патенты / 21703

828016-- = "/"; . , . . , . . , . , , . .



. :
:
УведомлениеЭтот перевод сделан компьютером. Невозможно гарантировать, что он является ясным, точным, полным, верным или отвечает конкретным целям. Важные решения, такие как относящиеся к коммерции или финансовые решения, не должны основываться на продукте машинного перевода.
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ GB828016A
[]
ПАТЕНТНАЯ СПЕЦИФИКАЦИЯ ПРИЛОЖЕННЫЕ ЧЕРТЕЖИ Изобретатель: СТЭНЛИ РАЛЬФ ТАЙЛЕР 828 016 Дата подачи заявки Полная спецификация: 22 мая 1958 г. : 828,016 : 22, 1958. Дата подачи заявления: 22 мая 1957 г. : 22, 1957. № 16295/57. 16295/57. Полная спецификация опубликована: 10 февраля 1960 г. : Feb10, 1960. Индекс при приемке: -Класс 102(1), А( 1 А 1 А: 1 Б 7: 2 А 6: 3 Г 4 Б 1). :- 102 ( 1), ( 1 1 : 1 7: 2 6: 3 4 1). Международная классификация - 5 . - 5 . ПОЛНАЯ СПЕЦИФИКАЦИЯ Усовершенствования в устройствах топливных насосов Мы, , британская компания из Арл-Корт, Челтнем, графство Глостер, настоящим заявляем об изобретении, на которое мы молимся, чтобы нам был выдан патент, и о методе. каким образом это должно быть выполнено, должно быть конкретно описано в следующем заявлении: , , , , , , , , , : - Настоящее изобретение относится к устройствам топливных насосов, предназначенным, в частности, для использования с авиационными двигателями. Целью изобретения является создание устройства с двойным топливным насосом для уменьшения возможности отказа насоса и единого управления, которое обычно действует на оба насоса, но которое при выходе из строя любой насос может одинаково хорошо воздействовать на исправный насос. , . В соответствии с настоящим изобретением система топливного насоса содержит пару насосов регулируемой подачи, выпуски которых соединены вместе, рычаг, шарнирно соединяющий органы управления рабочим объемом двух насосов, точку опоры для рычага в положении между его соединениями с рабочим объемом. средства управления и выполнены с возможностью перемещения при приложении заданной силы, а также средство управления для насосов, которое поворачивает рычаг под углом вокруг этой точки опоры для одновременного увеличения или уменьшения производительности насоса, при этом, если один элемент управления производительностью фиксируется, то перемещение рычага с помощью средства управления приведет к перемещению точки опоры, так что другой регулятор рабочего объема можно будет переместить для получения желаемого изменения расхода топлива. В случае, если один насос выйдет из строя и регулятор рабочего объема не зафиксирован в своем положении, тогда сработают средства управления. для управления подачей топлива путем перемещения регулятора производительности оставшегося насоса точка опоры рычага остается фиксированной. Предпочтительно, чтобы отдельные выходы каждого насоса перед соединением проходили через обратные клапаны, чтобы предотвратить прохождение производительности одного насоса через другой насос, если последний отключен. Кроме того, предпочтительно, чтобы механический привод каждого насоса был хрупким, чтобы в случае блокировки насоса привод сломался. , , , , - , 6 . Один пример изобретения будет описан со ссылкой на прилагаемый схематический рисунок 50. В этом варианте осуществления изобретения пара топливных насосов регулируемого рабочего объема 1 и 2 предусмотрена рядом, оба приводятся в движение через отдельные валы, каждый из которых включает в себя срезную шейку. который сломается при приложении 55 чрезмерного крутящего момента. Каждый насос относится к типу радиально вращающегося блока цилиндров, который включает в себя направляющее кольцо соответственно 3 и 4 с переменным эксцентриситетом, расположенное вокруг блока цилиндров соответственно 5 и 6 и зацепленное тапками 60 соответственно 7 и 8, которые поршни совершают возвратно-поступательное движение внутри цилиндров в блоках цилиндров. 50 1 2 55 3 4 5 6 60 7 8 . Каждое направляющее кольцо установлено с возможностью поворота во внешнем положении соответственно 9 и 11, так что изменение эксцентриситета достигается за счет поворотного 65 перемещения направляющего кольца. В положении на каждом направляющем кольце, диаметрально противоположном шарниру, выдвигается элемент 12 и 13 с шаровым концом соответственно. Рычаг 14 проходит между этими шаровыми элементами и зацепляется с ними посредством 70 раздвоенных концов 15 и 16. Центр рычага 14 расположен на шарнире 17, который находится в раздвоенном конце 18 стержня 19. 9 11 65 - 12 13 14 70 15 16 14 17 18 19. Стержень 19 установлен с возможностью скольжения в корпусе 21 и проходит в направлении, по существу, на 75° перпендикулярно среднему положению рычага 14. Удаленный конец этого стержня включает в себя головку 22, которая с каждой стороны сцеплена с пластинчатыми пружинами 23, каждая из которых натянута до заданной нагрузки и расположены упорами 24 при нормальном положении 8 С стержня, так что стержень может смещаться в осевом направлении в ту или иную сторону только за счет приложения силы, превышающей натяжение той или иной створки. пружины 23 85 Для углового перемещения рычага предусмотрен удлинитель 25 от центра, причем этот удлинение находится в направлении, в целом перпендикулярном самому рычагу. Удаленный конец этого удлинителя 25 соединен через 90 поворотное звено 26 с сервопоршнем 27. так что перемещение последнего приведет к угловому перемещению рычага 14. Сервопоршень имеет двойное действие и управляется золотниковым клапаном обычного типа 28. Альтернативно, он может управляться с одной стороны давлением, регулируемым сервовентилятором. так что увеличение давления переместит кольца гусеницы в один предел перемещения, при этом предусмотрена возвратная пружина для перемещения рычага, сервопоршня и кольца гусеницы к другому пределу перемещения. Дополнительной альтернативой является организация управления с помощью дифференциальной зоны. сервопоршень, управляемый обычным образом с помощью сервовентилятора. 19 21 75 14 22 23 24 8 , 23 85 25 , 25 90 26 27 14 - 28 , , , . Описанное выше насосное устройство предназначено в первую очередь для использования с авиационной газовой турбиной. Во время работы оба насоса 1 и 2 обычно подают свою продукцию в общий проход через обратные клапаны. , 1 2 - . Каждый насос будет подавать топливо практически с одинаковой скоростью, причем эта скорость контролируется угловым положением рычага 14, регулируемым сервопоршнем 27. В случае, если один насос заклинит, приводной вал сломается, и будет обнаружено, что гусеница кольцо остается зафиксированным в положении. Перемещение сервопоршня 27 для изменения производительности насоса вызовет поворотное движение рычага вокруг шарового шарнира 12 или 13 неподвижного направляющего кольца, при этом стержень 19, несущий точку опоры рычага, перемещается в осевом направлении против нагрузки на пластинчатые рессоры 23, чтобы опорное кольцо рабочего насоса можно было регулировать перемещением сервопоршня 27 для получения желаемой мощности. В случае, когда один насос не может подавать топливо, но в то же время не остается зажатым и не блокируется. его направляющее кольцо находится в нужном положении, тогда регулировка подачи топлива будет происходить путем нормального углового перемещения рычага вокруг его точки опоры, при этом исправный насос подает всю мощность. Следует понимать, что нагрузка на листовые пружины, обеспечивающие расположение точки опоры рычага, такова, что он выдержит такую разницу в реакциях двух направляющих колец, и в этом случае точка опоры останется фиксированной. , 14 27 27 12 13 , 19 23 27 , . Обратный клапан на выходе неисправного насоса в этом случае будет препятствовать прохождению через него топлива под давлением. - . Хотя изобретение было описано применительно к насосам с регулируемым ходом радиального цилиндра, следует понимать, что оно в равной степени применимо и к другим типам насосов с регулируемым ходом, например, к насосам с наклонной пластиной. , .
, ."> . . .
: 506
: 2024-04-12 16:58:40
: GB828016A-">
: :

828018-- = "/"; . , . . , . . , . , , . .



. :
:
УведомлениеЭтот перевод сделан компьютером. Невозможно гарантировать, что он является ясным, точным, полным, верным или отвечает конкретным целям. Важные решения, такие как относящиеся к коммерции или финансовые решения, не должны основываться на продукте машинного перевода.
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ GB828018A
[]
ПАТЕНТНАЯ СПЕЦИФИКАЦИЯ ПРИЛОЖЕННЫЕ ЧЕРТЕЖИ Изобретатель: ДЭНИЭЛ ГРИР МАКНЭР 828 018 Дата подачи Полная спецификация: 22 мая 1958 г. : 828,018 : 22, 1958. Дата подачи заявки: 4 июня 1957 г. : 4, 1957. № 17721157. 17721157. Полная спецификация опубликована: 10 февраля 1960 г. : 10, 1960. Индекс при приеме: - Класс 83 (3), З 2; и 83(4), О 1 Б( 5:6:9), 02 (Д:Е 2:Е 3 А:Е 3 Х). :- 83 ( 3), 2; 83 ( 4), 1 ( 5: 6: 9), 02 (: 2: 3 : 3 ). Международная классификация:- 23 . :- 23 . ПОЛНАЯ СПЕЦИФИКАЦИЯ Механическое приводное устройство с рычажным приводом; «Машина Мы, & , британская компания, расположенная по адресу 583, , , , , настоящим заявляем об изобретении, на которое мы молимся, чтобы нам был выдан патент, а также о методе, с помощью которого оно должно быть выполнено и конкретно описано в следующем утверждении: ' '-; ' , & , 583, , , , , , , :- Настоящее изобретение относится к механическому приводному механизму для машин с рычажным приводом, который был специально разработан для применения механического привода к ручному гидравлическому тросу или электрическому резаку для кабеля типа, описанного в спецификации № - . 585,244. 585,244. Резак, описанный в этом описании, имеет корпус, содержащий гидравлический приводной механизм, приводимый в действие ручным рычагом, который шарнирно прикреплен к одному концу корпуса так, что его можно приводить в действие путем качания его вверх и вниз между опущенными положениями, в которых он выдвигается приблизительно горизонтально над телом и/или поднятое положение, в котором оно находится, наклонено вверх под углом около 450 и более к горизонту. , 450 . Хотя этот резак имеет множество применений в качестве машины с чисто ручным управлением, иногда желательна работа от двигателя, и поэтому существует потребность в некоторых средствах, с помощью которых машина может при необходимости приводиться в механический привод. - , . Согласно настоящему изобретению, чтобы удовлетворить эту потребность, предусмотрен приводной механизм, который имеет основание, на котором может быть установлен корпус рычажной машины, и электрический приводной двигатель, предназначенный для передачи мощности через понижающую передачу и кривошип и шатун или эквивалентный механизм с возвратно-поступательным элементом, установленным с возможностью скольжения вверх и вниз относительно корпуса машины и имеющим скользящее зацепление с рабочим рычагом машины. , , - , , . Изобретение будет полностью понято из следующего более подробного описания одной из форм изобретения со ссылкой на прилагаемые чертежи, на которых: Фиг. 1 представляет собой вид в перспективе полного приводного механизма, имеющего рычажную машину. смонтирован в нем и на рис. 2 представлен фрагментарный разрез части механизма, изображенного на рис. 1. , : 1 - 3 6 2 1. Как показано на чертеже, приводной механизм содержит электродвигатель 1, оснащенный понижающей передачей 2, установленный непосредственно на платформе 3, прикрепленной к основанию 4 стойками 5, предназначенными для поддержки платформы 3 непосредственно над рычажной машиной 6, когда последний прикреплен к основанию. Показанная на чертеже машина 6 представляет собой переносной ручной инструмент для резки кабелей или других элементов. Она имеет матрицу 7 и защелку матрицы 8 для фиксации разрезаемого кабеля и приводной нож 9. с помощью гидравлического плунжера, все как описано в описании предшествующего патента, упомянутого выше, при этом гидравлический механизм устроен так, чтобы приводить в действие посредством возвратно-поступательного ручного рабочего рычага 10, движение которого представляет собой качательное движение вокруг точки опоры 11. 1 2 3 4 5 3 - 6 6 7 8 9 , 10 11. Редуктор 2 имеет горизонтальный выходной вал 12, который расположен непосредственно над рабочим рычагом 10 машины 6 и его ось находится в той же вертикальной плоскости, что и ось рабочего рычага. Выходной вал несет кривошипную шейку 13, которая соединен посредством поворотного шатуна 14 с возвратно-поступательным элементом 15, установленным с возможностью скольжения вверх и вниз между моторной платформой 3 и корпусом рычажной машины 6. 2 12 10 6 - 13 14 15 3 - 6. Предпочтительно, чтобы возвратно-поступательный элемент направлялся по предусмотренным для него направляющим 16 в двух стойках 5, стоящих на противоположных сторонах пространства, предусмотренного для рычажной машины. Поворотный соединительный элемент 17 (рис. 2), установленный на поперечных горизонтальных подшипниках в возвратно-поступательный элемент 15 предусмотрен для соединения возвратно-поступательного элемента с рабочим рычагом 10 машины 6 посредством скользящего зацепления рычага в поперечном отверстии 18, предусмотренном для него во вращающемся элементе 17. , 16 5 - 17 ( 2) 15 10 6 - 18 17. Конструкция такова, что рабочий рычаг 10 рычажной машины 6 можно протолкнуть через поперечное отверстие 18 в соединительном элементе, когда машина 6 скользит в положение ''3( -1 101 на основании 4 Приводной механизм Затем машина крепится к основанию 4 болтами или другими креплениями. 10 - 6 - 18 6 ''3( -1 101 4 4 . При работе соединительный элемент 17 вращается в своем подшипнике, чтобы компенсировать угловое перемещение рабочего рычага 10, когда он перемещается вверх и вниз под действием момента возвратно-поступательного элемента 15. Скользящее движение рычага 10 относительно возвратно-поступательного элемента. 15, также необходимо компенсировать угловое перемещение, и это обеспечивается за счет скользящего движения рычага 10 в отверстии 18 соединительного элемента. , 17 10 15 10 15 , 10 18 . Таким образом, приводной механизм позволяет легко преобразовать машину с ручным управлением в машину с механическим приводом, в которой рычаг ручного управления становится частью механизма с механическим приводом. - - - .
, ."> . . .
: 506
: 2024-04-12 16:58:43
: GB828018A-">
: :

828019-- = "/"; . , . . , . . , . , , . .



. :
:
УведомлениеЭтот перевод сделан компьютером. Невозможно гарантировать, что он является ясным, точным, полным, верным или отвечает конкретным целям. Важные решения, такие как относящиеся к коммерции или финансовые решения, не должны основываться на продукте машинного перевода.
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ GB828019A
[]
ПАТЕНТНАЯ СПЕЦИФИКАЦИЯ ПРИЛОЖЕННЫЕ ЧЕРТЕЖИ Изобретатель: СИДНИ УИЛЬЯМ СТАЙЛЗ Дата подачи заявки Полная спецификация: 1 июля 1958 г. : : , 1958. Дата подачи заявки: 4 июля 1957 г. : 4, 1957. 828019 № 21133157. 828019 21133157. Полная спецификация опубликована: 10 февраля 1960 г. : 10, 1960. Индекс при приемке: - Класс 40 (3), 5 . Международный класс: - 04 . :- 40 ( 3), 5 . :- 04 . ПОЛНАЯ СПЕЦИФИКАЦИЯ Улучшения в телевизионных шкафах или в отношении них Мы, , британское общество, зарегистрированное в соответствии с положениями Закона о промышленных и сберегательных обществах 1893–1928 годов по адресу: 1, , , 4, графство Ланкастер. Настоящим заявляем, что изобретение, на которое мы молимся, чтобы нам был выдан патент, и метод, с помощью которого оно должно быть реализовано, будут подробно описаны в следующем заявлении: , - , , 1893-1928, 1, , , 4, , , , : - Настоящее изобретение касается шкафов телевизионных приемников. . Известно, что если телевизионный приемник не установлен в правильном положении относительно источника света, такого как окно или электрический свет, на экране появляется нежелательное изображение источника света. Формирование такого изображения часто делает его очень зрителю или зрителям трудно ясно увидеть изображение. Известно, что изображение может быть видно только некоторым зрителям, и будет очевидно, что перемещение телевизионного приемника в такое положение в комнате, где такое изображение не формируется, может быть не удобным. . Целью настоящего изобретения является создание усовершенствованного корпуса телевизионного приемника, снабженного экранирующим устройством, приспособленным для отсекания нежелательных источников света от экрана, тем самым предотвращая образование нежелательного изображения или изображений, в то же время обеспечивая широкий охват. Угол обзора, который должен быть предоставлен зрителям. , , . Согласно настоящему изобретению шкаф телевизионного приемника содержит пару дверей, по одной с каждой стороны экрана, и колпак, приспособленный для размещения в подходящем отверстии над экраном, при этом между колпаком и дверью или дверями имеется подходящее соединение. при этом, когда они открываются или закрываются, капот соответственно выдвигается или убирается. , , . Предпочтительно капот состоит из трех частей, две из которых непосредственно соединены с каждой дверью, а третья переносится в направляющей. вызвать перемещение указанной третьей части вместе с движением двери. 3 6 , . Изобретение будет описано далее в качестве примера со ссылкой на прилагаемые чертежи, на которых: фиг. 1 представляет собой вид в перспективе корпуса телевизионного приемника, выполненного в соответствии с изобретением; фиг. 2 представляет собой частичный вид сверху в разрезе фиг. , , : 1 , 2 . 1
и фиг. 3 представляет собой вид сверху в частичном разрезе шкафа, показанного на фиг. 1 и 2, с некоторыми его частями в другом положении. 3 1 2 . Как известно, общая форма телевизионного шкафа 10 является прямоугольной, и предусмотрена достаточная глубина спереди назад для размещения катодной трубки, шасси и рабочих частей. 10 , . В шкафу согласно изобретению двери 11 предусмотрены с каждой стороны экрана, и к верхней части каждой двери прикреплена часть 12 колпака треугольной формы. 11 12. Верхняя часть 10а шкафа 10 снабжена отверстием, которое проходит спереди назад и удобно выполнено, по сути, образуя двойную верхнюю часть шкафа. В отверстии и по бокам шкафа расположены две направляющие. 13, на которой с возможностью скольжения установлена центральная часть 14 капота прямоугольной формы. Эта центральная часть 14 капота имеет на своей нижней стороне металлическую пластину или кронштейн 15, на которой установлены два металлических ленточных звена 16. Свободные концы звеньев 16 прикреплены к дверцы 11 шкафа чуть ниже уровня треугольных частей 12 капота. Ограничители 17 прикреплены к направляющим 13 для предотвращения полного вытягивания центральной части 14 капота из проема, а также для предотвращения слишком сильного открытия дверей 11. 10 10 , , 13 14 14 , 15 - 16 16 11 12 17 13 14 11 . В открытом положении (рис. 1 и 2) внешние края треугольных частей 12 капота и передний край центральной части 14 капота образуют прямую линию, а двери 11 составляют угол примерно 1350 с передней частью шкафа В. при таком расположении треугольные части капота имеют угол 450° между передним краем и боковой частью двери. Когда двери закрыты, все части капота помещаются в проем (рис. 3). 1 2, 12 14 11 1350 450 ( 3). Изобретение не ограничивается вышеизложенными деталями. Например, боковые части колпака в некоторых телевизионных приемных устройствах можно было бы сделать достаточно большими, чтобы обеспечить адекватный колпак, но в этом случае передний край не был бы в форме прямой линии. , и в любом случае центральная часть 14 будет сохранена для крепления кронштейна 15. , , , , 14 15.
, ."> . . .
: 506
: 2024-04-12 16:58:45
: GB828019A-">
: :

= "/";
. . .
828023-- = "/"; . , . . , . . , . , , . .



. :
:
УведомлениеЭтот перевод сделан компьютером. Невозможно гарантировать, что он является ясным, точным, полным, верным или отвечает конкретным целям. Важные решения, такие как относящиеся к коммерции или финансовые решения, не должны основываться на продукте машинного перевода.
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ GB828023A
[]
ПАТЕТ СПЕЦИФИКАЦИЯ ПРИВЕДЕННЫЕ ЧЕРТЕЖИ Дата подачи заявки и подачи полной спецификации 15 августа 198 г. 15, 198. & На25753/57. & Na25753/57. Заявление подано в Соединенных Штатах Америки 16 августа 1956 г. 16, 1956. Полная спецификация опубликована 10 февраля 1960 г. 10, 1960. Индекс при приемке:-касс а 3, Ки СХ, К 2 С( 1:2:9:10:11:20), К 3 (ЭИ 1:Ж:Ж). :- 3, , 2 ( 1:2: 9: 10: 11: 20), 3 ( 1: : ). Международная классификация:,- . :,- . СПЕЦИФИКАЦИЯ Усовершенствования в полупроводниковых устройствах и методах их изготовления Мы, , корпорация, организованная и действующая в соответствии с законодательством штата Нью-Йорк, Соединенные Штаты Америки, с местонахождением по адресу: 1, , 5, , . Америки, настоящим заявляем, что изобретение, на которое мы молимся, чтобы нам был выдан патент, и метод, с помощью которого оно должно быть реализовано, должны быть подробно описаны в следующем заявлении: , , , , 1, , 5, , , , , , :- Настоящее изобретение относится к транзисторным устройствам переходного типа и способам их изготовления. . В предшествующем уровне техники при изготовлении полупроводниковых устройств с --переходом использовались различные методы, включая методы, обычно называемые процессами «обратного расплавления» и «диффузии». Процесс «обратного расплавления» включает выращивание кристалла полупроводникового материала. -из расплава, пропитанного донорными и акцепторными примесями, разрезание кристалла на таблетки, плавление одного конца каждой из таблеток и последующая рекристаллизация расплавленного конца. Если доминирующая примесь в выращенном кристалле выбрана так, чтобы иметь значительно меньший коэффициент сегрегации Если другая примесь и начальные пропорции этих примесей выбраны правильно, то другая примесь может вызвать оматирование в рекристаллизованной части расплавленной таблетки. - , " -" "'" "-" - , , , . Таким образом, с помощью этого процесса таблетка, которая изначально имеет проводимость одного типа, может быть частично преобразована в проводимость другого типа с образованием в ней перехода. , . Процесс «диффузии» в одной из форм включает осаждение примеси 1 -типа на одной стороне и примеси -типа на противоположной стороне таблетки практически чистого или собственного полупроводникового материала, а затем диффузию примесей внутрь гранулы. Таблетка. Температура и время диффузии контролируются, чтобы вызвать диффузию примесей на заданную глубину, тем самым образуя --переход в таблетке. " " 1 - - , , - . В другой форме «диффузионного» процесса 3 , 6 примеси -типа и -типа диффундируют одновременно или последовательно с одной и той же стороны тела полупроводникового материала - или -типа проводимости. Тип проводимости тело, константы диффузии и поверхностные концентрации примесей подбираются, а время диффузии и температура подбираются так, что часть тела, имеющая исходный тип проводимости, преобразуется в противоположный тип и, в свою очередь, часть преобразованной части преобразуется в исходный тип проводимости. Таким образом, устройство изготавливается с областями одного типа проводимости, разделенными тонкой областью противоположного типа проводимости. Области одного типа проводимости могут быть эмиттером и коллектором, а область противоположного типа проводимости может быть базой. транзистора. " " , 3 , 6 - - - . Процесс «диффузии» делает возможным получение тонких базовых областей с отличным контролем. Однако процессу диффузии свойственны проблемы воспроизводимости, вызванные необходимостью подачи примесей на поверхность полупроводниковых тел в заданном соотношении и заданной концентрации и поддержание таких условий посредством высокотемпературного диффузионного цикла, в котором преобладают испарение, окисление и другие подобные эффекты. " " , , , . Преимущество процесса «обратного расплавления» заключается в простоте и отсутствии поверхностных эффектов. " - " . Однако трудно воспроизводимо получить очень тонкую базовую область, используя процесс «обратного расплавления». , " -" . Важной целью изобретения является создание нового и универсального способа производства с превосходным контролем и надежностью полупроводниковых элементов с -переходом, имеющих практически любую желаемую комбинацию электрических характеристик в различных их областях. , , - . Другой целью настоящего изобретения является разработка простого способа воспроизводимого изготовления полупроводниковых переходных устройств. . Другой целью настоящего изобретения является создание нового и улучшенного способа замыкания транзисторных устройств, который легко адаптируется , 2 > 1 4: {-;'-<: , 2 > 1 4: {-;'-<: 828,023 для использования с имеющимся производственным оборудованием. 828,023 . Согласно настоящему изобретению способ изготовления переходного транзистора из монокристаллического тела, диспергированного в нем по меньшей мере, одного активатора, такого как придание телу одного типа проводимости, включает этапы нагрева части тела до плавления. точка для образования границы раздела между жидкой и твердой частями, рекристаллизация расплавленной части так, что возникает область низкой концентрации активатора вблизи того места, где существовала граница раздела жидкость/твердое тело, и нагрев тела в физической связи со вторым активатором проводимости. типа, противоположного типу первого активатора, и имеющего скорость диффузии выше, чем у первого упомянутого активатора, до такой температуры и в течение времени, чтобы концентрация второго активатора диффундировала в тело в области, где существовала граница раздела жидкость/твердое тело. превышает концентрацию в этой области первого упомянутого активатора. Как первый материал активатора, так и второй материал активатора могут изначально присутствовать и обычно присутствуют в организме. , - , / , , , - / - , , . Тем не менее, второй активатор может быть нанесен снаружи на поверхность рекристаллизованного тела, в которую он диффундирует во время второго нагревания. , . При осуществлении настоящего изобретения в одном из его иллюстративных вариантов формируют тело полупроводникового материала, пропитанное акцепторными и донорными примесями или активаторами и с преобладанием той или иной примеси. , . Часть тела расплавляют и дают возможность медленно рекристаллизоваться. Активаторы выбираются с учетом коэффициентов сегрегации и их количеств таким образом, чтобы после операции плавления тип проводимости рекристаллизованного тела оставался таким же, как и у нерасплавленной части тела. Кроме того, в указанных условиях уровень концентрации обоих активаторов на границе раздела нерасплавленной и рекристаллизованной частей значительно меньше, чем в нерасплавленной части тела, и увеличивается по мере удаления от границы раздела за счет сегрегации при перезамораживании. Дополнительное требование к Примеси заключаются в том, что недоминирующая примесь диффундирует быстрее, чем доминирующая. Затем тело нагревают до температуры и в течение некоторого времени вызывают диффузию примесей в теле из области высокого уровня концентрации примеси на одной стороне границы раздела в области низкий уровень концентрации примеси. Эта диффузия примесей приводит к преобразованию рекристаллизованной области вблизи границы раздела в тип проводимости, соответствующий примеси, которая не была доминирующей в исходном теле, но теперь из-за более высокой скорости ее диффузии становится доминирующей в этом область, край. , , - , , . На участках рекристаллизованной области, удаленных от границы раздела, исходный тип проводимости сохраняется, а время диффузии контролируется для контроля количества рекристаллизованной области, которая преобразуется. Таким образом, контроль возможен за счет использования процесса диффузии, а также простоты и простоты. свобода от поверхностных эффектов процесса обратного плавления объединена в один простой процесс. , , - . На прилагаемых чертежах: Фигуры , , 1C и представляют собой эскизы одного типа транзисторного устройства на последовательных этапах подготовки в соответствии с настоящим изобретением; Фигуры 2А, 2В и 2С представляют собой схематические графические представления (не строго в масштабе) концентрации примесей в стержне или таблетке полупроводникового материала в зависимости от расстояния вдоль стержня на различных стадиях процесса в соответствии с настоящим изобретением. для изготовления полупроводникового устройства одного типа, показанного на рисунке 2D. : , , 1 ; 2 , 2 2 ( " 2 . На фигурах 3, 4, 5, 6 и 7 аналогичным образом показаны еще один иллюстративный вариант осуществления устройства, изготовленного в соответствии с настоящим изобретением, а также показаны соответствующие графики зависимости концентрации примесей от расстояния на различных этапах процесса изготовления полупроводникового устройства в соответствии с настоящим изобретением. настоящее изобретение. 3, 4, 5, 6 7 . В одном из способов реализации изобретения получают монокристаллическое полупроводниковое тело, содержащее в нем как акцепторные, так и донорные элементы-активаторы в относительных количествах, так что один тип активаторного элемента преобладает для создания общей характеристики одного типа проводимости в указанном теле. Активатор элементы выбираются так, чтобы иметь такие коэффициенты сегрегации, при которых плавление и рекристаллизация одной части тела не происходит; вызывают изменение типа проводимости в рекристаллизованной части. , - ; . Коэффициент сегрегации определяется как отношение содержания примесей, усваиваемых растущим слитком, к содержанию примесей в жидкости, контактирующей с растущим слитком. В форме уравнения =, (1) , где =коэффициент сегрегации, =концентрация примеси в твердое вещество (вес примеси на вес твердого вещества), = концентрация примеси в жидкости (вес примеси на вес жидкости). , =, ( 1) = , = ( ), = ( ). В выращенном кристалле концентрации примесей будут следующими: = , (2) где =концентрация донорного активатора в твердом теле, =коэффициент сегрегации донорного активатора, = концентрация донорного активатора в расплаве. , и если 82,, 23 = ( 3) где = концентрация активатора-акцептора в твердом теле, - коэффициент сегрегации активатора-акцептора, = концентрация активатора-акцептора в расплаве. , := , ( 2) = , = , = , 82,, 23 = ( 3) = , - , = . Как концентрация активатора в твердом теле (), так и концентрация активатора в расплаве () изменяются по мере роста кристалла. В кристалле, который был переплавлен, концентрации примесей донорных и акцепторных активаторов в расплавленной части равны и , как это определяется уравнениями ( 2) и ( 3) Однако, когда расплавленная часть рекристаллизуется, концентрации в рекристаллизованной области первоначально будут составлять = 3 ( 4) и '= ' 2 при условии, что меньше чем единица. Концентрация каждой примеси становится все больше по мере удаления от исходной границы раздела твердое тело и жидкость по мере роста кристалла из-за того, что первоначально ассимилируется меньшее количество примеси, оставляя расплав со все более высокой концентрацией. В изобретении установлено требование, чтобы рекристаллизованная часть тела сохраняла свой первоначальный тип проводимости. () () ( 2) ( 3) , , , = 3 ( 4) '= ' 2 , . для доминирующей проводимости -типа существенно выполнение условия: 1 2 > ', ( 6) и для доминирующей проводимости -типа , > , , ( 7) 1 где = атомов/грамм активатора-донора Аатомов/грамм активатора-акцептора Чтобы исходный кристалл был -типа, 1 > 7 мм и если он должен быть -типа , > Таким образом, относительные количества активаторов в исходном кристалле и их соответствующие коэффициенты сегрегации определяют, какие примеси можно использовать. - : 1 2 > ', ( 6) - , , > , , ( 7) 1 = / / -, 1 > 7 -, > , , . Часть полупроводникового тела расплавляется. Затем телу дают остыть и рекристаллизоваться. Из-за разницы в коэффициентах сегрегации донорных и акцепторных активаторов и относительных количествах этих активаторов в расплавленной области, как указано в уравнениях (6) и (7) рекристаллизующаяся часть содержит больше доминирующего элемента-активатора, чем недоминантного элемента-активатора. Следовательно, рекристаллизующаяся часть принимает тип проводимости, соответствующий типу проводимости, создаваемому доминирующим элементом-активатором. , ( 6) ( 7), - , . Недоминантный элемент-активатор выбирается таким образом, чтобы он имел более высокий коэффициент диффузии, чем доминирующий элемент-активатор. - 60 . Коэффициент диффузии является мерой того, насколько далеко примеси перемещаются в процессе диффузии за заданный промежуток времени. То есть предположим, что тело 65 состоит из двух областей: одна имеет высокую концентрацию примеси, другая - низкую. При высоком коэффициенте диффузии больше примеси будет перенесено из области с высокой концентрацией в область с низкой концентрацией за заданное время, чем если бы примесь имела низкий коэффициент диффузии, т. е. объем диффузии больше для примеси, имеющей большую диффузию. коэффициент 75. Затем тело из полупроводникового материала нагревают, чтобы обеспечить диффузию элементов активатора в тело из полупроводникового материала. , 65 , , , 70 , , 75 . Поскольку недоминантный активатор диффундирует быстрее, чем доминирующий активатор, в результате диффузии миноритарных элементов активатора в полупроводниковое тело между зонами исходного типа проводимости, образованными доминантным активатором, который не диффундирует, образуется зона противоположного типа проводимости. так же быстро, как и неосновной активатор. Таким образом, образуется пара --переходов, по одному между каждой из зон исходного типа проводимости и промежуточной преобразованной зоной противоположного типа проводимости. 90 Абсолютные количества примесей активатора, которые можно использовать на практике. изобретения не имеют решающего значения. Этот метод эффективен от минимальных измеримых добавок до максимальной растворимости различных элементов в германии и кремнии в твердом состоянии. - , 80 85 , - , 90 95 . Конкретные абсолютные количества используемых примесей-активаторов являются предметом конструктивных соображений и определяются желаемой проводимостью в получаемых устройствах с -переходом 100. - 100 . На практике абсолютные количества акцепторных и донорных примесей выбираются так, чтобы они соответствовали требованиям, предъявляемым уравнениями (6) и (7). Таким образом, уровни или концентрации примесей, существующие в исходном кристалле до обратного плавления, шаг зависит от концентрации этих примесей, первоначально выращенных в кристалле. Этот уровень примеси определяет удельное сопротивление () во всех 110 областях кристалла. Следовательно, абсолютные количества примесей выбираются так, чтобы обеспечить наиболее желательное удельное сопротивление. Например, примесь концентрация приблизительно 101 атомов/см', обеспечивающая удельное сопротивление 115 порядка 01 Ом-сантиметр, будет подходящей для области эмиттера транзисторного устройства. Следует понимать, что конкретное удельное сопротивление в данной области также зависит от того, или Используется германий или кремний 120 -типа. Концентрации примесей могут варьироваться в области эмиттера от 1021 до 101 атомов/см 3 , что примерно соответствует диапазону удельного сопротивления 001-5 Ом-сантиметров для получения пригодного к использованию транзисторного устройства. Удельное сопротивление в других областях устройство зависит от коэффициентов сегрегации и диффузии примесей. Концентрация примесей может варьироваться в пределах 101 - 10 4 атонис/cнид, что соответствует диапазону удельного сопротивления примерно 0 -100 Ом-сантиметров в областях базы и коллектора, чтобы обеспечить желаемое удельное сопротивление в в этих областях можно использовать даже более высокие концентрации в зависимости от градиента концентрации примесей в переходе база-коллектор. , ( 6) ( 7) 105 - () 110 , , , 101 " /' 115 01 - - 120 1021 101 " 3 001-5 - 101 "-10 4 / 0 -100 - . $ 5. Обращаясь теперь к рисунку ), брусок 10 из полупроводникового материала, такого как кремний или германий, показан до того, как в нем формируется переход. Бар 10 содержит как акцепторный примесный материал, так и донорный примесный материал, по существу равномерно распределенный в нем. В этом случае донорный материал-активатор который снабжает полупроводник преобладающим избытком свободных электронов, чтобы обеспечить всему стержню проводимость -типа; Активатор-акцептор, который создает положительные дырки в полупроводнике, обычно придает проводимость -типа стержню 10, за исключением того факта, что присутствует больше активаторов-доноров, чем активаторов-акцепторов. $ 5 ), 10 10 - ; - - 10 . Такой брусок может быть извлечен из монокристаллического слитка, выращенного путем извлечения затравочного кристалла в заданных условиях, хорошо известного в данной области техники, из расплава полупроводникового материала, содержащего как донорные, так и акцепторные примеси. Такие методы выращивания подходящих слитков хорошо известны в данной области техники и являются обычно называемый методом Чехральского. - . Хотя могут быть выбраны различные примеси-активаторы, важно, чтобы активатор доминирующего типа, , который в данном случае является активатором-донором, добавлялся в расплав в таком количестве, чтобы при выращивании кристалла полупроводникового материала из расплава относительно В растущем кристалле усваивается большее количество донорного активаторного материала, чем акцепторного активаторного материала. , , , , . Как показано на рисунке 1А), верхний конец стержня 10 нагревается горелкой 11 до тех пор, пока конец не расплавится. Для плавления конца стержня можно использовать различные средства, единственным требованием является наличие температурного градиента. в полупроводниковом теле 10 так, что часть тела нагревается до температуры, достаточно высокой для плавления, в то время как другая часть остается твердой. Предпочтительно, чтобы процесс нагрева осуществлялся в атмосфере инертного газа или восстановительной атмосфере, или в вакууме во избежание окисления. -; ), 10 11 , 10 , , . Рисунок ) в результате плавления конца стержня 10. На одном конце стержня 10 образуется участок 13, который прилипает к нерасплавленной части 12. Расплавленная часть 13 вырастает из границы 14 между твердой частью 12 и жидкой частью. 13 Поскольку потеря тепла от расплавленной части 13 к твердой части 12 по своей сути превышает потерю тепла в окружающую атмосферу, не требуется никаких специальных средств для поддержания 70 перепада температур, необходимого для направленного охлаждения. Часть 12 практически не подвержена влиянию процесс нагрева и сохраняет свою проводимость -типа. Во время процесса повторного затвердевания будет иметь место небольшая диффузия. Это можно принять во внимание и составить часть общей диффузии, которой подвергается стержень, или если используются очень тонкие основы. требуется, может быть достаточно тотальной диффузии. ) 10 13 10 12 13 14 12 13 13 12 , 70 12 - - 75 , , . Часть 13, которая перекристаллизовывается 80, также сохраняет проводимость -типа, поскольку донорные и акцепторные примеси были правильно выбраны как с точки зрения концентраций, так и с точки зрения коэффициентов сегрегации, как объяснялось ранее. Следовательно, большая часть донорной примеси 85 ассимилируется вблизи граница раздела 14, чем акцепторная примесь. Как правило, концентрации примесей становятся все больше по мере того, как расплавленная часть 13 кристаллизуется от границы раздела к внешнему концу 90 части 13. Фактически, в этой области, значительно удаленной от границы раздела, может образоваться - переход из-за к изменению концентрации примеси, при которой преобладает акцепторная примесь. Во многих случаях такой переход 95 бесполезен из-за его высоких концентраций примесей, которые могут быть настолько тяжелыми, что придают полупроводниковому телу металлический характер. В любом случае этот переход предлагает Серьезных проблем нет, так как его можно оборвать или насквозь вплавить 100 омных контактов. 13 80 - , -, 85 14 , 13 90 13 , - , 95 , , , 100 . Коэффициенты сегрегации различных активаторов, как правило, невелики. Количества донорных и акцепторных активаторов в рекристаллизованной части 13 в раз 105 больше, чем в нерасплавленной части 12, и, следовательно, намного меньше, чем концентрации в нерасплавленной части 12. Однако , проводимость, которую проявляет полупроводник, зависит не только от содержания 110 присутствующих примесей, но и от избытка одного типа активатора над другим типом. Таким образом, полупроводниковый стержень 10 остается преимущественно -типа повсюду с меньшим количеством -типа. активаторы в рекристаллизованной области 13 115 вблизи границы раздела 14 существуют в бруске 12. 13 105 12, 12 - , , 110 , 10 - - 13 115 14 12. Полупроводник 10 затем повторно нагревается ниже температуры плавления, чтобы получить устройство, показанное на рисунке 1. Поскольку в этом примере донорный активатор и акцепторные активаторы выбраны таким образом, что акцепторный активатор при нагревании диффундирует быстрее, чем донор, диффундирует акцепторная примесь. в область 13 из области 12 быстрее, чем примесь донора. Степень диффузии 125 контролируется температурой и временем, используемыми для осуществления диффузии. В этом конкретном случае тепло применяется до тех пор, пока активатор доступа не диффундирует в достаточной степени, чтобы вызвать преобладание акцептора. активатора в этой области 130 828 2 3 828,023, в результате чего в области области 13, очень близкой к границе раздела 14, образуется зона противоположного типа проводимости, т.е. -типа, в области 13, очень близкой к границе раздела 14. Области 12 и 13 -типа . Как показано на рисунке ), электроды 17 и 18 закреплены в омическом проводящем взаимодействии с областями 12 и 13 -типа, например, путем пайки. Электрод 16 омически прикреплен к области -типа. 15 -жик образует базу транзистора типа --. 10 1 120 , 13 12 125 130 828 2 3 828,023 , -, 13 14 , - 15 - 12 13 ), 17 18 , - 12 13, , 16 - 15 - -- . В качестве иллюстративного примера транзистор типа --, показанный на рисунке 1, может быть изготовлен путем использования кремния в сочетании с материалом акцепторной примеси галлием и материалом донорной примеси сурьмой. На рисунках 2 А), 2 В) и 2 С) показана серия графики зависимости концентрации примесей этих активаторов в зависимости от расстояния вдоль кремниевого стержня на различных стадиях процесса, описанного в связи с рисунком 1) На рисунке 2 А) показаны относительные концентрации сурьмы и галлия перед стадией обратного плавления Преобладание сурьмы или донорного активатора обеспечивает стержню 10 проводимость -типа. Концевую часть стержня 10 затем снова расплавляют и медленно перекристаллизовывают, получая распределение примесей, показанное на графиках фиг. 2В). . , -- 1 2 ), 2 ) 2 ) 1) 2 ), - 10 - 10 2 ). Следует отметить, что преобладание сурьмы наблюдается по всей длине бруска. . Крутой наклон вниз на графиках рисунка 2 ) в точке, обозначенной х 1, представляет собой границу раздела жидкость-твердое тело стержня или точку, до которой стержень 10 был снова расплавлен. Поскольку количество сурьмы, ассимилированной в растущем кристалле, равно больше, чем у галлия, полоса остается проводимости -типа. На рисунке 2В) распределение примесей показано после этапа диффузии. 2 ) 1 - 10 : , - 2 ), . Во время цикла диффузии, который заключается в нагревании стержня до повышенной температуры в течение определенного периода времени, как галлий, так и сурьма диффундируют. Область концентрации справа от границы раздела . Поскольку коэффициент диффузии галлия в кремнии больше, чем у сурьмы, большая часть галлия, чем сурьмы, мигрирует в область низкой концентрации из области высокой концентрации. , , , . Это приводит к преобладанию примеси галлия или акцепторного типа в области, обозначенной примерно - 2 в окрестности интерфейсной области. Таким образом, две области -типа разделены областью -типа в окрестности интерфейсной области. В результате формируется транзистор типа --, показанный на рисунке 2 ), в котором нерасплавленная часть представляет собой эмиттер, а непреобразованная рекристаллизованная норция представляет собой коллектор, а промежуточная область противоположной проводимости представляет собой базу с тонким слоем -типа. базовую область, которую можно контролировать временем и температурой диффузионного цикла, а также количеством и типом выбранных примесей. - - 2 , - - , -- 2 ) , - , - , . () В качестве одного конкретного примера варианта реализации, показанного на фигурах 2A), 2B), 2C) и 2D), 70 и -1 транзистор --типа, имеющий тонкую базовую область -типа, изготавливают путем приготовления расплава, состоящего 30 грамм кремния с остаточной концентрацией примесей менее или примерно равной 10"' атомов на кубический санти 75 метра, 150 миллиграммов сурьмы и 74 миллиграмма галлия. Из расплава выращивают монокристаллический слиток по известному затравочному кристаллу. метод извлечения, широко известный как метод Чохральского. 80 Кристалл выращивается со скоростью один дюйм в час, и кристалл вращается со скоростью 60 об/мин, чтобы обеспечить хорошее перемешивание примесей. Концентрации сурьмы и галлия в кристалле были аппроксимированы. 2 х 1018 85 атомов на кубический сантиметр (что соответствует удельному сопротивлению 05 Ом-см) и 4 х 101 атомов на кубический сантиметр соответственно. Эти цифры относятся к областям первой части кристалла. Обе концентрации увеличиваются. кристалла в соответствии с хорошо известными эффектами сегрегации. Однако их соотношение остается примерно тем же. Кристалл разрезается на таблетки приблизительных размеров 6 3 мм в длину и 75 х 75 мм 95 в поперечном сечении. Один конец таблетки располагается рядом с горячая вольфрамовая нить и расплавляется нитью в атмосфере водорода. Мощность медленно снижается для медленного охлаждения стержня (что позволяет стержню повторно замерзнуть примерно за 100 секунд). Затем стержень был протравлен, например, смесью плавиковой и азотной кислоты. (:,)1:4), а затем нагревали до 12000°С в течение примерно двух часов. Было обнаружено, что во многих случаях необходимо медленное охлаждение (в течение нескольких часов) после диффузии для поддержания хорошего времени жизни неосновных носителей в кремнии. База -типа и прилегающие области областей -типа Таким образом был сформирован транзистор типа -- с шириной базы примерно 110 мм. Чистая концентрация примесей в областях коллектора и базы составила примерно 6 101 атомов на кубический сантиметр, что соответствует удельным сопротивлениям. примерно 4 и 2 Ом·см для областей базы и коллектора 115 соответственно. Точные формы концентраций примесей можно легко вычислить из уравнений, хорошо известных в данной области техники. () 2 ), 2 ), 2 ) 2 ), 70 -1 - 30 10 "' 75 , 150 74 80 , 60 2 1018 85 ( 05 -) 4 101 ' , 90 , 6 3 75 75 95 - ( 100 ) , , - (:,)1:4) 12000 ( ) 105 - - -- 110 6 101 4 2 - 115 , - . Следует понимать, что для производства 120 транзисторов способом настоящего изобретения можно использовать и другие комбинации активаторов, если соблюдаются два условия. Первое условие требует, чтобы после этапа обратного расплавления первоначальная проводимость стержня оставалась прежней. Второе условие состоит в том, что менее 125 доминирующих активаторов имеют больший коэффициент диффузии, чем у доминирующего активатора (определяющего исходный тип проводимости полупроводника) при температурах, при которых осуществляется диффузия. Еще 130 комбинаций донорных и акцепторных примесей для Формирующими транзисторами типа -- в кремнии являются, т. е. сурьмяно-индийные, сурьмяно-борные, сурьмяно-алюминиевые, галлий-мышьяковые, фосфорно-алюминиевые, фосфорно-галлиевые, мышьяково-борные, мышьяково-индиевые и мышьяково-алюминиевые. 120 - , 125 ( ) , 130 -- , , -, -, -, -, , , -, -, . ---транзисторы также могут быть изготовлены этим методом путем правильного выбора полупроводникового материала, донорного активатора и акцепторного активатора с учетом двух критериев, упомянутых выше. --- , . (Б) В качестве конкретного примера транзистора типа --, изготовленного в соответствии с данным изобретением, готовят расплав, состоящий из 100 граммов германия, 1,45 миллиграммов галлия и 34 миллиграммов сурьмы. Кристалл выращивают в соответствии с затравочным кристаллом. Чистая концентрация акцепторов в кристалле составляет приблизительно 7 х 10 атомов на кубический сантиметр, что соответствует удельному сопротивлению 08 Ом-сантиметров. Диффузию проводят при 8000°С в течение примерно двух часов. Полученный транзистор типа -- имеет ширину базы примерно 0005 мм. Чистая концентрация акцепторов в области коллектора составляет 7 1015 атомов на кубический сантиметр, что соответствует удельному сопротивлению 5 Ом-сантиметров, а чистая концентрация доноров в области базы составляет 1016. атомов на кубический сантиметр, что соответствует удельному сопротивлению 2 Ом-сантиметров. () -- , 100 , 1 45 34 7 10 ' , 08 - 8000 -- 0005 7 1015 5 - 1016 2 -. Во многих случаях, связанных с германием, было обнаружено, что необходимо отжиг при температуре около 5000°С в течение периодов от нескольких часов до нескольких дней, чтобы удалить медь и другие нежелательные примеси, которые превратили базовую область в -тип, тем самым фактически закоротив транзистора Однако удаление этих примесей не считается серьезным и может быть легко выполнено на этапе отжига. Эти нежелательные примеси можно предотвратить от попадания в стержень во время диффузии, сначала покрыв стержень «очищающим» материалом, таким как золото. Это необходимо за