 , 18 130 838,770 18 . Таким образом, например, РєРѕРіРґР° выбранный полупроводниковый материал представляет СЃРѕР±РѕР№ кремний, Р° опорный элемент Рё РґРёСЃРє 20 имеют диаметр 112 РґСЋР№РјРѕРІ, толщина РґРёСЃРєР° 20 может составлять РѕС‚ 5/16 РґСЋР№РјР° РґРѕ 3/8 РґСЋР№РјР°. , , - 20 112 , 20 5/16 3/8 . РџСЂРё реализации изобретения опорный элемент 18 Рё РґРёСЃРє 20 изготовлены РёР· РѕРґРЅРѕРіРѕ Рё того же полупроводникового материала Рё вырезаны РёР· подходящих полупроводниковых тел. Хотя РІ этом нет необходимости, РѕР±Р° этих элемента можно СѓРґРѕР±РЅРѕ вырезать РёР· монокристаллического слитка полупроводникового материала, такого как кремний или германий. тем самым обеспечивая высокую степень чистоты конечного выращенного слитка. Однако вполне возможно, что Рё опорный элемент 18, Рё полупроводниковый РґРёСЃРє 20 РјРѕРіСѓС‚ быть РёР· поликристаллического полупроводникового материала. Опорный элемент 18 закреплен РЅР° месте РІ приспособлении 19 РІ нижней части кожуха печи. 1. Диск 20 РёР· полупроводникового материала помещается РЅР° опорный элемент 18 Рё вставляется РІ РєРѕСЂРїСѓСЃ печи 1, Р° РІРѕР·РґСѓС… РёР· него выкачивается СЃ помощью вакуумного насоса (РЅРµ показан) РґРѕ достаточно РЅРёР·РєРѕРіРѕ давления. Температура полупроводникового РґРёСЃРєР° 20 повышается как: например, путем применения ацетиленовой горелки Рє внешней стороне РєРѕСЂРїСѓСЃР° 1 вблизи него. Это делается для увеличения проводимости полупроводникового РґРёСЃРєР° 20, чтобы его можно было соединить СЃ магнитным полем Рё нагревать индукцией. После повышения температуры полупроводникового РґРёСЃРєР° 20 была повышена РґРѕ подходящей температуры, как, например, 300°С для германия Рё 500°С. , 18 20 , , , 18 20 18 19 1 20 18 1 ( ) 20 , , 1 20 20 , , 300 ' 500 '. для кремния электрический переменный ток РЅР° радиочастотах подается РЅР° катушку индукционного нагрева 4, которая затем прилегает Рє соседнему полупроводниковому РґРёСЃРєСѓ 20. РљРѕРіРґР° полупроводниковый РґРёСЃРє 20 расплавляется, формируется; РџСЂРё обработке расплавленной массы 17 полупроводникового материала, удерживаемой поверхностным натяжением, оправка 11 для вытягивания кристалла, содержащая затравочный кристалл 15, опускается РґРѕ тех РїРѕСЂ, РїРѕРєР° затравочный кристалл РЅРµ войдет РІ контакт СЃ расплавленной массой 17. Затравочный кристалл слегка вставляют РІ расплавленную массу РґРѕ тех РїРѕСЂ, РїРѕРєР° затравочный кристалл РЅРµ наблюдается плавление. Затем оправку для вытягивания кристалла подключают Рє подходящему автомату подачи Рё медленно вытягивают. , 4 20 20 , ; - 17 , 11 15 17 - . Р’ соответствии СЃ настоящим изобретением выращенный слиток становится бездислокационным путем выращивания РЅР° затравочном кристалле, объем которого чрезвычайно мал РїРѕ сравнению СЃ объемом расплавленного полупроводника. Фактически затравочный кристалл выполнен РІ РІРёРґРµ тонкой иглы. Достаточно, чтобы выдержать вес выращенного слитка. Это необходимо для того, чтобы свести Рє абсолютному РјРёРЅРёРјСѓРјСѓ термические напряжения, возникающие РІ кристалле РёР·-Р·Р° разницы температур между затравочным кристаллом Рё расплавленной массой полупроводникового материала. , , . Р’ случае кремния бездислокационные кристаллы выращивались СЃ использованием кристаллов, имеющих минимальную площадь поперечного сечения 0,0001 квадратных РґСЋР№РјРѕРІ РЅР° каждые 3 грамма выращиваемого кристалла, РґРѕ максимальной площади поперечного сечения 0,0025 квадратных РґСЋР№РјРѕРІ. - - 0.0001 3 , , 0 0025 . Другой СЃРїРѕСЃРѕР± минимизировать дислокации - правильная ориентация затравочного кристалла. РљРѕРіРґР° затравочный кристалл разрезается плоскостью (1,0,0), перпендикулярной РѕСЃРё затравки, РІ растущем слитке предпочтительная ориентация дислокаций находится РЅР° 75. 70 ( 1,0,0) , , 75. РїРѕРґ углом Рє РѕСЃРё кристаллического слитка. Таким образом, большая часть любых возникающих дислокаций распространяется Рє краю кристаллического слитка, Р° оставшаяся часть слитка СЃРІРѕР±РѕРґРЅР° РѕС‚ дислокаций, так как оправка Рё затравочный кристалл извлекаются монокристаллический слиток полупроводникового материала зарождается РЅР° затравочном кристалле СЃ образованием слитка 16, который выращивается РёР· расплавленной массы полупроводникового 85 материала 17 СЃ постоянной скоростью. Хотя предпочтительно, чтобы кристалл извлекался СЃРѕ скоростью примерно 5 РјРј РІ минуту, вытягивая Для практики настоящего изобретения РїРѕРґС…РѕРґСЏС‚ скорости РѕС‚ 1 РґРѕ 10 РјРј РІ минуту. Р’ практике настоящего изобретения, РїРѕ мере того как слиток 16 извлекается РёР· расплавленной массы 17 Рё граница раздела жидкости Рё твердого вещества падает, катушка индукционного нагрева постепенно Рё постепенно опускается для поддержания расплавленной 95 массы 17 приблизительно постоянного размера путем контактного плавления прилегающей части РѕРїРѕСЂРЅРѕРіРѕ элемента 18. Это можно СѓРґРѕР±РЅРѕ сделать СЃ помощью резьбового стержня 8 Рё зубчатой передачи 7, которые являются обычными Рё схематически показаны РЅР° чертеже. Установка катушки индукционного нагрева может осуществляться вручную или автоматически СЃ помощью подходящего зубчатого механизма, оснащенного устройством управления, которое автоматически вытягивает оправку 11 РёР· РєРѕСЂРїСѓСЃР° 1 СЃ заданной скоростью. РљРѕРіРґР° катушка 4 опускается, подаваемая Рє ней электрическая мощность контролируется. для подачи большего количества тепла Рє расплавленному маслу 17, чем необходимо для поддержания массы 17 110 РІ расплавленном состоянии. Это РїСЂРёРІРѕРґРёС‚ Рє плавлению верхней части РѕРїРѕСЂРЅРѕРіРѕ элемента 18, таким образом постоянно пополняя расплавленную массу 17. Однако важно отметить, что опорный элемент 18 расплавляется находясь РІ контакте СЃ расплавленной массой 17 полупроводникового материала, плавление которого строго контролируется путем изменения подаваемого тока Рё положения катушки индукционного нагрева 4. Это противоречит условию, РїСЂРё котором РѕРїРѕСЂР° 120, элемент 18, РїСЂРё отсутствии пазов, быть электромагнитно связан СЃ катушкой индукционного нагрева Рё будет неконтролируемо нагреваться. , , , 16 85 17 5 , 1 10 , 16 17 95 17 18 8 7 10 , 11 1 4 , 17 17 110 18 , 17 , , 18 115 17 4 120 18, , . Описанным СЃРїРѕСЃРѕР±РѕРј монокристаллический слиток 125 линии полупроводникового материала непрерывно извлекается РёР· расплавленной массы 17 полупроводникового материала, которая постоянно пополняется РёР· РѕРїРѕСЂРЅРѕРіРѕ элемента 18. , 125 17 18. Этот процесс продолжается РґРѕ тех РїРѕСЂ, РїРѕРєР° РѕРїРѕСЂР° 130, 838,770, элемент 18 РЅРµ исчерпается РґРѕ такой степени, что может произойти загрязнение РѕС‚ кварцевого приспособления 19. 130 838,770 18 19 . Поскольку полупроводниковый слиток 16 выращивается РёР· массы полупроводникового материала 17, который поддерживается твердым полупроводниковым опорным элементом 18, Рё Р·Р° счет левитации РѕС‚ электромагнитного поля, слиток РЅРµ загрязняется РїСЂРё контакте СЃ кварцевыми телами, содержащими кислород, Рё, следовательно, РЅРµ содержит какого-либо нежелательного кислорода. Рспытания РЅР° загрязнение кремниевых пластин, вырезанных РёР· кремниевого слитка, выращенного, как описано выше, Рё подвергнутых испытаниям РЅР° поглощение инфракрасного излучения РїСЂРё длине волны 9 РјРёРєСЂРѕРЅ, показывают, что РІ РЅРёС… нет обнаруживаемого присутствия кислорода, поскольку полупроводниковый слиток выращивается путем зародышеобразования РЅР° затравочном кристалле, имеющем диаметр что очень мало РїРѕ отношению Рє диаметру выращенного кристалла Рё РїРѕ отношению Рє массе расплавленного материала, СЃ которым РѕРЅ первоначально контактирует, плотность дислокаций внутри слитка очень мала. Так, например, РІ кристаллах, выращенных РїРѕ методу Р’ этом процессе РЅРµ обнаруживаются дислокации РЅР° значительной части кристалла, которая составляет более половины его центральной части. Обычные кристаллы, выращенные незагрязняющими методами, как, например, метод СЃ плавающей Р·РѕРЅРѕР№, СЃ РґСЂСѓРіРѕР№ стороны, содержат плотность дислокаций примерно РґРѕ 10 дислокаций РЅР° квадратный сантиметр. 16 17 18 9 , , , , , 10 . Бескислородные Рё бездислокационные полупроводниковые кристаллы, выращенные РІ соответствии СЃ настоящим изобретением, РјРѕРіСѓС‚ представлять СЃРѕР±РѕР№ РїРѕ существу собственный полупроводниковый материал высокой чистоты для использования РІ термочувствительных Рё фоточувствительных элементах или, СЃ РґСЂСѓРіРѕР№ стороны, РјРѕРіСѓС‚ содержать значительные количества значимых акцепторов или примеси-РґРѕРЅРѕСЂС‹-активаторы или Рё те, Рё РґСЂСѓРіРёРµ, Рё РёС… можно использовать РїСЂРё изготовлении асимметрично проводящих устройств, таких как выпрямители Рё транзисторы СЃ --переходом. Таким образом, например, РІ РґРёСЃРє 20 РјРѕРіСѓС‚ быть включены значительная примесь-РґРѕРЅРѕСЂ Рё значительная примесь-акцептор-активатор, так что РїСЂРё извлечении слитка 16 РёР· него формируется полупроводниковый слиток, имеющий РІ себе доминирующую Рё недоминирующую примеси, причем этот слиток РїРѕРґС…РѕРґРёС‚ РІ качестве РёСЃС…РѕРґРЅРѕРіРѕ материала для технологии локального плавления РїСЂРё производстве полупроводниковых устройств, например, как раскрыто РІ описании британского патента в„– 952,457. -, - - , , , 20 16 - 952,457. Альтернативно, слиток может быть использован РІ качестве источника РёСЃС…РѕРґРЅРѕРіРѕ материала для изготовления выпрямителей Рё транзисторов СЃ плавленым Рё диффузионным - переходом, как указано РІ описании британского патента в„– 727,900. Р’ РѕР±РѕРёС… этих случаях, если слиток желает обладать проводимостью -типа, Если, СЃ РґСЂСѓРіРѕР№ стороны, желательно, чтобы выращенный слиток обладал характеристиками проводимости -типа, значительная примесь активатора может содержать Р±РѕСЂ, алюминий, галлий, РёРЅРґРёР№ или РёС… смеси 70. , - 727,900 , - , 20 16 , , , - , , , 70 . Хотя изобретение было РїРѕРґСЂРѕР±РЅРѕ описано выше, следующий конкретный пример представлен для дальнейшего руководства специалистами РІ данной области техники. Этот конкретный пример является только иллюстративным Рё РЅРµ должен быть истолкован РІ ограничивающем смысле. , , . Пример: Монокристаллический цилиндрический стержень РёР· кремния длиной 1/8 РґСЋР№РјР° Рё диаметром 1/2 РґСЋР№РјР° разрезается РѕС‚ РѕРґРЅРѕРіРѕ конца РґРѕ 80 РІ пределах 1/16 РґСЋР№РјР° РѕС‚ оставшегося конца СЃ множеством продольных прорезей шириной примерно 0,030 РґСЋР№РјР°. Разделение площади поперечного сечения стержня РЅР° 600 секторов Затем РґРёСЃРє диаметром 1/2 РґСЋР№РјР° толщиной примерно 85 Рё толщиной 5/16 РґСЋР№РјР° затем монтируется РЅР° секторный опорный элемент Рё помещается внутри РѕРїРѕСЂРЅРѕРіРѕ приспособления, как показано РЅР° СЂРёСЃСѓРЅРєРµ 1 чертежа Рђ. Затравочный кристалл монокристаллического кремния -типа, имеющего удельное сопротивление более 50 РћРј, нарезают РЅР° иглу длиной примерно 1 РґСЋР№Рј Рё диаметром 0,020 РґСЋР№РјР° СЃ плоскостью (1,00), перпендикулярной продольной РѕСЃРё иглы 95. Этот затравочный кристалл вставляется РІ патрон РЅР° оправке для вытягивания кристалла, устройство закрывается Рё откачивается СЃ помощью вакуумного насоса РґРѕ давления 0,01 РјРёРєСЂРѕРЅР°. Затем внешняя часть вакуумного затвора 100 1 вблизи кремниевого РґРёСЃРєР° нагревается. ацетиленовой горелкой РґРѕ тех РїРѕСЂ, РїРѕРєР° кремниевый РґРёСЃРє РЅРµ нагреется РґРѕ температуры примерно 500°С, Рѕ чем свидетельствует тускло-красное свечение. Затем РЅР° катушку индукционного нагрева 4 подается электрическая мощность 105, достаточная для повышения температуры силиконового РґРёСЃРєР° примерно РґРѕ 1420°С, вызывая РѕРЅ плавится Рё образует глобулу, которая удерживается РЅР° месте поверх кремниевых опорных элементов СЃ прорезями Р·Р° счет поверхностного натяжения Рё левитации электромагнитного поля. Затем оправку опускают РґРѕ тех РїРѕСЂ, РїРѕРєР° затравочный кристалл РЅРµ вступит РІ контакт СЃ поверхностью расплавленного кремния Рё РЅРµ будет наблюдается плавление. Затем затравочный кристалл 115 извлекается РёР· расплава СЃ помощью аппарата СЃ механическим РїСЂРёРІРѕРґРѕРј, который извлекает кристалл СЃ постоянной скоростью примерно 5 РјРј РІ минуту. Этот процесс продолжается примерно 10 РјРёРЅСѓС‚, РІ течение которых 20 раз монокристаллический слиток кремния РёР· формы извлекали массой 3 грамма. Кристалл имел длину приблизительно 2-1/2 РґСЋР№РјР° Рё диаметр 3/16 РґСЋР№РјР°. : , 1 '/8 1/2 80 1/16th 0 030 - 600 1/2 85 5/16 1 - 90 50 0 020 ( 1,00) 95 0.01 100 1 500 ' 105 4 1420 ' 115 5 10 20 3 2-1/2 3/16 . Пластины, вырезанные РёР· центральной части этого кристалла 125, РЅРµ показали заметного содержания кислорода РїСЂРё поглощении инфракрасного излучения РЅР° длине волны 9 РјРёРєСЂРѕРЅ Рё РЅРµ обнаружили никаких обнаруживаемых дислокаций. 125 9 . Хотя изобретение было изложено выше РІ отношении некоторых вариантов осуществления 130, управление которыми осуществляется таким образом, чтобы обеспечить непрерывное пополнение глобулы Р·Р° счет плавления указанного второго тела. 130 . РЎРїРѕСЃРѕР± РїРѕ любому РёР· предшествующих пунктов, РІ котором упомянутый второй РєРѕСЂРїСѓСЃ содержит цилиндрический РєРѕСЂРїСѓСЃ, имеющий прорези вдоль плоскостей, содержащих его РѕСЃСЊ, для предотвращения РєСЂСѓРіРѕРІРѕР№ циркуляции вихревых токов. , 45 . 6 РЎРїРѕСЃРѕР± РїРѕ любому РёР· 50 предыдущих пунктов, РІ котором полупроводниковым материалом является кремний. 6 50 . 7 РЎРїРѕСЃРѕР± производства монокристалла полупроводникового материала РїРѕ существу такой же, как описан СЃРѕ ссылкой РЅР° прилагаемый чертеж компании 55. 7 55 . ( & ) Дипломированные патентные поверенные, РЎСѓРґ в„– , Чансери-лейн, Лондон, 2. ( & ,) , , , , 2. РџСЂРё РёС… использовании специалисты РІ данной области техники сразу же РїРѕР№РјСѓС‚ множество модификаций Рё изменений. , .
, ."> . . .
: 506
: 2024-04-12 21:16:57
: GB838770A-">
: :

838771-- = "/"; . , . . , . . , . , , . .



. :
:
УведомлениеЭтот перевод сделан компьютером. Невозможно гарантировать, что он является ясным, точным, полным, верным или отвечает конкретным целям. Важные решения, такие как относящиеся к коммерции или финансовые решения, не должны основываться на продукте машинного перевода.
РћРџРРЎРђРќРР• РЗОБРЕТЕНРРЇ GB838771A
[]
ПАТЕНТНАЯ СПЕЦРР¤РРљРђР¦РРЇ НЕТ ЧЕРТЕЖЕЙ 838,771 4 4 Дата подачи заявки Рё подачи полной спецификации: 18 июля 1956 Рі. 838,771 4 4 : 18, 1956. в„– 22230156. 22230156. Заявление подано РІ Рталии 20 июля 1955 РіРѕРґР°. 20, 1955. /' Полная спецификация Опубликовано: 22 РёСЋРЅСЏ 1960 Рі. /' : 22, 1960. Рндекс РїСЂРё приемке: Класс 2( 3), РЈ 4 (Рђ 2: Бл: Р’ 2: РЎ 4: РЎ 5: ). : 2 ( 3), 4 ( 2: : 2: 4: 5: ). Международная классификация: - 07 . :- 07 . ПОЛНАЯ СПЕЦРР¤РРљРђР¦РРЇ 4,5-СЌРїРѕРєСЃРё-3-кетостероидные соединения Рё РёС… получение РњС‹, , юридическое лицо, организованное Рё действующее РІ соответствии СЃ законодательством Рталии, РїРѕ адресу: , Милан, Рталия, 18, настоящим заявляем РѕР± изобретении, РІ отношении которого РјС‹ молимся, чтобы нам был выдан патент, Р° метод его реализации был РїРѕРґСЂРѕР±РЅРѕ описан РІ следующем заявлении: 4,5--3- , , , 18 , , , , , , , : - Настоящим изобретением предложены новые 4 ,5 или 4/3,5-СЌРїРѕРєСЃРё-3-кетостероидные соединения общей формулы: 4 ,5 4/3,5--3-- : () РіРґРµ представляет СЃРѕР±РѕР№ (), (() 3 () 3, () 20 , () 2 или () Рё 1 представляет СЃРѕР±РѕР№ () Рќ, (Рќ)РћРќ или Рћ. () (), (() 3 () 3, () 20 , () 2 , () 1 (), () . Эти новые соединения полезны РїСЂРё синтезе РґСЂСѓРіРёС… стероидов, замещенных РІ положении 4, что будет очевидно для специалистов РІ области, Рє которой относится данное изобретение. 4-, . Получение таких стероидов описано Рё заявлено РІ заявках в„– 40913/59 Рё 40915/59 (серийные в„– 838,772 Рё 838,773), которые отделены РѕС‚ настоящей заявки. Таким образом, РѕРЅРё особенно полезны РІ качестве исходных материалов для получения соединений общего назначения. формула: 40913/59 40915/59 ( 838,772 838,773) : () 0 РіРґРµ Рё имеют значения, определенные выше, Рё 1 ' представляет СЃРѕР±РѕР№ гидроксильную РіСЂСѓРїРїСѓ. Эти соединения РјРѕРіСѓС‚ быть получены путем взаимодействия 4,5-СЌРїРѕРєСЃРёРґРЅРѕРіРѕ соединения СЃ минеральной кислотой РІ присутствии СѓРєСЃСѓСЃРЅРѕР№ кислоты. Например, СЃ использованием концентрированной серной кислоты. РІ безводной СѓРєСЃСѓСЃРЅРѕР№ кислоте путем перегруппировки можно получить 4-РіРёРґСЂРѕРєСЃРё-3-кето-Рђ 4-стероид как таковой (то есть РІ енольной форме) или РІ таутомерной 4-кето форме (Р°-дикетон). Эти таутомерные формы соответственно представлены структурными формулами Рё . () 0 1 ' 4,5epoxy , 4--3-- 4- ( ) 4- (-) . РіРґРµ Рё 1 имеют такое же значение, как указано выше. РР· енольной формы 3-кето-4-ацилоксипроизводное формулы может быть получено реакцией СЃ ацилирующим агентом 3 6 , тогда как РёР· кето-формы может быть получено РїСЂРѕРёР·РІРѕРґРЅРѕРµ пиразина. быть приготовлен путем обработки Рѕ-диамином. 1 3--4acyloxy 3 6 -. Аналогично 4-галогенстероид общей формулы: 4- : () 0 , РіРґРµ '1 представляет СЃРѕР±РѕР№ атом галогена, может быть получен путем взаимодействия 4,5-СЌРїРѕРєСЃРёРґРЅРѕРіРѕ соединения СЃ хлористым РІРѕРґРѕСЂРѕРґРѕРј, фторидом или Р±СЂРѕРјРёРґРѕРј РІ присутствии СѓРєСЃСѓСЃРЅРѕР№ кислоты. () 0 '1 4,5- , . Р’ соответствии СЃ изобретением 4,5СЌРїРѕРєСЃРё-3-кетостероид можно получить путем взаимодействия соответствующего 3-кето-Рђ 4-стероида РІ растворе РІ органическом растворителе, предпочтительно смешивающемся СЃ РІРѕРґРѕР№ органическом растворителе, таком как метанол или этанол, СЃ РІРѕРґРѕСЂРѕРґРѕРј. перекись РІ щелочных условиях. 4,5epoxy-3- 3-- 4- , , . РџРѕ этой реакции получают Р°- Рё /3-эпимерные 4,5-СЌРїРѕРєСЃРёРґС‹, которые легко разделяются Рё очищаются кристаллизацией Рё хроматографией. Для получения 4-РіРёРґСЂРѕРєСЃРё3-кето-Рђ4-стероида используют либо форму Р°, либо форму j9, либо смесь РџСЂРёРіРѕРґРЅС‹ для использования 4,5-СЌРїРѕРєСЃРёРґС‹. /3- 4,5epoxides , 4-hydroxy3-- 4-, 9 4,5- . Эта перегруппировка, приводящая Рє образованию альфа-дикетона (или его енольной формы), РґРѕ СЃРёС… РїРѕСЂ была неизвестна РІ области стероидов. , - ( ), . Для получения 4-галоген-3-кето-Рђ-4-стероидов предпочтительно используют фи-формы 4,5-СЌРїРѕРєСЃРёРґРѕРІ. 4--3-- 4-, 4,5- . Следующие примеры даны для иллюстрации изобретения. Удельные вращательные силы, упомянутые РІ примерах, определяли РїСЂРё температуре около 20+40°С РІ 1% растворе хлороформа. Спектры ультрапоглощения снимали РІ 95% растворе этанола. 20 + 40 1 % 95 % . РџР РМЕР 1 1 4/3,5-СЌРїРѕРєСЃРё-прегнан-3,20-РґРёРѕРЅ Рё 4%,5-СЌРїРѕРєСЃРё-аллопрегнан-3,20-РґРёРѕРЅ. 4/3,5---3,20- 4 %,5epoxy--3,20-. Рљ 10 Рі прогестерона, растворенного РІ 660 РјР» метанола, выдержанного РїСЂРё 15В°, одновременно добавляют 20 РјР» 4 Рё 34 РјР» 34%- 202. После 22 часов хранения РїСЂРё полученный раствор подкисляют 22 РјР» СѓРєСЃСѓСЃРЅРѕР№ кислоты. выливают РІ 3 Р» РІРѕРґС‹, нагревают РґРѕ РЎ РІ течение 15 РјРёРЅ Рё оставляют РЅР° ночь РІ холодильнике. Осадок фильтруют, промывают РІРѕРґРѕР№, сушат Рё перекристаллизовывают РёР· 100 РјР» метанола. Получают 6 38 Рі 4 РҐ,5 СЌРїРѕРєСЃРё-прегнан-3, 20. -РґРёРѕРЅ, С‚. РїР». 134-135 = + 2240 + 4, поглощение ультрафиолета отсутствует между 220 Рё 300 РјР». 10 , 660 15 , 20 4 34 34 %- 202 22 22 , 3 1 , 15 , , 100 6 38 4 ,5epoxy--3, 20-, 134-135 = + 2240 + 4 , 220 300 . найдено %: РЎ 76 15; 9 09 для 25 , рассчитано: 76 32; 9 15 Рё 1 48 Рі 4 ,5-эпоксиаллопрегнан-3,20 55 РґРёРѕРЅ С‚.РїР». 175-176В°, -=+26+3, поглощение ультрафиолета отсутствует между 220 Рё 300 РјРёРЅ. %: 76 15; 9 09 25 , : 76 32; 9 15 1 48 4 ,5---3,20 55 175-176 , -= + 26 + 3 , 220 300 . найдено %: 76 20; 9 25 для 2, 3003 рассчитано: 76 32; 9 15 60 РџР РМЕР 2 %: 76 20; 9 25 2, 3003 : 76 32; 9 15 60 2 4 фл,5-СЌРїРѕРєСЃРё-этиохолан-17 С„-РѕР»-3-РѕРЅ Рё 4,5-СЌРїРѕРєСЃРё-андростан-17/3-РѕР»-3-РѕРЅ. Действуя как РІ примере 1, РёР· 9 Рі тестостерона получают 2 Рі 4 ,0,5-СЌРїРѕРєСЃРёРґ-65 этиохолан-17/3-РѕР»-3-РѕРЅ, С‚. РїР». 156-157 РЎ, лал,= + 145 Рћ + 40. 4 ,5---17 --3- 4.,5---17/3--3- 1, 9 2 4,0,5- 65 -17/3--3-, 156-157 , ,= + 145 + 40. найдено %: РЎ 74 86; 9 35 для :, 2 , рассчитано: 74 96; Рќ 9 27 Рё 2 8 Рі 4 СЃ,5-СЌРїРѕРєСЃРё-андростан-17/1-РѕР»-3-РѕРЅ, 70 С‚.РїР». 146-147 РЎ, -= +51 + 40 найдено %: РЎ 75 16; 9 28 для 1, 28 , рассчитано: 74 96; Рќ 9 27 РџР РМЕР 3 %: 74 86; 9 35 :, 2 , : 74 96; 9 27 2 8 4 ,5---17/--3-, 70 . 146-147 , -= + 51 + 40 %: 75 16; 9 28 1, 28 , : 74 96; 9 27 3 4/,5-СЌРїРѕРєСЃРё-прегнан-21-РѕР»-3,20-РґРёРѕРЅ Рё 75 4,5-СЌРїРѕРєСЃРё-аллопрегнан-21-РѕР»-3,20-РґРёРѕРЅ. Действуя как РІ примере 1, РёР· 5 Рі дезоксикортикостерона получают 1 68 Рі 4 ,5СЌРїРѕРєСЃРё-прегнан-21-РѕР»-3,20-РґРёРѕРЅ, С‚. РїР». 142 143 , = + 2160 + 4 , 80 найдено %: 72 57; 8 82 для 2, 3,, рассчитано: 72 80; Рќ 8 73 Рё 0 38 Рі 4;,5-СЌРїРѕРєСЃРё-аллопрегнан-21-РѕР»-3,20-РґРёРѕРЅ, С‚. РїР». 170-172 РЎ, - = +130 + 2 найдено %: РЎ 73 03; 8 77 85 для 21 30 рассчитано: 72 80; 8 73 Ацетаты РґРІСѓС… соединений плавятся РїСЂРё 170-172 Рё 225-228°С соответственно. 4/,5---21--3,20- 75 4,5---21--3,20- 1, 5 1 68 4 ,5epoxy--21--3,20-, 142 143 , = + 2160 + 4 , 80 %: 72 57; 8 82 2, 3,, : 72 80; 8 73 0 38 4;,5---21--3,20dione, 170-172 , - = + 130 + 2 %: 73 03; 8 77 85 21 30 : 72 80; 8 73 170-172 225-228 , . РџР РМЕР 4 4 41,,5-эпоксипрегнан-3,11,20-трион Рё 90 4С…,5-эпоксиаллопрегнан-3,11,20-трион. 41,,5---3,11,20- 90 4 ,5---3,11,20-. Действуя, как РІ примере 1, РёР· 2 15 Рі 11-кето-прогестерона получают 0 5 Рі 41 С„,5-СЌРїРѕРєСЃРё-прегнан 3,11,20 триона, С‚. РїР». 1, 2 15 11-- 0 5 41 ,5-- 3,11,20 , . 160-163, = +246 + 40 95 найдено,',: 73 45; 8 27 для 21 28 рассчитано: 73 22; 8 19 Рё 1 Рі 4 С†,5-эпоксиаллопрегнан-3,11,20 триона, С‚. РїР». 234-235 = +560 + 4 найдено %: 73 25; 8 24 100 для 21 28 рассчитано: 73 22; Рќ 8 19 РџР РМЕР 5 160-163, = + 246 + 40 95 ,',: 73 45; 8 27 21 28 : 73 22; 8 19 1 4 ,5---3,11,20trione, 234-235 = + 560 + 4 %: 73 25; 8 24 100 21 28 : 73 22; 8 19 5 4/1,5-СЌРїРѕРєСЃРё-прегнан-11-РѕР»-3,20-РґРёРѕРЅ. Действуя, как РІ примере 1, РёР· 5,7 Рі 11 Рё 9-РіРёРґСЂРѕРєСЃРё-прогестерона получают 3,15 Рі 105 4/3,5-СЌРїРѕРєСЃРё- прегнан-113-РѕР»-3,20-РґРёРѕРЅ, Рј.Рї. 4/1,5---11 --3,20- 1, 5 7 11 9-- 3 15 105 4/3,5---113--3,20-, . 153-1550 РЎ, = + 1860 + 40 найдено %: РЎ 72 87; 8 74 для 21 3,, рассчитано: 72 80; Рќ 8 73 РџР РМЕР 6 110 153-1550 , = + 1860 + 40 %: 72 87; 8 74 21 3,, : 72 80; 8 73 6 110 4/8,5-эпоксипрегнан-11/3-РѕР»-3,20-РґРёРѕРЅ Рё 4 С‚ 5-СЌРїРѕРєСЃРё-аллопрегнан 11/3-РѕР»-3,20-РґРёРѕРЅ 838,771 4 4 фл,5-СЌРїРѕРєСЃРё-этиохолан -17 С„-РѕР»-3-РѕРґРёРЅ. 4/8,5---11/3--3,20- 4 5-- 11/3--3,20- 838,771 4 4 ,5---17 --3-. 4 Р°,5-СЌРїРѕРєСЃРё-андростан-17,8-РѕР»-3-РѕРЅ. 4 ,5---17,8--3-. 6 49,5-эпоксипрегнан-21-РѕР»-3,20 РґРёРѕРЅ Рё его ацетат. 6 49,5---21--3,20 . 7 4 Р°,5-эпоксиаллопрегнан-21-РѕР»-3,20-РґРёРѕРЅ Рё его ацетат. 7 4 ,5 21 3,20- . 8 4,фи,5-эпоксипрегнан-3,11,20-трион. 8 4,,5---3,11,20-. 9 4 %,5-СЌРїРѕРєСЃРё-аллопрегнан-3,11,20-трион. 9 4 %,5---3,11,20-. 4 фл,5-СЌРїРѕРєСЃРё-прегнан-11Р° РѕР»-3,20-РґРёРѕРЅ. 4 ,5--- 1 -3,20-. 11 413,5-эпоксипрегнан-11,-РѕР»-3,20-РґРёРѕРЅ. 11 413,5---11,--3,20-. 12 4 Р°,5 эпоксидный аллопрегнан 1113 РѕР» 3,20-РґРёРѕРЅ. 12 4 ,5 1113 3,20-. 13 РЎРїРѕСЃРѕР± получения 4,5СЌРїРѕРєСЃРё-3-кетостероида общей формулы 13 4,5epoxy-3-
, ."> . . .
: 506
: 2024-04-12 21:16:57
: GB838771A-">
: :

838772-- = "/"; . , . . , . . , . , , . .



. :
:
УведомлениеЭтот перевод сделан компьютером. Невозможно гарантировать, что он является ясным, точным, полным, верным или отвечает конкретным целям. Важные решения, такие как относящиеся к коммерции или финансовые решения, не должны основываться на продукте машинного перевода.
РћРџРРЎРђРќРР• РЗОБРЕТЕНРРЇ GB838772A
[]
ПАТЕНТНАЯ СПЕЦРР¤РРљРђР¦РРЇ НЕТ ЧЕРТЕЖЕЙ 8389772 Дата подачи заявки Рё подачи полной спецификации: 18 июля 1956 Рі. 8389772 : 18, 1956. в„– 40913/59. 40913/59. Заявление подано РІ Рталии 20 июля 1955 РіРѕРґР°. 20, 1955. (Выделено РёР· в„– 838 771). ( 838,771). Полная спецификация опубликована: 22 РёСЋРЅСЏ 1960 Рі. : 22, 1960. Рндекс РїСЂРё приемке: -Класс 2(3), РЈ 3, РЈ 4 (Рђ 2:Р’ 1:Р’ 2:РЎ 4:РЎ 5:РҐ); Рё 81 ( 1), Р‘( 1 Рќ:РРЎ:2 Рќ: :- 2 ( 3), 3, 4 ( 2: 1: 2: 4: 5: ); 81 ( 1), ( 1 : : 2 : 25). 25). Международная классификация:- 61 07 . :- 61 07 . ПОЛНАЯ СПЕЦРР¤РРљРђР¦РРЇ 4-Замещенные стероидные соединения Рё РёС… получение. РњС‹, , корпоративная организация, учрежденная Рё действующая РІ соответствии СЃ законодательством Рталии, РїРѕ адресу: , Милан, Рталия, 18, настоящим заявляем РѕР± изобретении, РІ отношении которого РјС‹ молимся Рѕ том, чтобы патент был разрешен. быть предоставлены нам, Р° метод, СЃ помощью которого это должно быть выполнено, должен быть РїРѕРґСЂРѕР±РЅРѕ описан РІ следующем заявлении: - 4- , , , 18 , , , , , , : - Настоящее изобретение обеспечивает новые 4-замещенные стероидные соединения общей формулы: 4- : РіРґРµ представляет СЃРѕР±РѕР№ (), (), (), () 2 , () 2 3 или () 2 3, 1 представляет СЃРѕР±РѕР№ () , () или 0, Рё ' представляет СЃРѕР±РѕР№ или ацил. (), (),, (), () 2 , () 2 3 () 2 3, 1 (), () 0, ' . Эти новые 4-замещенные стероидные соединения, как определено выше, являются фармакологически активными веществами Рё полезны РІ синтезе РґСЂСѓРіРёС… стероидов, замещенных РІ 4-положении, что будет очевидно для специалистов РІ области, Рє которой относится настоящее изобретение. 4- 4-, . Р’ соответствии СЃ данным изобретением эти новые 25 4 гидроксизамещенные стероидные соединения, РІ которых ' представляет СЃРѕР±РѕР№ РћРќ, РјРѕРіСѓС‚ быть получены путем взаимодействия 4 Р°,5 или 4,/,5 СЌРїРѕРєСЃРё-3-кетостероида общей формулы: 25 4 ' 4 ,5 4,/,5 3 : Р  ,? ,? 1
? : - -, ; / 0, РіРґРµ Рё 1 имеют значения, определенные выше для минеральной кислоты, которая РЅРµ содержит галогена РІ присутствии СѓРєСЃСѓСЃРЅРѕР№ кислоты. Соединения общей формулы описаны Рё заявлены РІ одновременно рассматриваемых Заявка в„– 22230/56 (серийный в„– 838,771). Например, использование концентрированной серной кислоты РІ безводной СѓРєСЃСѓСЃРЅРѕР№ кислоте, 4-РіРёРґСЂРѕРєСЃРё-3-кето-Рђ4-стероида как такового (то есть РІ енольной форме) или РІ таутомерной 4-кето-форме (дикетон). РјРѕРіСѓС‚ быть получены перегруппировкой. Эти таутомерные формы соответственно представлены структурными формулами Рё . 0 , РіРґРµ Рё 1 имеют то же значение, что Рё полученные реакцией СЃ указанным выше ацилирующим средством. РР· енольной формы 3-кетоагента, тогда как РёР· кето-формы 4,8-ацилоксипроизводное формулы 1 может быть получено РїСЂРѕРёР·РІРѕРґРЅРѕРµ пиразина обработкой 50 ' Рѕ-диамином. ? : - -, ; / 0 1 22230/56 ( 838,771) , 4 3 4 ( ) 4 ( ) . 0 1 3 , 4,8 1 50 ' > -. Рзобретение также включает терапевтическую композицию, содержащую РїРѕ меньшей мере РѕРґРёРЅ 4-замещенный стероид РїРѕ изобретению Рё совместимый СЃ РЅРёРј терапевтически приемлемый носитель. 4- . Следующие примеры даны для иллюстрации изобретения. Удельные вращательные силы, упомянутые РІ примерах, определяли РїСЂРё температуре около 20+4°С РІ 1% растворе хлороформа. Спектры ультрафиолетового поглощения снимали РІ 951% растворе этанола. 20 + 4 1 % - 951 % . РџР РМЕР 1 1 Рђ 4 прегнен 4/3 РѕР» 3,20 РґРёРѕРЅ 0 5 Рі 4/3,5 эпоксидный прегнан 3,20 РґРёРѕРЅ растворяют РІ 3 РјР» СѓРєСЃСѓСЃРЅРѕР№ кислоты Рё обрабатывают 0 3 РјР» РєРѕРЅС† 2 4 РїСЂРё комнатной температуре РІ течение 16 часов. раствор выливают РІ ледяную РІРѕРґСѓ Рё экстрагируют бензолом. Экстракт промывают РІРѕРґРѕР№ Рё перегоняют. Перекристаллизацией РёР· метанола получают 26 Рі '4 прегнен 4 фл РѕР»3,20 РґРёРѕРЅР°, С‚. РїР». 233-235 РЎ, = 1910 + 40, Рђ. макс. 276 Рј.Рґ./, Рµ=12200, темно-зеленого цвета РїСЂРё обработке , найденный %: 76 19; 9 14 для 2,-,, рассчитано: 76 32; Р§ 9 15. 4 4/3 3,20 0 5 4/3,5 3,20 3 0 3 2 4 16 0 26 '4 4 ol3,20 , 233-235 , = 1910 + 40, 276 /, = 12,200, - ,, %: 76 19; 9 14 2,-,, : 76 32; 9 15. Дион Рђ 4 прегнен 4/3 РѕР» 3,20, обработанный уксусным ангидридом Рё РїРёСЂРёРґРёРЅРѕРј, дает 4-ацетат, имеющий С‚.РїР». 165-167°С, =+174, Рђ макс 245 Рј/, Рµ=15200, найдено % РЎ 74 39; 8 69 для 2, 3,20 рассчитано: 74 16; Привет 8 66. 4 4/3 3,20 4- 165-167 , = + 174 , 245 /, = 15,200 % 74 39; 8 69 2, 3,20 : 74 16; 8 66. Дион Рђ 4 прегнен 4/3 РѕР» 3,20 может реагировать Рё РІ форме 5-дикетона. Например, СЃ Рѕ-фенилендиамином получают РїСЂРѕРёР·РІРѕРґРЅРѕРµ хиноксалина, С‚. РїР». 268270 РЎ. 4 4/3 3,20 5- , , , 268270 . найдено %: РЎ 80 36; 8 68 для 27 3, 2 рассчитано: 80 55; Р§ 8 5. %: 80 36; 8 68 27 3, 2 : 80 55; 8 5. РџР РМЕР 2 2 Рђ 4 прегнен 4/3 РѕР» 3,20 РґРёРѕРЅ. Операцию РїСЂРѕРІРѕРґСЏС‚, как РІ примере 1, начиная СЃ 4 СЃ,5 эпоксиаллопрегнан 3,20 РґРёРѕРЅР°. 4 4/3 3,20 1, 4 ,5 3,20 . РџР РМЕР 3 3 4/3,17 фтдиол 3 РѕРЅ 17 ацетат 1 Рі 4/3,5 СЌРїРѕРєСЃРё этиохолан 17,6 РѕР» 3 РѕРЅ растворяют РІ СѓРєСЃСѓСЃРЅРѕР№ кислоте Рё обрабатывают концентрированной 2 , как описано РІ примере 1, экстрагируют бензолом; экстракт промывают щелочью, РІРѕРґРѕР№, сушат Рё перегоняют. Остаток перекристаллизовывают РёР· метанола Рё дают 300 РјРі Рђ' андростен 4/3,17 РґРёРѕР»3РѕРЅ 17 ацетат, С‚. РїР». 194-196 РЎ, = + 83 + 4 , максимум 277 май, = 12 100; найдено %: РЎ 72 3; 8 8 для 21 004 рассчитано: 72 8; Р§ 8 73. 4 4/3,17 3 one17- 1 4/3,5 17,6 ol3 2 , 1, ; , , 300 ' 4/3,17 diol3 17 , 194-196 , = + 83 + 4 , 277 , = 12,100; %: 72 3; 8 8 21 004 : 72 8; 8 73. Диацетат Рђ 4 андростена 4/,178 РґРёРѕР» 3 РѕРЅ получают ацетилированием моноацетата обычным СЃРїРѕСЃРѕР±РѕРј. РћРЅ имеет С‚.РїР». 4 4/,178 3 . 170-172 РЎ, = 105, 246 Рј-, = 15490; найдено %: РЎ 71 03; 8 25 для 23 320, рассчитано: 71 10; Р§ 8 30. 170-172 , = 105 , 246 -, = 15,490; %: 71 03; 8 25 23 320, : 71 10; 8 30. РџР РМЕР 4 4 Рђ 4 андростен 4 3,17/3РґРёРѕР» 3 РѕРЅ 17ацетат. Операцию РїСЂРѕРІРѕРґСЏС‚, как РІ примере 3, начиная СЃ 4С…,5 СЌРїРѕРєСЃРёРґРЅРѕРіРѕ андростан3,20 РґРёРѕРЅР°. 4 4 3,17/3diol 3 17acetate 3, 4 ,5 androstane3,20 . РџР РМЕР 5 5 Рђ 4 прегнен 4/3,21 РґРёРѕР» 3,20 РґРёРѕРЅ 21-ацетат 1,5 Рі 4/3,5 эпоксидная смола прегнан 21 РѕР» 3, РґРёРѕРЅ обрабатывают СѓРєСЃСѓСЃРЅРѕР№ кислотой Рё 2 , как описано РІ примере 1 0 8 Рі 'прегнен Получен 4/3,21 РґРёРѕР» 3,20 РґРёРѕРЅ 21 ацетат, С‚. РїР». 248-250 РЎ, =+177+40, Рђ 277 РјР», Рµ= 13700; найдено %/: РЎ 71 18; Рќ 8 31 для РЎ 23 Рќ,2 Рћ, рассчитано: РЎ 71 10, Рќ 8 30. 4 4/3,21 3,20 dione21- 1.5 4/3,5 21 3, 2 , 1 0 8 ' 4/3,21 3,20 21acetate , 248-250 , = + 177 + 40, 277 ", = 13,700; %/: 71 18; 8 31 23 ,2 , : 71 10; 8 30. Ацетилированием этого вещества обычным СЃРїРѕСЃРѕР±РѕРј получают Рђ 4 прегнен 4/Р ,21 РґРёРѕР» 3,20 РґРёРѕРЅ диацетат, С‚. РїР». 198-200°С, =+1740+4, = 246 , Рµ= 15190; найдено %,': РЎ 69 63; 7 95 для 2,1-1 , рассчитано: 69 74; Р§ 7 96. 4 4/,21 3,20dione , 198-200 , =+ 1740 + 4 , = 246 , = 15,190; %,': 69 63; 7 95 2,1-1 , : 69 74; 7 96. РџР РМЕР 6 6 Рђ 4-прегнен-48,21-РґРёРѕР»-3,20-РґРёРѕРЅ-21-ацетат. Операцию РїСЂРѕРІРѕРґСЏС‚, как РІ примере 5, начиная СЃ 4С…,5-СЌРїРѕРєСЃРёРґРЅРѕРіРѕ аллопрегнан-21 РѕР»-3,20-РґРёРѕРЅР°. 4 48,21 3,20 dione21- 5, 4 ,5 21 3,20 . РџР РМЕР 7 7 Рђ 4-прегнен-4/,21-РґРёРѕР» 3,20-РґРёРѕРЅ-21-ацетат. Операцию РїСЂРѕРІРѕРґСЏС‚, как РІ примере 5, РїСЂРё этом РёСЃС…РѕРґСЏС‚ РёР· смеси 4 + 8,5-СЌРїРѕРєСЃРёРґРё-прегнан-21 РѕР»-3,20-РґРёРѕРЅР° Рё 47,5-СЌРїРѕРєСЃРёРґРЅРѕРіРѕ аллопрегнана 21. РѕР» 3, Дион. 4 4/,21 3,20 dione21- 5, 4 + 8,5epoxy 21 3,20 47,5 21 3, .
, ."> . . .
: 506
: 2024-04-12 21:17:00
: GB838772A-">
: :

838773-- = "/"; . , . . , . . , . , , . .



. :
:
УведомлениеЭтот перевод сделан компьютером. Невозможно гарантировать, что он является ясным, точным, полным, верным или отвечает конкретным целям. Важные решения, такие как относящиеся к коммерции или финансовые решения, не должны основываться на продукте машинного перевода.
РћРџРРЎРђРќРР• РЗОБРЕТЕНРРЇ GB838773A
[]
ПАТЕНТНАЯ СПЕЦРР¤РРљРђР¦РРЇ НЕТ ЧЕРТЕЖЕЙ 838,773 "' ' > ''Дата подачи заявки Рё подачи полной спецификации: 18 июля 1956 Рі. 838,773 "' ' > '' : 18, 1956. в„– 40915/59. 40915/59. Заявление подано РІ Рталии 20 июля 1955 РіРѕРґР°. 20, 1955. (Выделено РёР· в„– 838 771). ( 838,771). Полная спецификация опубликована 22 РёСЋРЅСЏ 1960 Рі. : 22, 1960. Рндекс приемки: - Классы 2 (3), РЈ 2, РЈ 4 (Рђ 2:Р’ 1:Р’ 32:РЎ 4:РЎ 5:РҐ); Рё 81 ( 1), Р‘( 1 Рќ: РЎ:2 Рќ: :- 2 ( 3), 2, 4 ( 2: 1: 32: 4: 5:); 81 ( 1), ( 1 : :2 : Р—РЎ). ). Международная классификация:- 61 07 . :- 61 07 . ПОЛНАЯ СПЕЦРР¤РРљРђР¦РРЇ 4-замещенное стероидное соединение Рё его получение. РњС‹, , корпоративная организация, учрежденная Рё действующая РІ соответствии СЃ законодательством Рталии, РїРѕ адресу: , Милан, Рталия, 18, настоящим заявляем РѕР± изобретении, РІ отношении которого РјС‹ молимся Рѕ том, чтобы патент был разрешен. будет предоставлено нам, Р° метод, СЃ помощью которого это должно быть выполнено, должен быть РїРѕРґСЂРѕР±РЅРѕ описан РІ следующем заявлении: 4- & , , , 18 , , , , , , :- Настоящим изобретением предложены новые 4-замещенные стероидные соединения общей формулы Р°, РіРґРµ представляет СЃРѕР±РѕР№ (), () 3, (), () 2 , (), . , или () 3, 1 представляет СЃРѕР±РѕР№ (), () или 0, Рё 1 представляет СЃРѕР±РѕР№ атом Р±СЂРѕРјР° или фтора. 4- (), () 3, (), () 2 , (), , () 3, 1 (), (), 0, 1 . 11 представляет СЃРѕР±РѕР№ атом Р±СЂРѕРјР° или фтора. 11 . Эти новые 4-замещенные стероидные соединения являются фармакологически активными веществами Рё полезны РїСЂРё синтезе РґСЂСѓРіРёС… стероидов, замещенных РІ 4-положении, что будет очевидно для специалистов РІ области, Рє которой относится это изобретение. 4- 4-, . Р’ соответствии СЃ данным изобретением 4-замещенные стероиды общей формулы, приведенной выше, Р° также те, РІ которых 11 представляет СЃРѕР±РѕР№ атом хлора, РјРѕРіСѓС‚ быть получены путем взаимодействия 4/3,5-СЌРїРѕРєСЃРё-3-кетостероида общей формулы: 4- 11 4/3,5--3- : 3 6 , РіРґРµ Рё 1 имеют значения, определенные выше для хлористого РІРѕРґРѕСЂРѕРґР°, фторида или Р±СЂРѕРјРёРґР° РІ присутствии СѓРєСЃСѓСЃРЅРѕР№ кислоты. 3 6 1 , . 4/0,5-СЌРїРѕРєСЃРё-3-кетостероиды заявлены Рё описаны РІ одновременно находящейся РЅР° рассмотрении заявке в„– 4/0,5--3- . 22230/56 (заводской в„– 838771). 22230/56 ( 838,771). Рзобретение также включает терапевтические композиции, содержащие РїРѕ меньшей мере РѕРґРёРЅ 4-замещенный стероид РїРѕ изобретению или полученный СЃРїРѕСЃРѕР±РѕРј РїРѕ изобретению Рё совместимый СЃ РЅРёРј терапевтически приемлемый носитель. 4- . Следующие примеры даны для иллюстрации изобретения. Удельная вращательная сила, упомянутая РІ примерах, была определена РЅР° СѓСЂРѕРІРЅРµ около 20+40 РІ 1% растворе хлороформа. Спектры ультрафиолетового поглощения были сняты РІ 95% растворе этанола. 20 + 40 1 % - 95 %' . РџР РМЕР 1 1 4-хлор-Рђ 4-прегнен-3,20-РґРёРѕРЅ 0,5 Рі 4,Р’,5-эпоксипрегнан-3,20-РґРёРѕРЅР°, растворенный РІ 2,5 РјР» ледяной СѓРєСЃСѓСЃРЅРѕР№ кислоты, обрабатывают 0,5 Рі насыщенной СѓРєСЃСѓСЃРЅРѕР№ кислоты СЃ безводным 1 РїСЂРё комнатной температуре РІ течение 30 РјРёРЅ. Осадок фильтруют, промывают эфиром Рё сушат. Получают 0,4 Рі, С‚.РїР». 215-218°С. РџСЂРё перекристаллизации РёР· метанола температура плавления повышается РґРѕ 218220°С; Макс. 257 РјРђ, = 13 210. 4-- 4--3,20- 0.5 4,,5---3,20-, 2 5 , 0 5 1 30 , 0 4 , . 215-218 , 218220 ; 257 , = 13,210. найдено: %': РЎ 72 35; 8 4 для 2, 2900. рассчитано: 72 28; Рќ 8 35 РџР РМЕР 2. :%': 72 35; 8 4 2, 2900 : 72 28; 8 35 2. 4-Бром-Рђ 4-прегнен-3,20-РґРёРѕРЅ 0,5 Рі 4 С„,5-СЌРїРѕРєСЃРё-прегнан-3,20-РґРёРѕРЅР°, растворенный РІ 2,5 РјР» ледяной СѓРєСЃСѓСЃРЅРѕР№ кислоты, обрабатывают 0,5 РјР» СѓРєСЃСѓСЃРЅРѕР№ кислоты, насыщенной безводного РїСЂРё 15°С РІ течение 30 РјРёРЅ. Осадок фильтруют, промывают абсолютным спиртом Рё перекристаллизовывают РёР· ацетона. Получают 0,4 Рі, С‚.РїР». 165-167°С, Рђ макс. 4-- 4--3,20- 0.5 4 ,5---3,20-, 2 5 , 0 5 15 30 , 0 4 , 165-167 , . 262 ?, = 12500 найдено %: 64 42; 7 62 для 21 ,, 2 рассчитано: 64 11; Рќ 7 43 РџР РМЕР 3 262 ?, = 12,500 %: 64 42; 7 62 21 ,, 2 : 64 11; 7 43 3 4-Хлор-Рђ 4-прегнен-21-РѕР»-3,20-РґРёРѕРЅ. Начав СЃ 4-фл,5-СЌРїРѕРєСЃРё-прегнан-21РѕР»-3,20-РґРёРѕРЅР° Рё действуя, как РІ примере 1, 4-хлор-Рђ 4 Получают -прегнен-21-РѕР»-3,20-РґРёРѕРЅ, С‚.РїР». 186-188 РЎ, Рђ 256 Рј/С‚, Рµ = 13,890. 4-- 4--21--3,20- 4 ,5---21ol-3,20- 1, 4 - 4--21--3,20 , 186-188 , 256 /, = 13,890. найдено %: РЎ 69 20; 8 19 для 2, 2,, 1 рассчитано: 69 12; 8 01 РџР РМЕР 4 %: 69 20; 8 19 2, 2,, 1 : 69 12; 8 01 4 4-Бром-Рђ 4-прегнен-21-РѕР»-3,20-дионацетат. Операцию РїСЂРѕРІРѕРґСЏС‚, как РІ примере 2, начиная СЃ кристаллов 4,Р’,5-СЌРїРѕРєСЃРё-прегнан-21-РѕР»-3,20-дионацетата. получаются, Рј Рї. 4-- 4--21--3,20- 2, 4,,5---21--3,20dione- , . 178-180 РЎ; Рђ макс 261 Рј/РіРѕРґ, Рµ = 12270 найдено %: РЎ 61 84; 7 1 для 2,, 4 рассчитано: 61 19; 6 92 РџР РМЕР 5 178-180 ; 261 /, = 12,270 %: 61 84; 7 1 2,, 4 : 61 19; 6 92 5 4-Хлор-Рђ 4-андростен-17 С„/-РѕР»-3-РѕРЅ. Работу РїСЂРѕРІРѕРґСЏС‚, как РІ примере 1, начиная СЃ 4 Р’,5-СЌРїРѕРєСЃРё-этиохолан-17 С„/-РѕР»-3-РѕРЅР°. Получают кристаллы, С‚. РїР». 185188. , 256 Рј/РіРѕРґ, = 13160 найдено %: 71 04; 8 55 для 1 2,0; рассчитано: 70 89; Рќ 8 43 РџР РМЕР 6 4-- 4--17 /--3- 1, 4 ,5---17 -ol3- , 185188 , 256 /, = 13,160 %: 71 04; 8 55 1 2,0; : 70 89; 8 43 6 4-Бром-Рђ 4-андростен-17 Рї 3-РѕР»-3-РѕРЅ-ацетат. Работу РїСЂРѕРІРѕРґСЏС‚, как РІ примере 2, начиная СЃ 48,5-СЌРїРѕРєСЃРё-этиохолан-17/-РѕР»3-РѕРЅР° Рё ацетилируя РїСЂРѕРґСѓРєС‚ реакции. обычным СЃРїРѕСЃРѕР±РѕРј. 4-- 4--17 3--3-- 2, 48,5---17/-ol3- . Получены кристаллы, С‚.РїР». 163-165 РЎ, Рђ 255 РњРЇ, Рµ= 10,130 найдено % РЎ 61 66; 7 18 для 2 2, рассчитано: 61 61; Р§ 7 14 , 163-165 , 255 , = 10,130 % 61 66; 7 18 2 2, : 61 61; 7 14
, ."> . . .
: 506
: 2024-04-12 21:17:00
: GB838773A-">
: :

838774-- = "/"; . , . . , . . , . , , . .



. :
:
УведомлениеЭтот перевод сделан компьютером. Невозможно гарантировать, что он является ясным, точным, полным, верным или отвечает конкретным целям. Важные решения, такие как относящиеся к коммерции или финансовые решения, не должны основываться на продукте машинного перевода.
РћРџРРЎРђРќРР• РЗОБРЕТЕНРРЇ GB838774A
[]
ПАТЕНТНЫЕ СПЕЦРР¤РРљРђР¦РР РџР РЛОЖЕННЫЕ ЧЕРТЕЖРРзобретатели: ДЕНРРЎ РЎРДНЕЙ РџРђРќРСЕТТ Рё ДЖОРДЖ ЭДВАРД БРЭНДОН 835 : 835 Дата подачи Полной спецификации 23 апреля 1956 Рі. 23, 1956. Дата заявки 23 апреля 1955 Рі. в„– 11791 15 С‚. Полная спецификация опубликована 22 РёСЋРЅСЏ 1960 Рі. 23, 1955 11791 15 22, 1960. Рндекс РїСЂРё приемке: -Класс 39( 3), ( 1 : 2 4 2). : - 39 ( 3), ( 1 : 2 4 2). Международная классификация: - 05 . : - 05 . ПОЛНАЯ СПЕЦРР¤РРљРђР¦РРЇ Усовершенствования, относящиеся Рє электронагреваемым кухонным приборам РњС‹, , британская компания РёР· Бродвелла, Олдбери, графство Вустер, настоящим заявляем РѕР± изобретении, РЅР° которое РјС‹ молимся, чтобы нам был выдан патент, Рё метод, СЃ помощью которого это должно быть выполнено, должен быть РїРѕРґСЂРѕР±РЅРѕ описан РІ следующем заявлении: ' , , , , , , , , , : - Настоящее изобретение относится Рє приборам для приготовления пищи СЃ электрическим подогревом (далее обозначаемым как устройства указанного типа), предназначенным для использования РІ операциях приготовления пищи, таких как поджаривание или приготовление РЅР° гриле, включающих излучение тепла РІРЅРёР· РЅР° приготавливаемое вещество, РїСЂРё этом такое лучистое тепло подается РѕС‚ электрически нагревательный элемент СЃ открытой проволокой РїРѕРґ напряжением, расположенный РІ форме решетки, занимающей обычно пластинчатую Р·РѕРЅСѓ, обычно, РЅРѕ РЅРµ РїРѕ существу, плоской формы, причем такая Р·РѕРЅР° отделена РѕС‚ пространства или камеры для приготовления пищи проницаемым для лучистого тепла защитным элементом, который предотвращает попадание вещества нагреваться или СЂСѓРєР° или другая часть тела пользователя РЅРµ должна вступать РІ физический контакт СЃ нагревательным элементом. ( ) - - , ' . РџСЂРёР±РѕСЂС‹ указанного типа РґРѕ СЃРёС… РїРѕСЂ имели нагревательный элемент, поддерживаемый различными способами. Обычно предусмотрен пластинчатый элемент РёР· огнеупорного керамического материала, нижняя сторона которого образована множеством ребер СЃ отверстиями для приема участков нагревательного элемента. Р’ РґСЂСѓРіРѕР№ конструкции предусмотрено множество параллельных полос огнеупорного керамического материала, которые имеют аналогичные отверстия Рё которые сами поддерживаются металлическим каркасом или металлическими элементами РЅР° СЃРІРѕРёС… концах. Р’ еще РѕРґРЅРѕР№ конструкции литая металлическая пластина снабжена РЅР° своей нижней стороне ребрами, которые СЃ прорезями для размещения проушин РёР· огнеупорного керамического материала, через которые РїСЂРѕС…РѕРґСЏС‚ трассы нагревательного элемента. - . Р’СЃРµ эти известные конструкции имеют определенные недостатки. РћРґРёРЅ РёР· РЅРёС… заключается РІ том, что ребра 3 6 РёР· металла или керамического материала или полоски РёР· последнего материала РІ силу своего физического размера имеют тенденцию РІ некоторой степени препятствовать передаче лучистого излучения. тепло РѕС‚ нагревательного элемента Рє приготавливаемому веществу (которое обычно поддерживается РІ плоскости, параллельной Р·РѕРЅРµ, занимаемой нагревательным элементом, РЅРѕ РЅР° расстоянии РѕС‚ нее), так что тени ложатся РЅР° определенные Р·РѕРЅС‹ этого вещества, РІ результате чего РѕРЅРё РЅРµ достаточно приготовлено, РєРѕРіРґР° РґСЂСѓРіРёРµ Р·РѕРЅС‹ (РЅРµ заштрихованные) достаточно приготовлены. 3 6 , , ( ), ( ) . РљСЂРѕРјРµ того, теплоемкость ребер огнеупорной плиты или полос РґРѕ СЃРёС… РїРѕСЂ была достаточно велика, чтобы привести Рє значительному снижению температуры нагревательного элемента РІ непосредственной близости РѕС‚ места его контакта СЃ такими ребрами или полосами, так что эффективность приготовления пищи РІ РїСЂРёР±РѕСЂРµ существенно ухудшается РІ начальный период использования РґРѕ того, как эти ребра или полоски достигнут температуры, равной или приблизительно равной температуре нагревательного элемента. , . Еще РѕРґРЅРёРј недостатком известных конструкций является то, что ребра или полосы, расположенные РІ обычном параллельном отношении РґСЂСѓРі Рє РґСЂСѓРіСѓ, РЅРµ РјРѕРіСѓС‚ быть легко адаптированы для обеспечения надлежащей поддержки нагревательного элемента, РєРѕРіРґР° его участки расположены РІ сложной схеме внутри Р·РѕРЅС‹, которую РѕРЅ занимает. обеспечить неравномерную удельную электрическую нагрузку РІ такой Р·РѕРЅРµ (что РІ некоторых приборах РјС‹ сочли выгодным), РІ то время как изготовление опорных элементов, представляющих СЃРѕР±РѕР№ сами ребра или полосы, расположенные РїРѕ схемам, специально приспособленным для определенных схем движения нагревательных элементов, является неэкономичным Рё негибкость изменений РІ соответствии СЃ различными размерами, номинальной мощностью Рё эксплуатационными характеристиками устройства, которое может потребоваться изготовить для удовлетворения различных требований пользователей. - ( ), , , . РћРґРЅРѕР№ РёР· целей изобретения является создание 39774 5. 3,9774 5. новая или улучшенная конструкция, которая позволяет избежать или уменьшить РѕРґРёРЅ или несколько РёР· вышеописанных недостатков. . Р’ соответствии СЃ изобретением РјС‹ предлагаем РїСЂРёР±РѕСЂ указанного типа, РІ котором электрический нагревательный элемент поддерживается РЅР° первичном РѕРїРѕСЂРЅРѕРј элементе, ограничивающем РІ общем горизонтальной плоскости Р·РѕРЅСѓ, РІ которой находится нагревательный элемент, СЃ помощью множества вторичных опорных элементов РёР· огнеупорного Рё огнеупорного материала. электроизоляционный материал, распределенный вдоль ветвей нагревательного элемента таким образом, чтобы между любыми РґРІСѓРјСЏ соседними вторичными опорными элементами, как РЅР° РѕРґРЅРѕР№, так Рё РІ соседних ветках, существовало СЃРІРѕР±РѕРґРЅРѕРµ пространство, причем эти вторичные опорные элементы несут нагревательный элемент Рё прикреплены Рє первичной РѕРїРѕСЂРµ. элемент, причем каждый РёР· вторичных опорных элементов имеет настолько малый размер, что степень затенения, обеспечиваемая таким образом, позволяет избежать значительного ухудшения характеристик лучистого нагрева нагревательного элемента, Р° Р·РѕРЅР°, РІ которой находится нагревательный элемент, РІ остальном РЅРµ перегорожена ребрами или перегородками, проходящими РІ поперечном направлении. такой Р·РѕРЅС‹, которая будет поглощать тепло Рё создавать затенение. , , , , , . РљСЂРѕРјРµ того, согласно изобретению РјС‹ предлагаем РїСЂРёР±РѕСЂ указанного типа, содержащий РєР