патенты / 21641

= "/";
. . .
826742-- = "/"; . , . . , . . , . , , . .



. :
:
УведомлениеЭтот перевод сделан компьютером. Невозможно гарантировать, что он является ясным, точным, полным, верным или отвечает конкретным целям. Важные решения, такие как относящиеся к коммерции или финансовые решения, не должны основываться на продукте машинного перевода.
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ GB826742A
[]
ПОЛНАЯ СПЕЦИФИКАЦИЯ Усовершенствования резервуаров для хранения Я, ЖОРЖ ДАРИК, гражданин Франции, проживает 37, Авеню де Ловендаль, Париж 15, Франция, настоящим заявляю об изобретении, на которое я молюсь, чтобы мне был выдан патент, и метод, то, что оно должно быть выполнено, должно быть подробно описано в следующем заявлении: Настоящее изобретение относится к резервуарам или резервуарам для хранения, а более конкретно к резервуарам для хранения жидких углеводородов. , , , 37, , 15, , , , , : , . В качестве общих целей изобретение рассматривает: повышение простоты и экономичности конструкции таких резервуаров и резервуаров и фундаментов для них; улучшение стабильности резервуаров и резервуаров, особенно там, где они подвергаются высокому внутреннему давлению; существенное снижение или исключение потерь за счет испарения при хранении летучих жидкостей, таких как бензин и тому подобное; и повышение безопасности в эксплуатации. : ; ; ; . Дополнительные объекты будут перечислены далее. . Идеи настоящего изобретения применимы как при строительстве новых резервуарных конструкций, так и в связи с усовершенствованием и преобразованием существующих. . Резервуары типа, рассматриваемого здесь, часто приходится возводить на грунте с низким сопротивлением, в котором практическая прочность на раздавливание может быть низкой или ниже примерно 1,5 фунтов на квадратный дюйм. Вертикальные размеры таких резервуаров тогда приходится резко ограничивать, скажем, до высоты около 30 футов, либо предусматривать массивные и дорогие фундаменты, например тяжелые железобетонные плиты, распределяющие нагрузку, кольцевые основания, сваи и т.п. Ограничение вертикальных размеров резервуаров нежелательно, поскольку желательны сравнительно высокие резервуары из-за относительного уменьшения теплообмена с атмосферой, уменьшения площади испарения хранимой жидкости и уменьшения общей площади. затраты, сопровождающие использование относительно высоких резервуарных конструкций. Таким образом, цель настоящего изобретения состоит в том, чтобы обеспечить возможность строительства резервуаров, имеющих желательно большие вертикальные размеры, устраняя при этом необходимость использования большего количества фундаментных конструкций, чем обычные, даже на бедном грунте. , 1.5 . , 30 , , - , , . , , -. . . Как анализ напряжений, так и практический опыт показывают, что в традиционных конструкциях резервуаров существует тенденция к тому, что краевая или периферийная часть нижней стенки резервуара поднимается, а центральная часть провисает, когда подвергается высокому внутреннему давлению, если только эта тенденция не возникает. противодействует достаточный вес материалов несущей конструкции. Целью настоящего изобретения является создание улучшенной конструкции воронки, которая учитывает этот эффект и в которой внутреннее давление будет эффективно сбалансировано с использованием лишь минимального количества и веса конструкционных материалов. , , . . Еще одной целью является достижение существенного снижения количества летучей жидкости, хранящейся в резервуаре, теряемой в результате испарения и последующего срабатывания предохранительного клапана. В связи с защитой от пожара обычные устройства безопасности неэффективны, особенно в том смысле, что иногда они не предотвращают проникновение пламени в резервуар путем всасывания из-за низкого давления газа внутри резервуара, что может быть вызвано, например, низким уровнем окружающей среды. температуры. Задачей изобретения является снижение потерь на испарение при срабатывании предохранительного клапана, а также создание улучшенных средств противопожарной защиты, которые предотвратят опасность засасывания пламени в резервуар. . - , . , . Кроме того, важной задачей является достижение описанных выше различных целей с использованием общих, интегрированных и простых средств. , . Согласно изобретению предложена конструкция резервуара для хранения, содержащая боковую стенку, нижнюю стенку и внешние элементы, передающие напряжение, прикрепленные к указанной стенке и продолжающиеся от нее до точек, расположенных на расстоянии от внешней периферии указанной нижней стенки, характеризующуюся тем, что указанное дно стенка прикреплена к ней или составляет одно целое с ней, наружное непрерывное удлинение основания, расположенное вокруг всей внешней периферии указанной нижней стенки и по существу в той же плоскости, что и указанная нижняя стенка, при этом указанное удлинение основания изогнуто вниз, т.е. имеет выпуклую вверх форму, и элементы, передающие напряжение, прикреплены к указанному удлинителю основания рядом с внешней периферией указанного удлинителя основания. , , , , .. , . Периферийное удлинение, которое образует своего рода опорный фланец резервуара, согласно изобретению может быть утяжелено либо твердым материалом, таким как каменная или земляная насыпь, либо жидким материалом, таким как вода, содержащимся в подходящем кольцевом пространстве. , , , , , , . Согласно изобретению этот водоем может выполнять функцию уменьшения испарения и противопожарную функцию либо просто за счет охлаждающего эффекта, оказываемого им на соседние стальные части резервуара, либо в сочетании с насосом и распылительным средством. - - . Охлаждающий эффект этого водоема в нормальных условиях эксплуатации служит для уменьшения потерь на испарение за счет снижения давления пара хранимой жидкости. . Система нагнетания и распыления, связанная с таким водоемом согласно изобретению, предпочтительно управляется автоматически, например, с помощью реле, реагирующих на температуру и/или давление, и т.п., реагирующих на условия внутри резервуара. / - . Помимо функции противопожарной защиты, автоматическая система подачи воды может использоваться в нормальных условиях для поддержания массы газа над жидкостью в резервуаре в заданном диапазоне температуры и давления, тем самым значительно снижая потери на испарение, а также предотвращая давление паров. в резервуаре от падения ниже заданного минимального уровня. Для такой работы средства автоматического управления системой водоснабжения будут реагировать на заданные верхние и нижние пределы давления пара и/или температуры. - , . / . Один и тот же водоем может одновременно служить для подачи необходимой огнетушащей пены в случае чрезмерного повышения температуры или давления, указывающего на опасность пожара. . Согласно дополнительному аспекту изобретения кольцевой контейнер для воды, служащий для утяжеления периферийного удлинения основания резервуара, может дополнительно служить для улавливания любой хранящейся жидкости, случайно вылившейся из резервуара. В таком случае в контейнере предусмотрены средства донного перелива, приспособленные для выпуска некоторого количества более тяжелой жидкости, воды, содержащейся в нем, по мере необходимости, чтобы освободить место для более легкого и ценного жидкого гидробарбона. . , , . Вышеупомянутые и дополнительные аспекты, объекты и признаки изобретения станут очевидными по мере его раскрытия со ссылкой на сопровождающие схематические чертежи, которые даны в качестве иллюстрации, но не ограничения, и иллюстрируют некоторые типичные варианты осуществления изобретения. , , . Фигура 1 представляет собой частичный вид в вертикальной проекции, главным образом в разрезе, иллюстрирующий изобретение применительно к цилиндрическому резервуару; Фигура 2 представляет собой аналогичный вид изобретения применительно к сфероидальному резервуару, имеющему по существу плоское дно, а фигуры 3 и 4 представляют собой вид сбоку и сверху соответственно, иллюстрирующий замкнутую систему подачи воды, связанную с цилиндрическим резервуаром. построенный согласно изобретению. 1 , , ; 2 , 3 4 , - . На фиг. 1 показан упрощенный вариант осуществления изобретения, где цифрой 5 обозначена нижняя часть цилиндрической боковой стенки резервуара 1, а цифрой 1 обозначена его горизонтальная нижняя стенка. Нижняя стенка 1 проходит радиально наружу за вертикальную боковую стенку 5 резервуара, образуя периферийный фланец 2 основания. Как указано, вся конструкция согласно изобретению может опираться просто на соответствующим образом утрамбованную и подготовленную грунтовую поверхность 3 без каких-либо специальных фундаментов. 1 , 5 1 1 . 1 5 2. , 3 . Как показано на фиг.1, базовый фланец 2 имеет выпуклую форму с изогнутой вниз внешней периферией. Установлено, что при такой конструкции основание дополнительно подвергается растяжению за счет реакции грунта, и напряжение, сообщаемое таким образом центральной части 1 нижней стенки резервуара, позволяет последней выдерживать гораздо более высокие напряжения изгиба, создаваемые внутренними гидростатическими силами. давление в баке без излишнего напряжения. 1 2 . , 1 . Стенка 10, идущая вверх от фланца основания, образует кольцевое пространство 11 для воды, окружающее дно резервуара. Напряжения передаются между стенкой 5 резервуара и фланцем основания 2 с помощью специальных элементов 6, передающих диагональные напряжения, которые могут принимать любое из различных значений. формы, напр. как показано, жесткие стальные трубы 6, заполненные бетоном, как показано позицией 7, или они могут представлять собой стальные элементы, заключенные в бетон. Трубки 6 своими верхними концами приварены к элементам жесткости 8, закрепленным, как при помощи сварки, к стенке резервуара 5, а нижние концы - к кронштейнам 9, сами приваренным к опорному фланцу 2. Вместо разнесенных вертикальных элементов жесткости 8 на резервуаре могут быть предусмотрены горизонтально идущие элементы или непрерывный кольцевой элемент жесткости. 10 11 5 2 6, , .. 6 7, . 6 8 , , 5, 9 2. 8 , . Кроме того, конструкция фиг. 1 показывает водное пространство 11 как имеющее открытый верх, так что оно будет улавливать дождевую воду для подпитки. В то же время пространство 11 будет собирать любую хранящуюся жидкость, например жидкий углеводород, которая может вылиться из резервуара. Чтобы избежать потери такой ценной хранимой жидкости, предусмотрена переливная труба 12, которая на своем внутреннем конце проходит вниз до точки, прилегающей к дну пространства 11, так что в случае перелива содержимого пространства вода будет слита. от дна пространства 11, чтобы освободить место для более легкой и ценной углеводородной жидкости. 1 11 - - . , 11 . , 12 11 , 11 . Фигура 2 иллюстрирует изобретение применительно к сфероидальному, а не цилиндрическому резервуару. Как здесь показано, резервуар имеет изогнутую боковую стенку 5 и плоскую нижнюю стенку 1, которая простирается на значительное расстояние по периферии, образуя опорный фланец 2. Этот базовый фланец выпуклый вверх, как показано на рисунке. Резервуар окружает по существу в положении максимального горизонтального диаметра пояс 21, показанный в виде двутавровых профилей, изогнутых до подходящей конфигурации. Стальная стенка 22 в форме усеченного конуса имеет верхний и нижний концы, соединенные с ремнем 21 и фланцем 2 для передачи напряжений между ними. Стенка 22 образует со стенкой 5 резервуара кольцевое пространство 11, заполненное водой. 2 . 5 1 2. . 21 - . - 22 21 2 . 22 5 11 . Обратимся теперь к фигурам 3 и 4, где показана система водоснабжения, которая может быть связана с водным пространством 11, например, как показано на фигурах 1 или 2, с целью защиты от пожара и! Предназначен для поддержания хранимой жидкости в резервуаре в заданных диапазонах температур и давления пара. 3 4 11 1 2, ! . Резервуар, показанный на фигурах 3 и 4, имеет обычную цилиндрическую форму и снабжен окружающим кольцевым пространством для приема воды, показанным на фигуре 1, ограниченным внешней стенкой 10. Элементы, передающие напряжение (не показаны, но соответствуют элементам 6 на рисунке 1), предусмотрены между резервуаром 5 и фланцем 2. 3 4 1 10. ( 6 1) 5 2. Хотя последний показан плоским, на самом деле он будет иметь выпуклую форму, как показано на рисунке 1. , 1. Стена 10', частично показанная, обеспечивает ограждение резервуара и связанной с ним установки и включает в себя насосную станцию 13, в которой находится подходящий насос 16, приводимый в движение электродвигателем 17, и панель управления 18. 10', , 13 16 17, 18. Эти компоненты, конечно, являются лишь иллюстративными. Впуск насоса 16 соединен трубопроводом 19 с внутренней частью кольцевого водного пространства, ограниченного кольцевой стенкой 10. Напорная сторона насоса соединена линией 20 с распылительным устройством, частично показанным позицией 15 в верхней части резервуара. Обычный предохранительный выпускной клапан 14 расположен в верхней части резервуара и регулируется для достижения заданных максимальных и минимальных значений давления газа в резервуаре. . 16 19 10. 20 15 . 14 . Схема питания двигателя насоса 17 находится под управлением подходящего реле, реагирующего на давление (не показано), реагирующего на давление газа внутри резервуара. Средства давления предпочтительно отрегулированы таким образом, что двигатель 17 будет запускаться для приведения в действие насоса 16 и выпуска воды из распылителя 15, когда давление газа в резервуаре достигнет уровня, несколько ниже уровня, при котором предохранительный клапан 14 настроен на срабатывание. и что двигатель 17 будет обесточен, чтобы остановить подачу воды, когда внутреннее давление в резервуаре упадет обратно до заданного значения. Таким образом, температура и, следовательно, давление газа внутри резервуара могут поддерживаться в заданном диапазоне даже при сравнительно широких колебаниях атмосферной температуры. Предохранительный клапан 14 должен будет срабатывать с гораздо меньшими интервалами, чем при отсутствии средств автоматического охлаждения согласно изобретению, и будет достигнута существенная экономия количества газа и жидкости, теряемого при работе клапана. 17 - , , . 17 16 15, 14 , 17 . . 14 . Следует отметить, что кольцевое водное пространство, использованное на фиг. 3, относится к типу с открытым верхом, показанному, например, на рис. на рис. 1, так что охлаждающая вода будет циркулировать по замкнутому циклу и потерь воды из системы практически не будет, поскольку потеря воды за счет испарения обычно будет восполняться дождевой водой, уловленной в кольцевом пространстве 11. . 3 - .. . 1, , 11. Средства измерения плотности могут быть предусмотрены в пространстве 11 или на впуске насоса 16, чтобы остановить работу двигателя насоса 17 с помощью подходящих релейных средств всякий раз, когда измеренная плотность указывает на то, что жидкость в пространстве 11 или жидкость, всасываемая насосом В баке хранится жидкость, а не вода. Эта мера будет особенно важна в случае пожара для предотвращения разбрызгивания жидкого топлива по баку описанной автоматической системой распыления. 11 16 17 11 . . Обычная водонасосная станция описанного типа может использоваться в сочетании с множеством резервуаров. Затем каждый резервуар может быть приспособлен для автоматического и независимого распыления посредством индивидуально управляемых автоматических клапанов, управляемых в зависимости от давления газа внутри соответствующего резервуара. Также могут быть предусмотрены средства для управления клапанами вручную, если это необходимо, помимо их автоматического срабатывания в зависимости от давления. . . . Желательно, чтобы описанная система подачи воды была связана с пенообразующими средствами для целей пожаротушения. С этой целью на фиг.3 и 4 показан дополнительный ответвленный выпускной трубопровод 23, который может быть соединен с подходящим пенообразующим агрегатом традиционной конструкции. Клапаны 24 и 25 предусмотрены для регулирования потока через линии 20 и 23, чтобы направить выпуск насоса либо в распылительное средство 15, либо через пенообразующий блок. Клапаны могут быть предназначены для ручного и автоматического управления, например. в ответ на температуру средства измерения приспособлены для обнаружения опасно высокой температуры. , . 3 4 23 . 24 25 20 23 15 . , .. . Нижняя стенка резервуара и его периферийное расширение согласно изобретению могут быть размещены на уровне земли, или на приподнятой конструкции основания, или в углублении или яме. , . Я утверждаю следующее: - 1. Конструкция резервуара для хранения, содержащая боковую стенку, нижнюю стенку и внешние элементы, передающие напряжение, прикрепленные к указанной боковой стенке и продолжающиеся от нее до точек, расположенных на расстоянии от внешней периферии указанной нижней стенки, характеризующуюся тем, что указанная нижняя стенка прикреплена к указанной боковой стенке или составляет одно целое с ней. это наружное непрерывное удлинение основания, расположенное вокруг всей внешней периферии указанной нижней стенки и по существу в той же плоскости, что и указанная нижняя стенка, при этом указанное удлинение основания изогнуто вниз, т.е. имеет выпуклую вверх форму, и элементы, передающие напряжение, прикреплены к указанному базовое расширение вблизи внешней периферии указанного базового расширения. : - 1. , , , .. , . 2.
Конструкция резервуара для хранения по п. 1, в которой удлинение основания нижней стенки связано с вертикальной стенкой, расположенной вокруг боковой стенки резервуара так, чтобы определять с упомянутым удлинением основания и указанной боковой стенкой пространство для приема заряда в жидкость, такая как вода или жидкость, вытекающая из места хранения резервуара. 1 . 3.
Конструкция резервуара для хранения по п. 2, имеющая переливную трубу, проходящую в пространство для приема жидкости, причем переливная труба проходит на ее внутреннем конце вниз до точки, примыкающей к удлинению основания, образующему дно указанного пространства. 2, . 4.
Конструкция резервуара для хранения по п. 2 или 3, имеющая автоматическое распылительное устройство, приспособленное для подключения к замкнутому контуру, включающему пространство для приема жидкости. 2 3 . 5.
Конструкции резервуаров для хранения практически такие же, как описано и показано на прилагаемых чертежах. . **ВНИМАНИЕ** конец поля может перекрывать начало **. **** **.
, ."> . . .
: 506
: 2024-04-12 16:28:13
: GB826742A-">
: :

826744-- = "/"; . , . . , . . , . , , . .



. :
:
УведомлениеЭтот перевод сделан компьютером. Невозможно гарантировать, что он является ясным, точным, полным, верным или отвечает конкретным целям. Важные решения, такие как относящиеся к коммерции или финансовые решения, не должны основываться на продукте машинного перевода.
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ GB826744A
[]
ПАТЕНТНАЯ СПЕЦИФИКАЦИЯ 826,744 ПРИЛОЖЕННЫЕ ЧЕРТЕЖИ Дата подачи заявки и подачи полной спецификации: 28 февраля 1956 г. 826,744 : 28 1956. № 6151/56. 6151 /56. Заявление подано в Соединенных Штатах Америки 13 мая 1955 года. 13, 1955. Полная спецификация опубликована: 20 января 1960 г. : 20,1960. Индекс при приемке: - Класс 37, К(: 2510: 2520: 3 1: 3 : 3 : 4 : 4 ). :- 37, (: 2510: 2520: 3 1: 3 : 3 : 4 : 4 ). Международная классификация:-Хойл. :-. ПОЛНАЯ СПЕЦИФИКАЦИЯ Усовершенствования полупроводниковых устройств или относящиеся к ним Мы, , корпорация, организованная в соответствии с законодательством штата Пенсильвания, на улицах Тайога и Си, Филадельфия, Пенсильвания, Соединенные Штаты Америки, настоящим заявляем об изобретении, за которое мы молимся, чтобы Нам может быть выдан патент, а способ, с помощью которого он должен быть реализован, будет конкретно описан в следующем заявлении: Настоящее изобретение относится к полупроводниковым устройствам. , , , , , , , , , , : . В одной форме полупроводникового усилительного устройства используется пара противоположных, по существу плоскопараллельных выпрямляющих потенциальных барьеров значительной площади в качестве эмиттерных и коллекторных элементов с неосновными носителями, а также промежуточная область полупроводникового материала, которая служит базовым элементом. - , - - , - . В типе транзистора, теперь известного как транзистор с поверхностным барьером, подробно описанном в нашей одновременно рассматриваемой заявке №. , , - . 34345/54 (серийный № 805,292), такие барьеры создаются посредством площадных контактов металл-полупроводник, тогда как в переходном транзисторе они создаются переходами типа проводимости полупроводникового материала. В связи с изготовлением такого предшествующего уровня техники много усилий было затрачено на получение элементов эмиттера и коллектора, которые были бы как можно более плоскопараллельными, чтобы улучшить высокочастотные характеристики устройств за счет минимизации дисперсии во времени прохождения неосновных носителей, а также для других Причины. Хотя такие усилия привели к тому, что транзисторы работают на относительно высоких частотах, для многих важных приложений желательна работа на еще более высоких частотах. Также желательно увеличить коэффициент усиления, достижимый с помощью транзисторных устройств на любой частоте. 34345/54 ( 805,292), --- , - , - , - - -, , 3 6 . Соответственно, целью настоящего изобретения является создание нового и улучшенного типа полупроводникового устройства 45. Согласно настоящему изобретению предложено полупроводниковое устройство, содержащее корпус из полупроводникового материала, имеющий расположенные напротив друг друга элементы эмиттера и коллектора, по меньшей мере один упомянутых элементов 50, имеющих изогнутую внутреннюю границу, так что на большей части противостоящих внутренних границ из двух элементов расстояние между такими границами по меньшей мере в два раза больше, чем расстояние в точке 55 наибольшего сближения. , 45 - , 50 - 55 . Эмиттер и коллектор могут представлять друг другу резко выпуклые области. . В одном варианте осуществления изобретения минимальное расстояние между эмиттером и лектором 60 предпочтительно очень мало, например, менее 0,2 мил, а радиус кривизны, по меньшей мере, эмиттера или коллектора в точке минимального расстояния предпочтительно не превышает чем в 100 раз превышает минимальное расстояние, 65. При такой структуре транзистора усиление на чрезвычайно высоких частотах может быть получено за счет работы в любом из нескольких возможных режимов. Во-первых, при работе в нормальном режиме, в котором 70 области пространственного заряда, прилегающие к эмиттеру и коллекторы разнесены друг от друга и приложенное к коллектору напряжение таково, что смещает коллектор в нормальном диапазоне насыщения, устройство можно использовать 75 в качестве усилителя или генератора на чрезвычайно высоких частотах, в первую очередь из-за низкого значения высоких частот. Сопротивление -частотной базы, полученное при такой геометрии. В этом случае минимальное расстояние между эмиттером и колонкой " предпочтительно составляет менее 0-2 мил, а в одном предпочтительном варианте осуществления оно составляет порядка 0,005 мил. Было обнаружено, что при таких расстояниях дисперсия времени прохождения неосновных носителей больше не является единственным фактором, ограничивающим высокочастотное усиление, а скорее то, что высокочастотное сопротивление базы ' и емкость коллектора транзистора также существенно влияют на максимальную частота, на которой можно получить усиление. Благодаря использованию эмиттера и коллектора с сильно изогнутой геометрией, упомянутой выше, обычно узкая область базы между эмиттером и коллектором, через которую протекает большая часть тока, становится более прямой и легкой для связи с Таким образом, базовый электрод лучше способен осуществлять высокочастотное управление током неосновных носителей, протекающим от эмиттера к коллектору. Это условие приводит к уменьшению высокочастотного сопротивления базы ' Транзистор, тем самым улучшая высокочастотное усиление. При близких минимальных расстояниях, предпочтительно используемых в этом варианте реализации, большая часть тока неосновных носителей ограничивается областями с минимальным расстоянием, и любое увеличение дисперсии времени прохождения, которое может возникнуть в результате отсутствия Таким образом, параллельность эмиттера и коллектора имеет меньшее значение при определении усиления высоких частот, чем получаемое таким образом уменьшение сопротивления высокочастотной базы, и, таким образом, достигается чистое улучшение усиления высоких частот. , 60 , 02 , 100 , 65 , , 70 - , 75 , - 80 ^, " 0-2 , 005 , , - , - ' , , , -, - - ' , - , - , - - , . Кроме того, было обнаружено, что описанный здесь транзистор также особенно выгоден, когда он работает в режиме, в котором коллектор достаточно сильно смещён в обратном направлении, чтобы создавать лавины вторичных электронов в объёме полупроводникового материала, увеличивая ток Коэффициент усиления устройства и, следовательно, максимальная частота колебаний. При соответствующем смещении такое лавинообразное явление может быть вызвано созданием отрицательного сопротивления между электродами коллектора и эмиттера, что делает возможными необычно сильные высокочастотные колебания, а при настоящей конструкции устройство стабильно электрически и механически. и химически. - , - , , . Было также обнаружено, что транзистор по изобретению обеспечивает работу на чрезвычайно высоких частотах в режиме, называемом в дальнейшем режимом «сквозного пробития», в котором устройство смещено так, что области пространственного заряда эмиттера и коллектора проходят через тело промежуточного полупроводникового материала так, чтобы встретиться хотя бы в одной точке. В этом режиме работы неосновные носители тока текут от эмиттера к коллектору через область слияния двух областей обеднения с чрезвычайно высокой скоростью, побуждаемые существует сильное электрическое поле. Время прохождения неосновных носителей в таких условиях управляемого полем потока намного короче, чем в обычном режиме, в котором основной движущей силой является диффузия за счет градиента концентрации неосновных носителей. Изогнутая геометрия транзистора в соответствии с изобретением 75, области обеднения, прилегающие к эмиттеру и коллектору, имеют такую форму, что потенциал базы может контролировать ток в пробитой области, и усиление достигается для 80 очень высоких частот. , " - " , - - - 65 , - - - 70 - 75 , - 80 . Другие цели и особенности изобретения будут более понятны из рассмотрения следующего подробного описания, приведенного в качестве примера 85 в сочетании с прилагаемыми чертежами, на которых: , , 85 , : Фигуры 1А и 1В представляют собой виды в разрезе и плане соответственно полупроводникового устройства преобразования сигнала, воплощающего изобретение: 1 , , - - 90 : Фигура 2 представляет собой увеличенный фрагментарный вид части устройства по Фигуре 1А, показанного в разрезе; Фигуры 3 и 4 представляют собой виды в разрезе 95 других форм транзисторов, воплощающих изобретение; и фиг. 5 представляет собой принципиальную схему, показывающую схемное устройство для работы транзистора в качестве генератора в нормальном режиме, 100 в лавинном режиме или в режиме «сквозного пробоя», упомянутом выше. 2 , 1 , ; 3 4 95 ; 5 , 100 , " . Обратимся теперь к фигурам 1А и 1В, на которых одинаковые цифры обозначают одинаковые части. Показанный там транзистор относится к общему классу 105, теперь известному как транзисторы с поверхностным барьером, полностью описанному в вышеупомянутой одновременно находящейся на рассмотрении заявке № 34345/54 (серийный № 805,292), и поэтому нет необходимости излагать здесь подробности его общей конструкции и режима 110 работы. Аналогичным образом, общие принципы и технологии изготовления транзисторов этого общего класса описаны в нашей одновременно рассматриваемой заявке № 34344/54 (серийный номер 115). № 805291) и, следовательно, здесь подробно не описаны. 1 , , 105 - - 34345/54 ( 805,292), 110 , - 34344/54 ( 115 805,291) . Транзистор на фиг. 1А и 1В обычно содержит корпус 10 из полупроводникового материала, подходящего в качестве базы транзистора 120, в который неосновные носители могут быть введены эмиттерным электродом 11 и из которого они могут быть извлечены коллекторным электродом 12. Каждый из них может быть извлечен с помощью коллекторного электрода 12. электрод находится в тесном, практически безнапряженном участке контакта 125 с корпусом 10. Эмиттерный и коллекторный 826,744 826,744 электроды 11 и 12 в этом случае расположены на прямо противоположных поверхностях корпуса 10, 1 и расположены внутри пары соответствующих изогнутых углублений 14 и 15. так, чтобы быть очень близко расположенными в области наибольшего сближения. Металлический вывод 16 основания, припаянный к основанию 10, может обеспечивать по существу омический контакт с основанием, а к эмиттеру могут быть применены нитевидные контактные выводы 17 и коллектора 17 и 18. и коллекторные электроды соответственно, например, с помощью пружинного контакта или пайки, чтобы облегчить подключение к внешним элементам. 1 10 120 - 11, 12 , 125 10 826,744 826,744 11 12 10, 1 , 14 15 16, 10, , 17 18 , - , . Полупроводниковое тело 10 предпочтительно изготовлено из германия или кремния, хотя могут также использоваться и другие материалы, а эмиттерные и коллекторные электроды 11 и 12 изготавливаются и применяются в соответствии с идеями вышеупомянутых одновременно находящихся на рассмотрении заявок, чтобы обеспечить контакты выпрямляющий тип Одним из металлов, подходящих для использования с германием -типа, является индий. - 10 , , 11 12 - - . Элементы эмиттера и коллектора сильно изогнуты вблизи области наибольшего сближения в таком направлении, что расстояние между ними увеличивается относительно быстро в зависимости от положения по обе стороны от минимального расстояния. , , . Одна предпочтительная геометрия противоположных областей эмиттерного и коллекторного электродов более четко показана на увеличенном изображении на рисунке 2, где размер а указывает минимальное расстояние между эмиттером и коллектором, размер указывает максимальное расстояние, а с указывает расстояние от центр контакта эмиттера с одним его краем. В одном типичном варианте реализации, в котором в качестве основного материала используется германий -типа с удельным сопротивлением около 0–1 Ом·см и электроосажденные индиевые электроды в качестве эмиттера и коллектора, минимальное расстояние может составлять приблизительно 005 мил, максимальное расстояние около 0,5 мил, а радиус эмиттера около 1 мил. В этом случае расстояние между эмиттером и коллектором увеличивается в десять раз при переходе от центра контакта к краю эмиттера. Области эмиттера и коллектора в этом случае имеют по существу сфероидальную форму, причем эмиттер имеет радиус кривизны примерно 2 мила, а коллектор - радиус кривизны примерно 4 мила. 2, , , - 0-1 - , - , 005 , 0.5 , 1 - , 2 4 . При такой форме расстояние не только заметно увеличивается, как описано, но увеличение расстояния начинается существенно в центре эмиттера, так что по существу только одна точка на эмиттере лежит точно параллельно противоположной области коллектора и обладает минимальным значение расстояния Хотя существует небольшая область, простирающаяся примерно на четверть мила по обе стороны от точки 65 минимального расстояния, для которой расстояние не более чем примерно на 50 % превышает минимальное значение, гораздо большая часть Площадь контакта эмиттера отстоит от коллектора на расстояние от двух до 70 десятикратного минимального расстояния. , , , 65 50 % , 70 . При описанной выше геометрии обеспечивается область очень близкого расстояния между эмиттером и коллектором в ее центральных частях, благодаря чему в нормальном режиме работы достигается очень короткое время прохождения, поскольку непосредственная близость коллектора к эмиттеру создает гораздо более сильное диффузионное поле в области минимального расстояния, большая часть тока неосновных носителей ограничивается существенно центральной областью. Однако, поскольку расстояние между эмиттером и коллектором начинает существенно увеличиваться даже при небольших боковых отклонениях от В области 85 с минимальным расстоянием сопротивление токам базы, текущим в центральную область, намного меньше, чем в устройствах предшествующего уровня техники, в которых большая часть токоведущей площади эмиттера и коллектора 90 существенно изолирована от внешней базы соединение узкой щелью полупроводникового материала, обеспечивающего относительно большое последовательное сопротивление и шунтирующую емкость и обеспечивающее большие значения высокочастотного базового сопротивления 95 '. В конструкции изобретения область быстрого времени прохождения в центре Таким образом, эмиттер и коллектор подвергаются эффективному контролю со стороны внешнего базового электрода 100 из-за расхождения между эмиттером и коллектором вблизи области минимального расстояния. , , ' 75 , 80 - , 85 , , - 90 - 95 - ' , 100 . Хотя большую степень расхождения между эмиттером и коллектором легче получить, используя кривизну как эмиттера, так и коллектора, тем не менее эффекты, подобные описанным выше, могут быть получены путем обеспечения достаточно высокой кривизны для одного из элементов 110, такого как эмиттер, и за счет использования области коллектора, которая является по существу плоской или слегка изогнутой в вогнутом или выпуклом направлении. Такой вариант осуществления изобретения показан на фиг. 3, 115, где элементы, соответствующие элементам, показанным на фиг. 1 и 2, имеют одинаковые цифры и на котором коллекторный электрод 12, прикладывается к практически плоской поверхности полупроводникового тела 10, тогда как эмиттерный электрод 120, электрод 11, прикладывается ко дну углубления 14, которое близко приближается к поверхности, контактирующей с коллектором, и имеет сильно изогнутую часть, например, 826,744, обеспечивающую характерное соотношение интервалов согласно изобретению. 105 , 110 , 3, 115 1 2 12 10, 120 11 14 826,744 . Фигура 4 иллюстрирует другой вариант осуществления изобретения, в котором конфигурация противоположных поверхностей полупроводникового тела 10 такова, что обеспечивает существенно больший радиус кривизны в непосредственной близости от минимального расстояния между эмиттером и коллектором, чем где-либо еще в область контакта. Таким образом, каждая из впадин 14 и 15 может состоять из двух частей: одна представляет собой внешнюю, по существу сфероидальную ямку с относительно большим радиусом кривизны, а другая - ямку меньшего диаметра в нижней части большей впадины, имеющую как показано на рисунке. Получающаяся в результате пара противоположных мамилоидных впадин затем снабжается эмиттерным и коллекторным электродами 11 и 12, которые покрывают как ямки с меньшим радиусом кривизны, так и, в некоторой степени, прилегающие части большего радиуса кривизны. радиусные ямы. Эту конфигурацию легко получить с помощью струйных технологий, упомянутых выше, путем использования сначала струи относительно большого диаметра для создания части углубления большего диаметра, а затем струи меньшего диаметра для создания небольшого дополнительного углубления в центре. дна большой депрессии. 4 , - 10 14 15 , , , - , , 11 12 , , - , , - , . Следует понимать, что в каждом из предшествующих примеров предусмотрена, по меньшей мере, для эмиттерного или коллекторного элемента, относительно небольшая область в непосредственной близости от минимального расстояния, которая является активной областью с точки зрения инжекции и сбора несовершеннолетних. Речь идет о -носителях, которые очень близко расположены от другого элемента и которые, поскольку эта область окружена со всех сторон не поверхностью полупроводника, а контактом фиксированной природы, не очень чувствительны к изменениям природы поверхности полупроводника, которые, как известно, встречаются во многих приложениях. , , - , , , - , - . Этот признак имеет особое значение при работе в лавинном режиме, поскольку было обнаружено, что лавинное образование на открытой поверхности полупроводникового тела приводит к генерации значительного количества нежелательных электрических шумов, которых позволяет избежать настоящая конструкция. , - . На фиг.5 показана одна типичная схема генератора, в которой может быть использован транзистор улучшенной формы. Транзистор 50 сконструирован в соответствии с изобретением, как описано выше, и в этом случае его база работает напрямую, а его эмиттер соединен с землей посредством эмиттерного резистора 52 и смещающей батареи 53, причем последний зашунтирован конденсатором 54 и, как показано, в полярности для смещения эмиттера в прямом направлении. 5 50 , 52 53, 54 , , . Коллектор подключен к источнику 56, 65 отрицательного потенциала смещения через настроенную цепь, содержащую конденсатор 57 переменной емкости, включенный параллельно с дросселем 58 с переменным отводом, и обеспечивается положительная обратная связь от переменного отвода 59 к эмиттеру. 70 переменным конденсатором 60. 56 65 ,, 57 - 58, 59 70 60. Частотой колебаний схемы, показанной на рисунке 5, можно управлять путем изменения конденсатора 57, а конденсатор 60 и положение отвода 59 можно регулировать для получения 75 оптимальной комбинации обратной связи и согласования импеданса между коллектором и эмиттером для наилучшего усиления контура. В этих условиях максимальная частота колебаний необычайно высока, точное значение 80 для любого данного транзистора зависит в целом от величины напряжения коллектора . Когда относительно мало, транзистор работает в нормальном режиме, в котором Области пространственного заряда эмиттера и коллектора полностью разделены, и электролавинная активность незначительна. Частоты колебаний по меньшей мере в несколько сотен мегагерц в секунду могут быть получены с помощью транзистора описанной здесь формы в этом нормальном режиме. 5 57, 60 59 75 , 80 ,, , , 85 / 90 . Когда напряжение коллектора достаточно увеличивается, можно обеспечить работу в одном или обоих режимах: лавинном и «пробивном насквозь», создавая еще более высокие частоты колебаний. , , " 95 " , . Когда удельное сопротивление базы транзистора 50 достаточно низкое, так что внутри базы создаются большие поля для 100 относительно небольших коллекторных потенциалов, а область пространственного заряда коллектора относительно тонкая, перед пробоем может возникнуть лавина вторичных электронов. между эмиттером и коллектором происходит увеличение альфа транзистора в 105 раз. 50 100 , - , - - , 105 . Было обнаружено, что при описанной здесь форме транзистора работа в этом режиме происходит при напряжениях коллектора, которые не слишком высоки и достаточно стабильны и управляемы для многих целей, включая генераторы и переключающие приложения. Когда эмиттер и коллектор достаточно близко друг к другу, приложение относительно высоких потенциалов к коллектору 115 приведет к прорыву между эмиттером и коллектором, что приведет к относительно большим токам коллектора. Благодаря резко изогнутым электродам настоящего транзистора ток при пробитии можно контролировать 120 базой. потенциал и обеспечивает усиление на необычно высоких частотах, главным образом благодаря чрезвычайно быстрому времени прохождения неосновных носителей в основном материале 125 826 744 Хотя это не предназначено для ограничения объема изобретения, конкретные значения для транзистора 50 и связанной с ним схемы эмиттера Диаметр коллектора Минимальное расстояние между эмиттером и коллектором Полупроводящий материал Резистор эмиттера 52 Источник смещения эмиттера 53 Байпасный резистор 54 Конденсатор 57 Индуктор 58 Конденсатор 60 Конденсатор 61 Используя эти значения и при напряжении питания коллектора около -3 вольт создавая ток коллектора около 05 мА, было обнаружено, что можно создать транзистор, имеющий альфа около 0-69 и максимальную частоту колебаний около 190 мегагерц в секунду. Когда напряжение коллектора увеличивается примерно до -6 вольт. , альфа может возрасти примерно до 085, а максимальная частота колебаний - до более чем 250 мегагерц/секунду. Однако следует понимать, что это не самые высокие частоты, достижимые с помощью таких устройств, а максимальные частоты колебаний более 250 мегагерц/секунду. вторая получена в некоторых случаях в нормальном режиме, а существенно более высокие частоты — для режимов, использующих более высокие значения коллекторного потенциала. , , 110 , , 115 - , , - 120 , - 125 826,744 , 50 ' - 52 53 54 57 58 60 61 , -3 05 , 0-69, 190 / -6 , 085, 250 / , , , 250 / , . Хотя изобретение было описано с конкретной ссылкой на конкретные варианты осуществления, следует понимать, что оно также может быть реализовано на практике в любой из самых разнообразных форм. Например, хотя показанный и подробно описанный транзистор использует эмиттер и коллектор с поверхностным барьером. Также возможно получить аналогичные результаты, если один или оба электрода состоят из металла, подходящего для преобразования основного материала в материал с противоположной проводимостью при легировании им, а затем слегка нагревают сборку для получения такого легирования. управление геометрией, возможное с помощью электрода с поверхностным барьером, в этом случае не полностью реализовано, тем не менее, могут быть получены удовлетворительные результаты. Кроме того, хотя конкретные примеры были приведены для случая тела -типа из основного материала, аналогичные результаты могут быть получены. когда транзистор относится к типу, имеющему базу -типа, когда напряжения смещения соответствующим образом инвертируются способом, который будет очевиден для специалистов в данной области техники. , , - , , - , , - , - , . Также возможно изготовить не только примерно следующее, используя общую геометрию, показанную на рисунке 2: , 2: 2
мил 4 мил мил -тип , 0 удельное сопротивление 1 Ом-сантиметр 10 000 Ом Вольт 1 000 микромикрофарад 1-5-7 микрофарад микрогенри 4-30 микромикрофарад 1 000 микрофарад один минимальный интервал, но множество таких интервалов, путем соответствующей конфигурации поверхности полупроводник, как описано выше, с помощью струйных технологий, а затем нанесение соответствующего металла на поверхность такой формы. Показанный транзистор также может использоваться не только в схеме генератора, как показано подробно, но также в качестве усилителя сигналы более высокой или низкой частоты или в качестве усилителя частоты видео 75. 4 - , 0 1 - 10,000 1,000 1-5-7 4-30 1,000 , , - , 70 - , 75 .
, ."> . . .
: 506
: 2024-04-12 16:28:16
: GB826744A-">
: :

826745-- = "/"; . , . . , . . , . , , . .



. :
:
УведомлениеЭтот перевод сделан компьютером. Невозможно гарантировать, что он является ясным, точным, полным, верным или отвечает конкретным целям. Важные решения, такие как относящиеся к коммерции или финансовые решения, не должны основываться на продукте машинного перевода.
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ GB826745A
[]
ПОЛНАЯ СПЕЦИФИКАЦИЯ. Усовершенствования битумных связующих или относящиеся к ним. . . Мы, , ., корпорация, учрежденная в соответствии с законодательством штата Огайо, Соединенные Штаты Америки, и Ридинга, штат Огайо, Соединенные Штаты Америки, настоящим заявляем об изобретении, в отношении которого мы молимся, чтобы патент может быть выдан нам, а метод, с помощью которого он должен быть выполнен, должен быть подробно описан в следующем заявлении: Настоящее изобретение относится к битумным композициям того типа, которые смешиваются с минеральными заполнителями при строительстве асфальтовых покрытий. . , , ., , , , , , , , , : . Более конкретно, изобретение относится к новой группе связующих, которые принято включать в такие битумные композиции и при таком включении не только улучшают эффективность склеивания битумных композиций, но также проявляют улучшенную термическую стабильность по сравнению с ранее использовавшимися связующими. . . В области производства битумных композиций известно, что свойства покрытия и сцепления таких композиций при смешивании с минеральными заполнителями при строительстве асфальтовых покрытий можно улучшить путем добавления к ним определенных химических агентов, таких как продукты реакции жирных кислот и полиаминов. Например, в описании британского патента 618767 раскрыто применение в качестве асфальтовых добавок продуктов конденсации жирных кислот и ряда полиаминов, таких как этилендиамин и дипропилентриамин, и их алкилзамещенных производных, полученных путем замены водорода одной или нескольких аминогрупп на алкильный радикал. Использование этих реагентов позволило использовать влажные заполнители при приготовлении дорожных смесей, что сделало ненужным использование сухих заполнителей и исключило задержки в дорожном строительстве. Кроме того, включение таких связующих веществ в композиции битумного дорожного покрытия позволило использовать гидрофильные заполнители, которые иначе невозможно было бы использовать. . , 618,767 . , . . Более того, использование этих химических связующих привело к улучшению структурной стабильности готового битумного покрытия за счет уменьшения склонности заполнителя и битума к разделению под воздействием воды. Таким образом, эти агенты оказались полезными для улучшения метода строительства асфальтовых дорог и улучшения качества и срока службы готового покрытия. . . Однако в целом эти ранее предложенные связующие агенты имели тот недостаток, что они не оставались стабильными при повышенных температурах. Во многих случаях общепринятой практикой является хранение битумных композиций после их приготовления в резервуарах при повышенной температуре, скажем, 250-400°, и поддержание их в жидком состоянии, чтобы композицию можно было легко удалить без повторного использования. нагрев, который был бы необходим, если бы композиции позволили остыть и затвердеть. Срок хранения может достигать 14 дней. В других случаях количество асфальта или легкого битума во время отгрузки нагревается до 400-500°, так что по прибытии в пункт назначения температура падает примерно до 300-350°, что и является нормой. желательная температура, необходимая для правильного применения при приготовлении смеси для дорожного покрытия. , . 250--400" . - . 14 . 400"--500" . 300 350 . . В общем, предложенные ранее связующие вещества не способны выдерживать такие повышенные температуры; под воздействием таких температур они быстро теряют свою эффективность и теряют свою ценность в качестве связующих веществ. Однако в настоящее время обнаружено, что некоторые амиды или их соли, которые имеют алкилзамещенную иминогруппу, улучшают свойства покрытия композиции для влажных заполнителей и сохраняют эффективность сцепления при воздействии повышенных температур, возникающих во время хранения и обращения с асфальтовыми композициями. ; . . В соответствии с настоящим изобретением предложено стабильное соединение, адаптированное для включения в битумные композиции для улучшения свойств их покрытия, которое включает амид или продукт реакции амидной соли одной или нескольких карбоновых кислот, имеющих 2-20 атомов углерода и ,-ди(аминоалкил)--алкиламин общей формулы: < ="img00020001." ="0001" ="011" ="00020001" -="" ="0002" ="027"/>, где А представляет собой алифатический углеводородный радикал, содержащий 26 атомов углерода, и две группы А могут быть разными; и R1 представляет собой алифатическую углеводородную группу, содержащую 110 атомов углерода, по меньшей мере одну из амидных групп и по меньшей мере одну из солеобразующих групп (если присутствуют солеобразующие группы) продукта реакции, полученного из кислот, содержащих 10-20 атомов углерода. . Было обнаружено, что когда небольшое количество одного или нескольких таких соединений включено в битумную композицию, свойства покрытия и связывания композиции для влажных заполнителей существенно улучшаются, и это улучшение сохраняется даже тогда, когда битумную композицию поддерживают при повышенных температурах. температуры в течение длительного периода времени. 2-20 ,- ()-- : < ="img00020001." ="0001" ="011" ="00020001" -="" ="0002" ="027"/> 26 ; R1 110 , ( ) 10-20 . , . Амиды и соли амидов по настоящему изобретению включают пять классов, указанных ниже: (1) Моноамиды, имеющие общую формулу: < ="img00020002." ="0002" ="011" ="00020002" -="" ="0002" ="036"/>, где представляет собой ацильную группу, полученную из органической кислоты, имеющей от 10 до 20 атомов углерода, представляет собой алифатическая углеводородная группа, имеющая от 2 до 6 атомов углерода, и R1 представляет собой алифатический углеводородный радикал, имеющий от 1 до 10 атомов углерода. В этой формуле две группы А могут иметь разное количество атомов углерода. : (1) - : < ="img00020002." ="0002" ="011" ="00020002" -="" ="0002" ="036"/> 10-20 , 2-6 , R1 1-10 . . (2)
Диамиды, имеющие общую формулу: < ="img00020003." ="0003" ="011" ="00020003" -="" ="0002" ="036"/>, где представляет собой ацильную группу, полученную из органической кислоты, содержащей от 2 до 20 атомов углерода, а и R1 имеют то же определение, что и в формуле (1). В этой формуле две группы могут быть разными, и по крайней мере одна группа должна быть производной кислоты, содержащей 10-20 атомов углерода. - : < ="img00020003." ="0003" ="011" ="00020003" -="" ="0002" ="036"/> 2-20 R1 (1). 10-20 . (3)
Моносоль диамида, имеющая общую формулу: < ="img00020004." ="0004" ="011" ="00020004" -="" ="0002" ="053"/>, где представляет собой ацильную группу, полученную из органической кислоты, имеющей 2-20 атомов углерода; и R1 определены, как в формуле (1); группа солеобразующей кислоты и по меньшей мере одна из других групп происходят из кислоты, имеющей 10-20 атомов углерода; и несколько групп могут происходить из разных кислот. --- : < ="img00020004." ="0004" ="011" ="00020004" -="" ="0002" ="053"/> 2-20 ; R1 (1); - 10-20 ; . (4)
Моноамидная моносоль, имеющая общую формулу: < ="img00020005." ="0005" ="011" ="00020005" -="" ="0002" ="055"/>, где представляет собой ацильную группу, полученную из кислоты, имеющей 10-20 атомов углерода; и R1 определены, как в формуле (1); и две группы могут быть разными. --- : < ="img00020005." ="0005" ="011" ="00020005" -="" ="0002" ="055"/> 10-20 ; R1 (1); . (5)
Дисоль моноамида общей формулы: < ="img00020006." ="0006" ="011" ="00020006" -="" ="0002" ="063"/>, где представляет собой ацильную группу, полученную из кислоты, имеющей 2-20 атомов углерода; и R1 имеют те же определения, что и в формуле (1); группа амидообразующей группы и по меньшей мере одна из других групп происходят из кислоты, содержащей 10-20 атомов углерода; и несколько групп могут быть разными. -- : < ="img00020006." ="0006" ="011" ="00020006" -="" =