Дз 2021 / Вопросы 2
.docx
Чему равно выходное напряжение ключа в режимах, когда ключ замкнут и разомкнут.
Ответ:
По схеме ОЭ. В замкнутом состоянии напряжение на выходе ровно 0.
В разомкнутом состоянии напряжение на выходе равно напряжению источника питания.
Что дает режим глубокой отсечки с точки зрения ключа?
Ответ:
Ключ
разомкнут, сопротивление ключа стремится
в бесконечность. Напряжение на выходе
ровно
.
Напишите формулу сопротивления ключа без нагрузки в разомкнутом состоянии, когда транзистор находится в режиме отсечки.
Ответ:
Напишите формулу сопротивления ключа без учета нагрузки в разомкнутом состоянии, когда транзистор находится в режиме глубокой отсечки.
Ответ:
Время включения ключа и время формирования фронта импульса в усилителе равны или отличаются? Если не равны, то почему?
Ответ:
Они
отличаются. Так как формирование фронта
занимает три постоянных времени которая
ровна
.
А время включения зависит от степени
насыщения и равно
,
при этом
.
От чего зависит время включения транзисторного ключа?
Ответ:
Время
включения зависит от сопротивления в
коллекторной цепи и ёмкости коллекторного
перехода и от постоянной
,
а также коэффициента усиления
.
И обратно пропорционально коэффициенту
насыщения
.
Из-за чего происходит задержка переключения транзисторного ключа из замкнутого состояния в разомкнутое?
Ответ:
Из-за насыщения пассивных областей базы.
В ключе главное это малое время включения, а задержка при выключении не играет роли. Так это и почему?
Ответ:
Это не так, так как за время выключения может прийти следующий импульс и ключ не успеет перейти в разомкнутое состояние. Также если ключей много, то задержка может накапливаться что может привезти к сбою.
Какие элементы схемы влияют на длительность формирования среза выходного импульса ключа?
Ответ:
Ёмкость коллекторного перехода. А также сопротивление нагрузки запараллеленное с резистором в коллекторной цепи и само сопротивление коллекторной цепи.
Нагрузка влияет:
а) на время включения;
б) на время рассасывания (задержку переключения);
в) на время восстановления обратного сопротивления транзистора (на время формирования среза).
Какие утверждения верны?
Ответ:
а и в верны.